A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase (Q84341): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Removed claim: financed by (P890): Directorate-General for Regional and Urban Policy (Q8361), Removing unnecessary financed by statement) |
(Changed label, description and/or aliases in pt) |
||||||||||||||
| (17 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||||||||||||||
| label / fr | label / fr | ||||||||||||||
Un processus universel pour surmonter la forme du cristal d’équilibre dans la croissance cristalline de la phase de vapeur | |||||||||||||||
| label / de | label / de | ||||||||||||||
Ein universeller Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform im Kristallwachstum aus der Dampfphase | |||||||||||||||
| label / nl | label / nl | ||||||||||||||
Een universeel proces voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in kristalgroei uit de dampfase | |||||||||||||||
| label / it | label / it | ||||||||||||||
Un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita del cristallo dalla fase del vapore | |||||||||||||||
| label / es | label / es | ||||||||||||||
Un proceso universal para superar la forma de cristal de equilibrio en el crecimiento del cristal desde la fase de vapor | |||||||||||||||
| label / da | label / da | ||||||||||||||
En universel proces til overvindelse af ligevægtskrystallformen i krystalvækst fra dampfasen | |||||||||||||||
| label / el | label / el | ||||||||||||||
Μια καθολική διαδικασία για την υπέρβαση του σχήματος κρυστάλλου ισορροπίας στην ανάπτυξη κρυστάλλων από τη φάση ατμών | |||||||||||||||
| label / hr | label / hr | ||||||||||||||
Univerzalni proces za prevladavanje oblika ravnotežnog kristala u rastu kristala iz parne faze | |||||||||||||||
| label / ro | label / ro | ||||||||||||||
Un proces universal pentru depășirea formei cristaline de echilibru în creșterea cristalină din faza de vapori | |||||||||||||||
| label / sk | label / sk | ||||||||||||||
Univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho kryštálového tvaru v raste kryštálov z fázy pary | |||||||||||||||
| label / mt | label / mt | ||||||||||||||
Proċess universali biex tingħeleb il-forma tal-kristall tal-ekwilibriju fit-tkabbir tal-kristall mill-fażi tal-fwar | |||||||||||||||
| label / pt | label / pt | ||||||||||||||
Um processo universal para superar a forma cristalina de equilíbrio no crescimento de cristais a partir da fase de vapor | |||||||||||||||
| label / fi | label / fi | ||||||||||||||
Universaali prosessi tasapainokidemuodon voittamiseksi kiteiden kasvussa höyryfaasista | |||||||||||||||
| label / sl | label / sl | ||||||||||||||
Univerzalni proces za premagovanje ravnotežne kristalne oblike v kristalni rasti iz faze pare | |||||||||||||||
| label / cs | label / cs | ||||||||||||||
Univerzální proces pro překonání rovnovážného krystalického tvaru v růstu krystalů z fáze páry | |||||||||||||||
| label / lt | label / lt | ||||||||||||||
Universalus procesas, skirtas įveikti pusiausvyros kristalų formą kristalų augimui nuo garų fazės | |||||||||||||||
| label / lv | label / lv | ||||||||||||||
Universāls process līdzsvara kristāla formas pārvarēšanai kristāla augšanā no tvaika fāzes | |||||||||||||||
| label / bg | label / bg | ||||||||||||||
Универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в растежа на кристалите от парната фаза | |||||||||||||||
| label / hu | label / hu | ||||||||||||||
Univerzális folyamat az egyensúlyi kristály alakjának leküzdésére a kristálynövekedésben a gőzfázisból | |||||||||||||||
| label / ga | label / ga | ||||||||||||||
Próiseas uilíoch chun an cruth criostail cothromaíochta a shárú i bhfás criostail ón gcéim ghal | |||||||||||||||
| label / sv | label / sv | ||||||||||||||
En universell process för att övervinna jämviktskristallformen i kristalltillväxt från ångfasen | |||||||||||||||
| label / et | label / et | ||||||||||||||
Universaalne protsess tasakaalu kristallkuju ületamiseks aurufaasi kristallide kasvus | |||||||||||||||
| description / bg | description / bg | ||||||||||||||
Проект Q84341 в Полша | |||||||||||||||
| description / hr | description / hr | ||||||||||||||
Projekt Q84341 u Poljskoj | |||||||||||||||
| description / hu | description / hu | ||||||||||||||
Projekt Q84341 Lengyelországban | |||||||||||||||
| description / cs | description / cs | ||||||||||||||
Projekt Q84341 v Polsku | |||||||||||||||
| description / da | description / da | ||||||||||||||
Projekt Q84341 i Polen | |||||||||||||||
| description / nl | description / nl | ||||||||||||||
Project Q84341 in Polen | |||||||||||||||
| description / et | description / et | ||||||||||||||
Projekt Q84341 Poolas | |||||||||||||||
| description / fi | description / fi | ||||||||||||||
Projekti Q84341 Puolassa | |||||||||||||||
| description / fr | description / fr | ||||||||||||||
Projet Q84341 en Pologne | |||||||||||||||
| description / de | description / de | ||||||||||||||
Projekt Q84341 in Polen | |||||||||||||||
| description / el | description / el | ||||||||||||||
Έργο Q84341 στην Πολωνία | |||||||||||||||
| description / ga | description / ga | ||||||||||||||
Tionscadal Q84341 sa Pholainn | |||||||||||||||
| description / it | description / it | ||||||||||||||
Progetto Q84341 in Polonia | |||||||||||||||
| description / lv | description / lv | ||||||||||||||
Projekts Q84341 Polijā | |||||||||||||||
| description / lt | description / lt | ||||||||||||||
Projektas Q84341 Lenkijoje | |||||||||||||||
| description / mt | description / mt | ||||||||||||||
Proġett Q84341 fil-Polonja | |||||||||||||||
| description / pt | description / pt | ||||||||||||||
Projeto Q84341 na Polônia | |||||||||||||||
| description / ro | description / ro | ||||||||||||||
Proiectul Q84341 în Polonia | |||||||||||||||
| description / sk | description / sk | ||||||||||||||
Projekt Q84341 v Poľsku | |||||||||||||||
| description / sl | description / sl | ||||||||||||||
Projekt Q84341 na Poljskem | |||||||||||||||
| description / es | description / es | ||||||||||||||
Proyecto Q84341 en Polonia | |||||||||||||||
| description / sv | description / sv | ||||||||||||||
Projekt Q84341 i Polen | |||||||||||||||
| Property / EU contribution | Property / EU contribution | ||||||||||||||
| 3,442,573.65 zloty
| ||||||||||||||
| Property / EU contribution | Property / EU contribution | ||||||||||||||
| 765,284.12 Euro
| ||||||||||||||
| Property / budget | Property / budget | ||||||||||||||
| 3,442,573.65 zloty
| ||||||||||||||
| Property / budget | Property / budget | ||||||||||||||
| 765,284.12 Euro
| ||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 100.0 percent / rank | |||||||||||||||
| Property / end time | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / end time: 30 September 2021 / rank | |||||||||||||||
| Property / summary: The goal of this project is to develop a universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in gallium Nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of Crystallised GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallisation process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimised, while the growth guy (c-facet) will be stabilised and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (English) / qualifier | |||||||||||||||
readability score: 0.6714797238851047
| |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Gdańsk / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme du cristal d’équilibre dans la croissance du cristal de gallium (GaN) à partir de la phase de vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules GaN simples cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur plan c de graines indigènes de GaN. À cette fin, un contrôle précis de la sursaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La sursaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption des espèces de croissance sur les parois latérales sera minimisée, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et cultivé pour une période de temps arbitraire. De telles conditions seront atteintes en contrôlant le champ thermique autour du cristal de croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French) | |||||||||||||||
| Property / summary: L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme du cristal d’équilibre dans la croissance du cristal de gallium (GaN) à partir de la phase de vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules GaN simples cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur plan c de graines indigènes de GaN. À cette fin, un contrôle précis de la sursaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La sursaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption des espèces de croissance sur les parois latérales sera minimisée, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et cultivé pour une période de temps arbitraire. De telles conditions seront atteintes en contrôlant le champ thermique autour du cristal de croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme du cristal d’équilibre dans la croissance du cristal de gallium (GaN) à partir de la phase de vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules GaN simples cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur plan c de graines indigènes de GaN. À cette fin, un contrôle précis de la sursaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La sursaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption des espèces de croissance sur les parois latérales sera minimisée, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et cultivé pour une période de temps arbitraire. De telles conditions seront atteintes en contrôlant le champ thermique autour du cristal de croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 30 November 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boules mit einem gleichmäßigen oder expandierenden Durchmesser ermöglichen. Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene von nativem GaN-Samen durchgeführt. Zu diesem Zweck ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Rändern und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsarten an den Seitenwänden minimiert, während der Wachstumstyp (c-facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Kontrolle des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Der Boule wird seine endgültige Form erreichen, indem er sich an das thermische Feld anpasst und nicht seine Gleichgewichtsgewohnheit nimmt. (German) | |||||||||||||||
| Property / summary: Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boules mit einem gleichmäßigen oder expandierenden Durchmesser ermöglichen. Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene von nativem GaN-Samen durchgeführt. Zu diesem Zweck ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Rändern und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsarten an den Seitenwänden minimiert, während der Wachstumstyp (c-facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Kontrolle des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Der Boule wird seine endgültige Form erreichen, indem er sich an das thermische Feld anpasst und nicht seine Gleichgewichtsgewohnheit nimmt. (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boules mit einem gleichmäßigen oder expandierenden Durchmesser ermöglichen. Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene von nativem GaN-Samen durchgeführt. Zu diesem Zweck ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Rändern und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsarten an den Seitenwänden minimiert, während der Wachstumstyp (c-facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Kontrolle des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Der Boule wird seine endgültige Form erreichen, indem er sich an das thermische Feld anpasst und nicht seine Gleichgewichtsgewohnheit nimmt. (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 7 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in galliumnitride (GaN) kristalgroei uit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkelkristallijne GaN-boules met een uniforme of uitbreidende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vlak van inheemse GaN zaad. Voor dit doel is een nauwkeurige controle van de superverzadiging op het groeiende oppervlak van het kristal nodig. De oververzadiging moet worden verminderd aan de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoorten op de zijwanden worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) voor een willekeurige periode zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid. Dergelijke omstandigheden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te controleren. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermisch veld en zijn evenwichtsgewoonte niet aan te nemen. (Dutch) | |||||||||||||||
| Property / summary: Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in galliumnitride (GaN) kristalgroei uit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkelkristallijne GaN-boules met een uniforme of uitbreidende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vlak van inheemse GaN zaad. Voor dit doel is een nauwkeurige controle van de superverzadiging op het groeiende oppervlak van het kristal nodig. De oververzadiging moet worden verminderd aan de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoorten op de zijwanden worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) voor een willekeurige periode zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid. Dergelijke omstandigheden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te controleren. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermisch veld en zijn evenwichtsgewoonte niet aan te nemen. (Dutch) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in galliumnitride (GaN) kristalgroei uit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkelkristallijne GaN-boules met een uniforme of uitbreidende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vlak van inheemse GaN zaad. Voor dit doel is een nauwkeurige controle van de superverzadiging op het groeiende oppervlak van het kristal nodig. De oververzadiging moet worden verminderd aan de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoorten op de zijwanden worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) voor een willekeurige periode zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid. Dergelijke omstandigheden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te controleren. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermisch veld en zijn evenwichtsgewoonte niet aan te nemen. (Dutch) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
L'obiettivo di questo progetto è quello di sviluppare un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita del nitruro di gallio (GaN) dalla fase del vapore. Attualmente, il diametro del GaN cristallizzato diminuisce nel tempo. I risultati del progetto dovrebbero consentire la deposizione di spesse boule monocristallino GaN con un diametro uniforme o in espansione. Il processo di cristallizzazione sarà effettuato su un piano c di semi nativi di GaN. A questo scopo, è necessario un controllo preciso della sovrasaturazione sulla superficie di crescita del cristallo. La sovrasaturazione dovrebbe essere ridotta sui bordi e sui fianchi del cristallo in crescita. In questo modo l'adsorbimento delle specie di crescita sui fianchi sarà ridotto al minimo, mentre il ragazzo della crescita (c-facet) sarà stabilizzato e cresciuto per un periodo di tempo arbitrario. Tali condizioni saranno ottenute controllando il campo termico intorno al cristallo in crescita. Il boule raggiungerà la sua forma finale adattandosi al campo termico e non assumerà la sua abitudine di equilibrio. (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: L'obiettivo di questo progetto è quello di sviluppare un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita del nitruro di gallio (GaN) dalla fase del vapore. Attualmente, il diametro del GaN cristallizzato diminuisce nel tempo. I risultati del progetto dovrebbero consentire la deposizione di spesse boule monocristallino GaN con un diametro uniforme o in espansione. Il processo di cristallizzazione sarà effettuato su un piano c di semi nativi di GaN. A questo scopo, è necessario un controllo preciso della sovrasaturazione sulla superficie di crescita del cristallo. La sovrasaturazione dovrebbe essere ridotta sui bordi e sui fianchi del cristallo in crescita. In questo modo l'adsorbimento delle specie di crescita sui fianchi sarà ridotto al minimo, mentre il ragazzo della crescita (c-facet) sarà stabilizzato e cresciuto per un periodo di tempo arbitrario. Tali condizioni saranno ottenute controllando il campo termico intorno al cristallo in crescita. Il boule raggiungerà la sua forma finale adattandosi al campo termico e non assumerà la sua abitudine di equilibrio. (Italian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: L'obiettivo di questo progetto è quello di sviluppare un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita del nitruro di gallio (GaN) dalla fase del vapore. Attualmente, il diametro del GaN cristallizzato diminuisce nel tempo. I risultati del progetto dovrebbero consentire la deposizione di spesse boule monocristallino GaN con un diametro uniforme o in espansione. Il processo di cristallizzazione sarà effettuato su un piano c di semi nativi di GaN. A questo scopo, è necessario un controllo preciso della sovrasaturazione sulla superficie di crescita del cristallo. La sovrasaturazione dovrebbe essere ridotta sui bordi e sui fianchi del cristallo in crescita. In questo modo l'adsorbimento delle specie di crescita sui fianchi sarà ridotto al minimo, mentre il ragazzo della crescita (c-facet) sarà stabilizzato e cresciuto per un periodo di tempo arbitrario. Tali condizioni saranno ottenute controllando il campo termico intorno al cristallo in crescita. Il boule raggiungerà la sua forma finale adattandosi al campo termico e non assumerà la sua abitudine di equilibrio. (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
El objetivo de este proyecto es desarrollar un proceso universal para superar la forma cristalina de equilibrio en el crecimiento de cristal de nitruro de galio (GaN) desde la fase de vapor. Actualmente, el diámetro de GaN cristalizado disminuye en el tiempo. Los resultados del proyecto deben permitir la deposición de gruesas bolas cristalinas GaN con un diámetro uniforme o en expansión. El proceso de cristalización se llevará a cabo en el plano c de semillas nativas de GaN. Para este propósito, es necesario un control preciso de la supersaturación en la superficie de crecimiento del cristal. La supersaturación debe reducirse en los bordes y paredes laterales del cristal en crecimiento. De esta manera se minimizará la adsorción de las especies de crecimiento en las paredes laterales, mientras que el chico de crecimiento (c-facet) se estabilizará y crecerá durante un período de tiempo arbitrario. Tales condiciones se lograrán mediante el control del campo térmico alrededor del cristal en crecimiento. La boule alcanzará su forma final adaptándose al campo térmico y no tomará su hábito de equilibrio. (Spanish) | |||||||||||||||
| Property / summary: El objetivo de este proyecto es desarrollar un proceso universal para superar la forma cristalina de equilibrio en el crecimiento de cristal de nitruro de galio (GaN) desde la fase de vapor. Actualmente, el diámetro de GaN cristalizado disminuye en el tiempo. Los resultados del proyecto deben permitir la deposición de gruesas bolas cristalinas GaN con un diámetro uniforme o en expansión. El proceso de cristalización se llevará a cabo en el plano c de semillas nativas de GaN. Para este propósito, es necesario un control preciso de la supersaturación en la superficie de crecimiento del cristal. La supersaturación debe reducirse en los bordes y paredes laterales del cristal en crecimiento. De esta manera se minimizará la adsorción de las especies de crecimiento en las paredes laterales, mientras que el chico de crecimiento (c-facet) se estabilizará y crecerá durante un período de tiempo arbitrario. Tales condiciones se lograrán mediante el control del campo térmico alrededor del cristal en crecimiento. La boule alcanzará su forma final adaptándose al campo térmico y no tomará su hábito de equilibrio. (Spanish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: El objetivo de este proyecto es desarrollar un proceso universal para superar la forma cristalina de equilibrio en el crecimiento de cristal de nitruro de galio (GaN) desde la fase de vapor. Actualmente, el diámetro de GaN cristalizado disminuye en el tiempo. Los resultados del proyecto deben permitir la deposición de gruesas bolas cristalinas GaN con un diámetro uniforme o en expansión. El proceso de cristalización se llevará a cabo en el plano c de semillas nativas de GaN. Para este propósito, es necesario un control preciso de la supersaturación en la superficie de crecimiento del cristal. La supersaturación debe reducirse en los bordes y paredes laterales del cristal en crecimiento. De esta manera se minimizará la adsorción de las especies de crecimiento en las paredes laterales, mientras que el chico de crecimiento (c-facet) se estabilizará y crecerá durante un período de tiempo arbitrario. Tales condiciones se lograrán mediante el control del campo térmico alrededor del cristal en crecimiento. La boule alcanzará su forma final adaptándose al campo térmico y no tomará su hábito de equilibrio. (Spanish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 19 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Målet med dette projekt er at udvikle en universel proces til at overvinde ligevægtskrystallformen i galliumnitrid (GaN) krystalvækst fra dampfasen. I øjeblikket falder diameteren af krystalliseret GaN i tide. Resultaterne af projektet bør muliggøre aflejring af tykke enkeltkrystalske GaN boules med en ensartet eller ekspanderende diameter. Krystalliseringsprocessen vil blive udført på c-plan af hjemmehørende GaN frø. Til dette formål er det nødvendigt med præcis kontrol af overmætning på krystallens voksende overflade. Overmætningen bør reduceres på kanterne og sidevæggene af den voksende krystal. På denne måde vil adsorption af vækstarterne på sidevæggene blive minimeret, mens vækstfyren (c-facet) vil blive stabiliseret og dyrket i en vilkårlig periode. Sådanne betingelser vil blive opnået ved at kontrollere det termiske felt omkring den voksende krystal. Boule vil nå sin endelige form ved at tilpasse sig det termiske felt og ikke tage sin ligevægt vane. (Danish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Målet med dette projekt er at udvikle en universel proces til at overvinde ligevægtskrystallformen i galliumnitrid (GaN) krystalvækst fra dampfasen. I øjeblikket falder diameteren af krystalliseret GaN i tide. Resultaterne af projektet bør muliggøre aflejring af tykke enkeltkrystalske GaN boules med en ensartet eller ekspanderende diameter. Krystalliseringsprocessen vil blive udført på c-plan af hjemmehørende GaN frø. Til dette formål er det nødvendigt med præcis kontrol af overmætning på krystallens voksende overflade. Overmætningen bør reduceres på kanterne og sidevæggene af den voksende krystal. På denne måde vil adsorption af vækstarterne på sidevæggene blive minimeret, mens vækstfyren (c-facet) vil blive stabiliseret og dyrket i en vilkårlig periode. Sådanne betingelser vil blive opnået ved at kontrollere det termiske felt omkring den voksende krystal. Boule vil nå sin endelige form ved at tilpasse sig det termiske felt og ikke tage sin ligevægt vane. (Danish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Målet med dette projekt er at udvikle en universel proces til at overvinde ligevægtskrystallformen i galliumnitrid (GaN) krystalvækst fra dampfasen. I øjeblikket falder diameteren af krystalliseret GaN i tide. Resultaterne af projektet bør muliggøre aflejring af tykke enkeltkrystalske GaN boules med en ensartet eller ekspanderende diameter. Krystalliseringsprocessen vil blive udført på c-plan af hjemmehørende GaN frø. Til dette formål er det nødvendigt med præcis kontrol af overmætning på krystallens voksende overflade. Overmætningen bør reduceres på kanterne og sidevæggene af den voksende krystal. På denne måde vil adsorption af vækstarterne på sidevæggene blive minimeret, mens vækstfyren (c-facet) vil blive stabiliseret og dyrket i en vilkårlig periode. Sådanne betingelser vil blive opnået ved at kontrollere det termiske felt omkring den voksende krystal. Boule vil nå sin endelige form ved at tilpasse sig det termiske felt og ikke tage sin ligevægt vane. (Danish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Ο στόχος αυτού του έργου είναι να αναπτύξει μια καθολική διαδικασία για την υπέρβαση του σχήματος κρυστάλλου ισορροπίας σε νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) κρυσταλλική ανάπτυξη από τη φάση ατμών. Επί του παρόντος, η διάμετρος του κρυσταλλωμένου GaN μειώνεται στο χρόνο. Τα αποτελέσματα του έργου θα πρέπει να επιτρέπουν την εναπόθεση παχιών μονοκρυσταλλικών δακτυλίων GaN με ομοιόμορφη ή διαστελλόμενη διάμετρο. Η διαδικασία κρυστάλλωσης θα πραγματοποιηθεί σε γ-επίπεδο γηγενούς σπόρου GaN. Για το σκοπό αυτό, είναι απαραίτητος ο ακριβής έλεγχος του υπερκορεσμού στην επιφάνεια ανάπτυξης του κρυστάλλου. Ο υπερκορεσμός πρέπει να μειωθεί στις άκρες και τα πλευρικά τοιχώματα του αναπτυσσόμενου κρυστάλλου. Με αυτόν τον τρόπο η προσρόφηση των ειδών ανάπτυξης στα πλευρικά τοιχώματα θα ελαχιστοποιηθεί, ενώ ο τύπος ανάπτυξης (c-facet) θα σταθεροποιηθεί και θα αναπτυχθεί για μια αυθαίρετη χρονική περίοδο. Τέτοιες συνθήκες θα επιτευχθούν με τον έλεγχο του θερμικού πεδίου γύρω από τον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Το boule θα φτάσει στο τελικό σχήμα του με την προσαρμογή στο θερμικό πεδίο και δεν θα πάρει τη συνήθεια ισορροπίας του. (Greek) | |||||||||||||||
| Property / summary: Ο στόχος αυτού του έργου είναι να αναπτύξει μια καθολική διαδικασία για την υπέρβαση του σχήματος κρυστάλλου ισορροπίας σε νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) κρυσταλλική ανάπτυξη από τη φάση ατμών. Επί του παρόντος, η διάμετρος του κρυσταλλωμένου GaN μειώνεται στο χρόνο. Τα αποτελέσματα του έργου θα πρέπει να επιτρέπουν την εναπόθεση παχιών μονοκρυσταλλικών δακτυλίων GaN με ομοιόμορφη ή διαστελλόμενη διάμετρο. Η διαδικασία κρυστάλλωσης θα πραγματοποιηθεί σε γ-επίπεδο γηγενούς σπόρου GaN. Για το σκοπό αυτό, είναι απαραίτητος ο ακριβής έλεγχος του υπερκορεσμού στην επιφάνεια ανάπτυξης του κρυστάλλου. Ο υπερκορεσμός πρέπει να μειωθεί στις άκρες και τα πλευρικά τοιχώματα του αναπτυσσόμενου κρυστάλλου. Με αυτόν τον τρόπο η προσρόφηση των ειδών ανάπτυξης στα πλευρικά τοιχώματα θα ελαχιστοποιηθεί, ενώ ο τύπος ανάπτυξης (c-facet) θα σταθεροποιηθεί και θα αναπτυχθεί για μια αυθαίρετη χρονική περίοδο. Τέτοιες συνθήκες θα επιτευχθούν με τον έλεγχο του θερμικού πεδίου γύρω από τον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Το boule θα φτάσει στο τελικό σχήμα του με την προσαρμογή στο θερμικό πεδίο και δεν θα πάρει τη συνήθεια ισορροπίας του. (Greek) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Ο στόχος αυτού του έργου είναι να αναπτύξει μια καθολική διαδικασία για την υπέρβαση του σχήματος κρυστάλλου ισορροπίας σε νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) κρυσταλλική ανάπτυξη από τη φάση ατμών. Επί του παρόντος, η διάμετρος του κρυσταλλωμένου GaN μειώνεται στο χρόνο. Τα αποτελέσματα του έργου θα πρέπει να επιτρέπουν την εναπόθεση παχιών μονοκρυσταλλικών δακτυλίων GaN με ομοιόμορφη ή διαστελλόμενη διάμετρο. Η διαδικασία κρυστάλλωσης θα πραγματοποιηθεί σε γ-επίπεδο γηγενούς σπόρου GaN. Για το σκοπό αυτό, είναι απαραίτητος ο ακριβής έλεγχος του υπερκορεσμού στην επιφάνεια ανάπτυξης του κρυστάλλου. Ο υπερκορεσμός πρέπει να μειωθεί στις άκρες και τα πλευρικά τοιχώματα του αναπτυσσόμενου κρυστάλλου. Με αυτόν τον τρόπο η προσρόφηση των ειδών ανάπτυξης στα πλευρικά τοιχώματα θα ελαχιστοποιηθεί, ενώ ο τύπος ανάπτυξης (c-facet) θα σταθεροποιηθεί και θα αναπτυχθεί για μια αυθαίρετη χρονική περίοδο. Τέτοιες συνθήκες θα επιτευχθούν με τον έλεγχο του θερμικού πεδίου γύρω από τον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Το boule θα φτάσει στο τελικό σχήμα του με την προσαρμογή στο θερμικό πεδίο και δεν θα πάρει τη συνήθεια ισορροπίας του. (Greek) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Cilj ovog projekta je razviti univerzalni proces za prevladavanje ravnotežnog oblika kristala u galij nitridnom (GaN) kristalnom rastu iz faze pare. Trenutno se promjer kristaliziranog GaN-a smanjuje u vremenu. Rezultati projekta trebali bi omogućiti taloženje debelih pojedinačnih kristalnih GaN blokova s ujednačenim ili proširenim promjerom. Proces kristalizacije provodit će se na c-ravnini izvornog GaN sjemena. U tu svrhu potrebna je precizna kontrola superzasićivanja na rastućoj površini kristala. Superzasićivanje treba smanjiti na rubovima i bočnim stijenkama rastućeg kristala. Na taj će se način adsorpcija vrsta rasta na bočnim stijenkama svesti na najmanju moguću mjeru, dok će se tip rasta (c-facet) stabilizirati i izrasti za proizvoljno vremensko razdoblje. Takvi uvjeti će se postići kontroliranjem toplinskog polja oko rastućeg kristala. Boula će doći do svog konačnog oblika prilagođavajući se termalnom polju i ne uzima svoju ravnotežnu naviku. (Croatian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Cilj ovog projekta je razviti univerzalni proces za prevladavanje ravnotežnog oblika kristala u galij nitridnom (GaN) kristalnom rastu iz faze pare. Trenutno se promjer kristaliziranog GaN-a smanjuje u vremenu. Rezultati projekta trebali bi omogućiti taloženje debelih pojedinačnih kristalnih GaN blokova s ujednačenim ili proširenim promjerom. Proces kristalizacije provodit će se na c-ravnini izvornog GaN sjemena. U tu svrhu potrebna je precizna kontrola superzasićivanja na rastućoj površini kristala. Superzasićivanje treba smanjiti na rubovima i bočnim stijenkama rastućeg kristala. Na taj će se način adsorpcija vrsta rasta na bočnim stijenkama svesti na najmanju moguću mjeru, dok će se tip rasta (c-facet) stabilizirati i izrasti za proizvoljno vremensko razdoblje. Takvi uvjeti će se postići kontroliranjem toplinskog polja oko rastućeg kristala. Boula će doći do svog konačnog oblika prilagođavajući se termalnom polju i ne uzima svoju ravnotežnu naviku. (Croatian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Cilj ovog projekta je razviti univerzalni proces za prevladavanje ravnotežnog oblika kristala u galij nitridnom (GaN) kristalnom rastu iz faze pare. Trenutno se promjer kristaliziranog GaN-a smanjuje u vremenu. Rezultati projekta trebali bi omogućiti taloženje debelih pojedinačnih kristalnih GaN blokova s ujednačenim ili proširenim promjerom. Proces kristalizacije provodit će se na c-ravnini izvornog GaN sjemena. U tu svrhu potrebna je precizna kontrola superzasićivanja na rastućoj površini kristala. Superzasićivanje treba smanjiti na rubovima i bočnim stijenkama rastućeg kristala. Na taj će se način adsorpcija vrsta rasta na bočnim stijenkama svesti na najmanju moguću mjeru, dok će se tip rasta (c-facet) stabilizirati i izrasti za proizvoljno vremensko razdoblje. Takvi uvjeti će se postići kontroliranjem toplinskog polja oko rastućeg kristala. Boula će doći do svog konačnog oblika prilagođavajući se termalnom polju i ne uzima svoju ravnotežnu naviku. (Croatian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Scopul acestui proiect este de a dezvolta un proces universal de depășire a formei cristaline de echilibru în nitrură de galiu (GaN) din faza de vapori. În prezent, diametrul GaN cristalizat scade în timp. Rezultatele proiectului ar trebui să permită depunerea de boluri groase monocristaline GaN cu un diametru uniform sau în expansiune. Procesul de cristalizare va fi efectuat pe planul c al semințelor native de GaN. În acest scop, este necesar un control precis al suprasaturației pe suprafața în creștere a cristalului. Suprasaturarea trebuie redusă pe marginile și pereții laterali ai cristalului în creștere. În acest fel, adsorbția speciilor de creștere de pe pereții laterali va fi redusă la minimum, în timp ce tipul de creștere (c-facet) va fi stabilizat și cultivat pentru o perioadă de timp arbitrară. Astfel de condiții vor fi atinse prin controlul câmpului termic din jurul cristalului în creștere. Bolul va ajunge la forma sa finală prin adaptarea la câmpul termic și nu își va lua obiceiul de echilibru. (Romanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Scopul acestui proiect este de a dezvolta un proces universal de depășire a formei cristaline de echilibru în nitrură de galiu (GaN) din faza de vapori. În prezent, diametrul GaN cristalizat scade în timp. Rezultatele proiectului ar trebui să permită depunerea de boluri groase monocristaline GaN cu un diametru uniform sau în expansiune. Procesul de cristalizare va fi efectuat pe planul c al semințelor native de GaN. În acest scop, este necesar un control precis al suprasaturației pe suprafața în creștere a cristalului. Suprasaturarea trebuie redusă pe marginile și pereții laterali ai cristalului în creștere. În acest fel, adsorbția speciilor de creștere de pe pereții laterali va fi redusă la minimum, în timp ce tipul de creștere (c-facet) va fi stabilizat și cultivat pentru o perioadă de timp arbitrară. Astfel de condiții vor fi atinse prin controlul câmpului termic din jurul cristalului în creștere. Bolul va ajunge la forma sa finală prin adaptarea la câmpul termic și nu își va lua obiceiul de echilibru. (Romanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Scopul acestui proiect este de a dezvolta un proces universal de depășire a formei cristaline de echilibru în nitrură de galiu (GaN) din faza de vapori. În prezent, diametrul GaN cristalizat scade în timp. Rezultatele proiectului ar trebui să permită depunerea de boluri groase monocristaline GaN cu un diametru uniform sau în expansiune. Procesul de cristalizare va fi efectuat pe planul c al semințelor native de GaN. În acest scop, este necesar un control precis al suprasaturației pe suprafața în creștere a cristalului. Suprasaturarea trebuie redusă pe marginile și pereții laterali ai cristalului în creștere. În acest fel, adsorbția speciilor de creștere de pe pereții laterali va fi redusă la minimum, în timp ce tipul de creștere (c-facet) va fi stabilizat și cultivat pentru o perioadă de timp arbitrară. Astfel de condiții vor fi atinse prin controlul câmpului termic din jurul cristalului în creștere. Bolul va ajunge la forma sa finală prin adaptarea la câmpul termic și nu își va lua obiceiul de echilibru. (Romanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Cieľom tohto projektu je vyvinúť univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho kryštálového tvaru v raste kryštálov nitridu gália (GaN) z fázy pary. V súčasnosti sa priemer kryštalizovanej GaN časom znižuje. Výsledky projektu by mali umožniť ukladanie hrubých monokryštalických GaN boulov s rovnomerným alebo rozširujúcim sa priemerom. Kryštalizačný proces sa bude vykonávať na c-plane natívneho semena GaN. Na tento účel je potrebná presná kontrola presýtenia na rastúcom povrchu kryštálu. Supersýtosť by sa mala znížiť na okrajoch a bočných stenách rastúceho kryštálu. Týmto spôsobom adsorpcia rastového druhu na bočných stenách bude minimalizovaná, zatiaľ čo rastový chlap (c-facet) sa stabilizuje a vyrastie na ľubovoľné časové obdobie. Takéto podmienky sa dosiahnu reguláciou tepelného poľa okolo rastúceho kryštálu. Guľa dosiahne svoj konečný tvar prispôsobením sa tepelnému poľu a nebude mať svoj rovnovážny zvyk. (Slovak) | |||||||||||||||
| Property / summary: Cieľom tohto projektu je vyvinúť univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho kryštálového tvaru v raste kryštálov nitridu gália (GaN) z fázy pary. V súčasnosti sa priemer kryštalizovanej GaN časom znižuje. Výsledky projektu by mali umožniť ukladanie hrubých monokryštalických GaN boulov s rovnomerným alebo rozširujúcim sa priemerom. Kryštalizačný proces sa bude vykonávať na c-plane natívneho semena GaN. Na tento účel je potrebná presná kontrola presýtenia na rastúcom povrchu kryštálu. Supersýtosť by sa mala znížiť na okrajoch a bočných stenách rastúceho kryštálu. Týmto spôsobom adsorpcia rastového druhu na bočných stenách bude minimalizovaná, zatiaľ čo rastový chlap (c-facet) sa stabilizuje a vyrastie na ľubovoľné časové obdobie. Takéto podmienky sa dosiahnu reguláciou tepelného poľa okolo rastúceho kryštálu. Guľa dosiahne svoj konečný tvar prispôsobením sa tepelnému poľu a nebude mať svoj rovnovážny zvyk. (Slovak) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Cieľom tohto projektu je vyvinúť univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho kryštálového tvaru v raste kryštálov nitridu gália (GaN) z fázy pary. V súčasnosti sa priemer kryštalizovanej GaN časom znižuje. Výsledky projektu by mali umožniť ukladanie hrubých monokryštalických GaN boulov s rovnomerným alebo rozširujúcim sa priemerom. Kryštalizačný proces sa bude vykonávať na c-plane natívneho semena GaN. Na tento účel je potrebná presná kontrola presýtenia na rastúcom povrchu kryštálu. Supersýtosť by sa mala znížiť na okrajoch a bočných stenách rastúceho kryštálu. Týmto spôsobom adsorpcia rastového druhu na bočných stenách bude minimalizovaná, zatiaľ čo rastový chlap (c-facet) sa stabilizuje a vyrastie na ľubovoľné časové obdobie. Takéto podmienky sa dosiahnu reguláciou tepelného poľa okolo rastúceho kryštálu. Guľa dosiahne svoj konečný tvar prispôsobením sa tepelnému poľu a nebude mať svoj rovnovážny zvyk. (Slovak) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
L-għan ta ‘dan il-proġett huwa li jiġi żviluppat proċess universali biex tingħeleb il-forma tal-kristall tal-ekwilibriju fit-tkabbir tal-kristall tan-nitrur tal-gallju (GaN) mill-fażi tal-fwar. Bħalissa, id-dijametru tal-GaN kristallizzat jonqos fiż-żmien. Ir-riżultati tal-proġett għandhom jippermettu d-depożizzjoni ta’ boules kristallini ħoxnin GaN b’dijametru uniformi jew li jespandi. Il-proċess tal-kristallizzazzjoni se jitwettaq fuq il-pjan-c taż-żerriegħa indiġena tal-GaN. Għal dan il-għan, huwa meħtieġ kontroll preċiż tas-supersaturation fuq il-wiċċ li qed jikber tal-kristall. Is-supersaturation għandha titnaqqas fuq it-truf u l-ħitan tal-ġenb tal-kristall li qed jikber. B’dan il-mod l-assorbiment tal-ispeċi tat-tkabbir fuq il-ġnub se jiġi minimizzat, filwaqt li l-guy tat-tkabbir (c-facet) se jiġi stabbilizzat u mkabbar għal perjodu ta’ żmien arbitrarju. Kundizzjonijiet bħal dawn jinkisbu billi jiġi kkontrollat il-kamp termali madwar il-kristall li qed jikber. Il-boule jilħaq il-forma finali tiegħu billi jadatta għall-kamp termali u mhux jieħu l-vizzju tal-ekwilibriju tiegħu. (Maltese) | |||||||||||||||
| Property / summary: L-għan ta ‘dan il-proġett huwa li jiġi żviluppat proċess universali biex tingħeleb il-forma tal-kristall tal-ekwilibriju fit-tkabbir tal-kristall tan-nitrur tal-gallju (GaN) mill-fażi tal-fwar. Bħalissa, id-dijametru tal-GaN kristallizzat jonqos fiż-żmien. Ir-riżultati tal-proġett għandhom jippermettu d-depożizzjoni ta’ boules kristallini ħoxnin GaN b’dijametru uniformi jew li jespandi. Il-proċess tal-kristallizzazzjoni se jitwettaq fuq il-pjan-c taż-żerriegħa indiġena tal-GaN. Għal dan il-għan, huwa meħtieġ kontroll preċiż tas-supersaturation fuq il-wiċċ li qed jikber tal-kristall. Is-supersaturation għandha titnaqqas fuq it-truf u l-ħitan tal-ġenb tal-kristall li qed jikber. B’dan il-mod l-assorbiment tal-ispeċi tat-tkabbir fuq il-ġnub se jiġi minimizzat, filwaqt li l-guy tat-tkabbir (c-facet) se jiġi stabbilizzat u mkabbar għal perjodu ta’ żmien arbitrarju. Kundizzjonijiet bħal dawn jinkisbu billi jiġi kkontrollat il-kamp termali madwar il-kristall li qed jikber. Il-boule jilħaq il-forma finali tiegħu billi jadatta għall-kamp termali u mhux jieħu l-vizzju tal-ekwilibriju tiegħu. (Maltese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: L-għan ta ‘dan il-proġett huwa li jiġi żviluppat proċess universali biex tingħeleb il-forma tal-kristall tal-ekwilibriju fit-tkabbir tal-kristall tan-nitrur tal-gallju (GaN) mill-fażi tal-fwar. Bħalissa, id-dijametru tal-GaN kristallizzat jonqos fiż-żmien. Ir-riżultati tal-proġett għandhom jippermettu d-depożizzjoni ta’ boules kristallini ħoxnin GaN b’dijametru uniformi jew li jespandi. Il-proċess tal-kristallizzazzjoni se jitwettaq fuq il-pjan-c taż-żerriegħa indiġena tal-GaN. Għal dan il-għan, huwa meħtieġ kontroll preċiż tas-supersaturation fuq il-wiċċ li qed jikber tal-kristall. Is-supersaturation għandha titnaqqas fuq it-truf u l-ħitan tal-ġenb tal-kristall li qed jikber. B’dan il-mod l-assorbiment tal-ispeċi tat-tkabbir fuq il-ġnub se jiġi minimizzat, filwaqt li l-guy tat-tkabbir (c-facet) se jiġi stabbilizzat u mkabbar għal perjodu ta’ żmien arbitrarju. Kundizzjonijiet bħal dawn jinkisbu billi jiġi kkontrollat il-kamp termali madwar il-kristall li qed jikber. Il-boule jilħaq il-forma finali tiegħu billi jadatta għall-kamp termali u mhux jieħu l-vizzju tal-ekwilibriju tiegħu. (Maltese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
O objetivo deste projeto é desenvolver um processo universal para superar a forma cristalina de equilíbrio no crescimento de nitreto de gálio (GaN) a partir da fase de vapor. Atualmente, o diâmetro do GaN cristalizado diminui com o tempo. Os resultados do projeto devem permitir a deposição de boules de GaN monocristalinos espessos com um diâmetro uniforme ou em expansão. O processo de cristalização será realizado no plano C das sementes de GaN nativas. Para o efeito, é necessário um controlo preciso da supersaturação na superfície de crescimento do cristal. A supersaturação deve ser reduzida nas bordas e paredes laterais do cristal em crescimento. Desta forma, a adsorção das espécies de crescimento nas paredes laterais será minimizada, enquanto o indivíduo de crescimento (faceta c) será estabilizado e crescido por um período de tempo arbitrário. Tais condições serão alcançadas através do controlo do campo térmico em torno do cristal em crescimento. O boule vai atingir a sua forma final, adaptando-se ao campo térmico e não assumir o seu hábito de equilíbrio. (Portuguese) | |||||||||||||||
| Property / summary: O objetivo deste projeto é desenvolver um processo universal para superar a forma cristalina de equilíbrio no crescimento de nitreto de gálio (GaN) a partir da fase de vapor. Atualmente, o diâmetro do GaN cristalizado diminui com o tempo. Os resultados do projeto devem permitir a deposição de boules de GaN monocristalinos espessos com um diâmetro uniforme ou em expansão. O processo de cristalização será realizado no plano C das sementes de GaN nativas. Para o efeito, é necessário um controlo preciso da supersaturação na superfície de crescimento do cristal. A supersaturação deve ser reduzida nas bordas e paredes laterais do cristal em crescimento. Desta forma, a adsorção das espécies de crescimento nas paredes laterais será minimizada, enquanto o indivíduo de crescimento (faceta c) será estabilizado e crescido por um período de tempo arbitrário. Tais condições serão alcançadas através do controlo do campo térmico em torno do cristal em crescimento. O boule vai atingir a sua forma final, adaptando-se ao campo térmico e não assumir o seu hábito de equilíbrio. (Portuguese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: O objetivo deste projeto é desenvolver um processo universal para superar a forma cristalina de equilíbrio no crescimento de nitreto de gálio (GaN) a partir da fase de vapor. Atualmente, o diâmetro do GaN cristalizado diminui com o tempo. Os resultados do projeto devem permitir a deposição de boules de GaN monocristalinos espessos com um diâmetro uniforme ou em expansão. O processo de cristalização será realizado no plano C das sementes de GaN nativas. Para o efeito, é necessário um controlo preciso da supersaturação na superfície de crescimento do cristal. A supersaturação deve ser reduzida nas bordas e paredes laterais do cristal em crescimento. Desta forma, a adsorção das espécies de crescimento nas paredes laterais será minimizada, enquanto o indivíduo de crescimento (faceta c) será estabilizado e crescido por um período de tempo arbitrário. Tais condições serão alcançadas através do controlo do campo térmico em torno do cristal em crescimento. O boule vai atingir a sua forma final, adaptando-se ao campo térmico e não assumir o seu hábito de equilíbrio. (Portuguese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Hankkeen tavoitteena on kehittää universaali prosessi galliumnitridin (GaN) kristallinmuodostuksen tasapainottamiseksi höyryfaasista. Tällä hetkellä kiteytetyn GaN: n halkaisija pienenee ajassa. Hankkeen tulosten pitäisi mahdollistaa paksujen yksikiteisten GaN-rullien laskeuma, joiden halkaisija on tasainen tai laajeneva. Kiteyttämisprosessi suoritetaan natiivien GaN-siementen c-tasolle. Tätä varten tarvitaan tarkkaa supersaturaatiota kristallin kasvavalla pinnalla. Supersaturaatiota tulisi vähentää kasvavan kristallin reunoilla ja sivuseinillä. Näin kasvulajin adsorptio sivuseinillä minimoidaan, kun taas kasvukaveri (c-facet) vakautetaan ja kasvatetaan mielivaltaiseksi ajanjaksoksi. Tällaiset olosuhteet saavutetaan ohjaamalla lämpökenttää kasvavan kristallin ympärillä. Boule saavuttaa lopullisen muotonsa sopeutumalla lämpökenttään eikä ota tasapainoa. (Finnish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeen tavoitteena on kehittää universaali prosessi galliumnitridin (GaN) kristallinmuodostuksen tasapainottamiseksi höyryfaasista. Tällä hetkellä kiteytetyn GaN: n halkaisija pienenee ajassa. Hankkeen tulosten pitäisi mahdollistaa paksujen yksikiteisten GaN-rullien laskeuma, joiden halkaisija on tasainen tai laajeneva. Kiteyttämisprosessi suoritetaan natiivien GaN-siementen c-tasolle. Tätä varten tarvitaan tarkkaa supersaturaatiota kristallin kasvavalla pinnalla. Supersaturaatiota tulisi vähentää kasvavan kristallin reunoilla ja sivuseinillä. Näin kasvulajin adsorptio sivuseinillä minimoidaan, kun taas kasvukaveri (c-facet) vakautetaan ja kasvatetaan mielivaltaiseksi ajanjaksoksi. Tällaiset olosuhteet saavutetaan ohjaamalla lämpökenttää kasvavan kristallin ympärillä. Boule saavuttaa lopullisen muotonsa sopeutumalla lämpökenttään eikä ota tasapainoa. (Finnish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeen tavoitteena on kehittää universaali prosessi galliumnitridin (GaN) kristallinmuodostuksen tasapainottamiseksi höyryfaasista. Tällä hetkellä kiteytetyn GaN: n halkaisija pienenee ajassa. Hankkeen tulosten pitäisi mahdollistaa paksujen yksikiteisten GaN-rullien laskeuma, joiden halkaisija on tasainen tai laajeneva. Kiteyttämisprosessi suoritetaan natiivien GaN-siementen c-tasolle. Tätä varten tarvitaan tarkkaa supersaturaatiota kristallin kasvavalla pinnalla. Supersaturaatiota tulisi vähentää kasvavan kristallin reunoilla ja sivuseinillä. Näin kasvulajin adsorptio sivuseinillä minimoidaan, kun taas kasvukaveri (c-facet) vakautetaan ja kasvatetaan mielivaltaiseksi ajanjaksoksi. Tällaiset olosuhteet saavutetaan ohjaamalla lämpökenttää kasvavan kristallin ympärillä. Boule saavuttaa lopullisen muotonsa sopeutumalla lämpökenttään eikä ota tasapainoa. (Finnish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Cilj tega projekta je razviti univerzalni proces za premagovanje ravnotežne kristalne oblike v rasti kristalov galijevega nitrida (GaN) iz faze pare. Trenutno se premer kristaliziranega GaN zmanjšuje v času. Rezultati projekta morajo omogočati odlaganje debelih posameznih kristalnih GaN bulov z enotnim ali raztegljivim premerom. Postopek kristalizacije se bo izvajal na ravnini c avtohtonega semena GaN. V ta namen je potreben natančen nadzor nadnasičenosti na rastni površini kristala. Nadnasičenost je treba zmanjšati na robovih in stranskih stenah rastočega kristala. Na ta način se bo zmanjšala adsorpcija rastnih vrst na bočnicah, medtem ko bo rastni fant (c-facet) stabiliziran in vzgojen za poljubno časovno obdobje. Takšni pogoji bodo doseženi z nadzorovanjem toplotnega polja okoli rastočega kristala. Bul bo dosegel svojo končno obliko tako, da se bo prilagodil na termično polje in ne bo prevzel njegove ravnovesne navade. (Slovenian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Cilj tega projekta je razviti univerzalni proces za premagovanje ravnotežne kristalne oblike v rasti kristalov galijevega nitrida (GaN) iz faze pare. Trenutno se premer kristaliziranega GaN zmanjšuje v času. Rezultati projekta morajo omogočati odlaganje debelih posameznih kristalnih GaN bulov z enotnim ali raztegljivim premerom. Postopek kristalizacije se bo izvajal na ravnini c avtohtonega semena GaN. V ta namen je potreben natančen nadzor nadnasičenosti na rastni površini kristala. Nadnasičenost je treba zmanjšati na robovih in stranskih stenah rastočega kristala. Na ta način se bo zmanjšala adsorpcija rastnih vrst na bočnicah, medtem ko bo rastni fant (c-facet) stabiliziran in vzgojen za poljubno časovno obdobje. Takšni pogoji bodo doseženi z nadzorovanjem toplotnega polja okoli rastočega kristala. Bul bo dosegel svojo končno obliko tako, da se bo prilagodil na termično polje in ne bo prevzel njegove ravnovesne navade. (Slovenian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Cilj tega projekta je razviti univerzalni proces za premagovanje ravnotežne kristalne oblike v rasti kristalov galijevega nitrida (GaN) iz faze pare. Trenutno se premer kristaliziranega GaN zmanjšuje v času. Rezultati projekta morajo omogočati odlaganje debelih posameznih kristalnih GaN bulov z enotnim ali raztegljivim premerom. Postopek kristalizacije se bo izvajal na ravnini c avtohtonega semena GaN. V ta namen je potreben natančen nadzor nadnasičenosti na rastni površini kristala. Nadnasičenost je treba zmanjšati na robovih in stranskih stenah rastočega kristala. Na ta način se bo zmanjšala adsorpcija rastnih vrst na bočnicah, medtem ko bo rastni fant (c-facet) stabiliziran in vzgojen za poljubno časovno obdobje. Takšni pogoji bodo doseženi z nadzorovanjem toplotnega polja okoli rastočega kristala. Bul bo dosegel svojo končno obliko tako, da se bo prilagodil na termično polje in ne bo prevzel njegove ravnovesne navade. (Slovenian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Cílem tohoto projektu je vyvinout univerzální proces pro překonání rovnovážného krystalického tvaru v růstu krystalu gallium nitridu (GaN) z fáze páry. V současné době se průměr krystalizovaného GaN snižuje v čase. Výsledky projektu by měly umožnit ukládání silných jednoduchých krystalických kuliček GaN s rovnoměrným nebo rozšiřujícím průměrem. Krystalizační proces se provede na c-ploše rodného semene GaN. Pro tento účel je nutná přesná kontrola supersaturace na rostoucím povrchu krystalu. Supersaturace by měla být snížena na okrajích a bočnic rostoucího krystalu. Tímto způsobem bude adsorpce růstových druhů na bočnicách minimalizována, zatímco růstový člověk (c-facet) bude stabilizován a vypěstován na libovolné časové období. Těchto podmínek bude dosaženo kontrolou tepelného pole kolem rostoucího krystalu. Boule dosáhne svého konečného tvaru tím, že se přizpůsobí tepelnému poli a nevezme si svůj rovnovážný zvyk. (Czech) | |||||||||||||||
| Property / summary: Cílem tohoto projektu je vyvinout univerzální proces pro překonání rovnovážného krystalického tvaru v růstu krystalu gallium nitridu (GaN) z fáze páry. V současné době se průměr krystalizovaného GaN snižuje v čase. Výsledky projektu by měly umožnit ukládání silných jednoduchých krystalických kuliček GaN s rovnoměrným nebo rozšiřujícím průměrem. Krystalizační proces se provede na c-ploše rodného semene GaN. Pro tento účel je nutná přesná kontrola supersaturace na rostoucím povrchu krystalu. Supersaturace by měla být snížena na okrajích a bočnic rostoucího krystalu. Tímto způsobem bude adsorpce růstových druhů na bočnicách minimalizována, zatímco růstový člověk (c-facet) bude stabilizován a vypěstován na libovolné časové období. Těchto podmínek bude dosaženo kontrolou tepelného pole kolem rostoucího krystalu. Boule dosáhne svého konečného tvaru tím, že se přizpůsobí tepelnému poli a nevezme si svůj rovnovážný zvyk. (Czech) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Cílem tohoto projektu je vyvinout univerzální proces pro překonání rovnovážného krystalického tvaru v růstu krystalu gallium nitridu (GaN) z fáze páry. V současné době se průměr krystalizovaného GaN snižuje v čase. Výsledky projektu by měly umožnit ukládání silných jednoduchých krystalických kuliček GaN s rovnoměrným nebo rozšiřujícím průměrem. Krystalizační proces se provede na c-ploše rodného semene GaN. Pro tento účel je nutná přesná kontrola supersaturace na rostoucím povrchu krystalu. Supersaturace by měla být snížena na okrajích a bočnic rostoucího krystalu. Tímto způsobem bude adsorpce růstových druhů na bočnicách minimalizována, zatímco růstový člověk (c-facet) bude stabilizován a vypěstován na libovolné časové období. Těchto podmínek bude dosaženo kontrolou tepelného pole kolem rostoucího krystalu. Boule dosáhne svého konečného tvaru tím, že se přizpůsobí tepelnému poli a nevezme si svůj rovnovážný zvyk. (Czech) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Šio projekto tikslas – sukurti universalų procesą, kaip įveikti pusiausvyros kristalų formą galio nitrido (GaN) kristalų augimui iš garų fazės. Šiuo metu kristalizuoto GaN skersmuo laikui bėgant mažėja. Projekto rezultatai turėtų leisti nusodinti storus vieno kristalinio GaN ruošinius, kurių skersmuo yra vienodas arba plečiamas. Kristalizacijos procesas bus atliekamas ant C-plane gimtosios GaN sėklos. Šiuo tikslu būtina tiksliai kontroliuoti besiplečiantį kristalo paviršių. Persotinimas turėtų būti sumažintas ant augančio kristalo kraštų ir šoninių sienelių. Tokiu būdu augimo rūšių adsorbcija ant šoninių sienelių bus sumažinta, o augimo vaikinas (c-facet) bus stabilizuotas ir išaugs savavališkai. Tokios sąlygos bus pasiektos kontroliuojant šiluminį lauką aplink augantį kristalą. Ruošinys pasieks savo galutinę formą prisitaikant prie šiluminio lauko, o ne jo pusiausvyros įpročio. (Lithuanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Šio projekto tikslas – sukurti universalų procesą, kaip įveikti pusiausvyros kristalų formą galio nitrido (GaN) kristalų augimui iš garų fazės. Šiuo metu kristalizuoto GaN skersmuo laikui bėgant mažėja. Projekto rezultatai turėtų leisti nusodinti storus vieno kristalinio GaN ruošinius, kurių skersmuo yra vienodas arba plečiamas. Kristalizacijos procesas bus atliekamas ant C-plane gimtosios GaN sėklos. Šiuo tikslu būtina tiksliai kontroliuoti besiplečiantį kristalo paviršių. Persotinimas turėtų būti sumažintas ant augančio kristalo kraštų ir šoninių sienelių. Tokiu būdu augimo rūšių adsorbcija ant šoninių sienelių bus sumažinta, o augimo vaikinas (c-facet) bus stabilizuotas ir išaugs savavališkai. Tokios sąlygos bus pasiektos kontroliuojant šiluminį lauką aplink augantį kristalą. Ruošinys pasieks savo galutinę formą prisitaikant prie šiluminio lauko, o ne jo pusiausvyros įpročio. (Lithuanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Šio projekto tikslas – sukurti universalų procesą, kaip įveikti pusiausvyros kristalų formą galio nitrido (GaN) kristalų augimui iš garų fazės. Šiuo metu kristalizuoto GaN skersmuo laikui bėgant mažėja. Projekto rezultatai turėtų leisti nusodinti storus vieno kristalinio GaN ruošinius, kurių skersmuo yra vienodas arba plečiamas. Kristalizacijos procesas bus atliekamas ant C-plane gimtosios GaN sėklos. Šiuo tikslu būtina tiksliai kontroliuoti besiplečiantį kristalo paviršių. Persotinimas turėtų būti sumažintas ant augančio kristalo kraštų ir šoninių sienelių. Tokiu būdu augimo rūšių adsorbcija ant šoninių sienelių bus sumažinta, o augimo vaikinas (c-facet) bus stabilizuotas ir išaugs savavališkai. Tokios sąlygos bus pasiektos kontroliuojant šiluminį lauką aplink augantį kristalą. Ruošinys pasieks savo galutinę formą prisitaikant prie šiluminio lauko, o ne jo pusiausvyros įpročio. (Lithuanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Šī projekta mērķis ir izstrādāt universālu procesu, lai pārvarētu līdzsvara kristāla formu gallija nitrīda (GaN) kristāla augšanu no tvaika fāzes. Pašlaik kristalizētā GaN diametrs samazinās laikā. Projekta rezultātiem jāļauj nogulsnēties biezas atsevišķas kristāliskas GaN bules ar viendabīgu vai paplašinātu diametru. Kristalizācijas process tiks veikts ar vietējo GaN sēklu c-plakni. Šim nolūkam ir nepieciešama precīza supersaturācijas kontrole uz kristāla augšanas virsmas. Supersaturācija jāsamazina uz augošā kristāla malām un sānsienām. Tādā veidā augšanas sugu adsorbcija uz sāniem tiks samazināta līdz minimumam, bet augšanas puisis (c-facet) tiks stabilizēts un izaudzēts uz patvaļīgu laika periodu. Šādi apstākļi tiks sasniegti, kontrolējot siltuma lauku ap augošo kristālu. Buļļa gala formu sasniegs, pielāgojoties termiskajam laukam un neizmantojot savu līdzsvara paradumu. (Latvian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Šī projekta mērķis ir izstrādāt universālu procesu, lai pārvarētu līdzsvara kristāla formu gallija nitrīda (GaN) kristāla augšanu no tvaika fāzes. Pašlaik kristalizētā GaN diametrs samazinās laikā. Projekta rezultātiem jāļauj nogulsnēties biezas atsevišķas kristāliskas GaN bules ar viendabīgu vai paplašinātu diametru. Kristalizācijas process tiks veikts ar vietējo GaN sēklu c-plakni. Šim nolūkam ir nepieciešama precīza supersaturācijas kontrole uz kristāla augšanas virsmas. Supersaturācija jāsamazina uz augošā kristāla malām un sānsienām. Tādā veidā augšanas sugu adsorbcija uz sāniem tiks samazināta līdz minimumam, bet augšanas puisis (c-facet) tiks stabilizēts un izaudzēts uz patvaļīgu laika periodu. Šādi apstākļi tiks sasniegti, kontrolējot siltuma lauku ap augošo kristālu. Buļļa gala formu sasniegs, pielāgojoties termiskajam laukam un neizmantojot savu līdzsvara paradumu. (Latvian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Šī projekta mērķis ir izstrādāt universālu procesu, lai pārvarētu līdzsvara kristāla formu gallija nitrīda (GaN) kristāla augšanu no tvaika fāzes. Pašlaik kristalizētā GaN diametrs samazinās laikā. Projekta rezultātiem jāļauj nogulsnēties biezas atsevišķas kristāliskas GaN bules ar viendabīgu vai paplašinātu diametru. Kristalizācijas process tiks veikts ar vietējo GaN sēklu c-plakni. Šim nolūkam ir nepieciešama precīza supersaturācijas kontrole uz kristāla augšanas virsmas. Supersaturācija jāsamazina uz augošā kristāla malām un sānsienām. Tādā veidā augšanas sugu adsorbcija uz sāniem tiks samazināta līdz minimumam, bet augšanas puisis (c-facet) tiks stabilizēts un izaudzēts uz patvaļīgu laika periodu. Šādi apstākļi tiks sasniegti, kontrolējot siltuma lauku ap augošo kristālu. Buļļa gala formu sasniegs, pielāgojoties termiskajam laukam un neizmantojot savu līdzsvara paradumu. (Latvian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Целта на този проект е да се разработи универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в растежа на кристалния галиев нитрид (GaN) от парната фаза. В момента диаметърът на кристализирания GaN намалява във времето. Резултатите от проекта трябва да позволяват отлагане на дебели единични кристални GaN топки с еднакъв или разширяващ се диаметър. Процесът на кристализация ще се извършва върху с-равнище на родния GaN семена. За тази цел е необходим прецизен контрол на свръхнасищането върху растящата повърхност на кристала. Свръхнасищането трябва да бъде намалено по краищата и страничните стени на растящия кристал. По този начин адсорбцията на видовете растеж на страничните стени ще бъде сведена до минимум, докато растежният тип (c-facet) ще бъде стабилизиран и отглеждан за произволен период от време. Такива условия ще бъдат постигнати чрез контролиране на топлинното поле около растящия кристал. Топката ще достигне окончателната си форма, като се адаптира към топлинното поле и не приема своя навик на равновесие. (Bulgarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Целта на този проект е да се разработи универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в растежа на кристалния галиев нитрид (GaN) от парната фаза. В момента диаметърът на кристализирания GaN намалява във времето. Резултатите от проекта трябва да позволяват отлагане на дебели единични кристални GaN топки с еднакъв или разширяващ се диаметър. Процесът на кристализация ще се извършва върху с-равнище на родния GaN семена. За тази цел е необходим прецизен контрол на свръхнасищането върху растящата повърхност на кристала. Свръхнасищането трябва да бъде намалено по краищата и страничните стени на растящия кристал. По този начин адсорбцията на видовете растеж на страничните стени ще бъде сведена до минимум, докато растежният тип (c-facet) ще бъде стабилизиран и отглеждан за произволен период от време. Такива условия ще бъдат постигнати чрез контролиране на топлинното поле около растящия кристал. Топката ще достигне окончателната си форма, като се адаптира към топлинното поле и не приема своя навик на равновесие. (Bulgarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Целта на този проект е да се разработи универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в растежа на кристалния галиев нитрид (GaN) от парната фаза. В момента диаметърът на кристализирания GaN намалява във времето. Резултатите от проекта трябва да позволяват отлагане на дебели единични кристални GaN топки с еднакъв или разширяващ се диаметър. Процесът на кристализация ще се извършва върху с-равнище на родния GaN семена. За тази цел е необходим прецизен контрол на свръхнасищането върху растящата повърхност на кристала. Свръхнасищането трябва да бъде намалено по краищата и страничните стени на растящия кристал. По този начин адсорбцията на видовете растеж на страничните стени ще бъде сведена до минимум, докато растежният тип (c-facet) ще бъде стабилизиран и отглеждан за произволен период от време. Такива условия ще бъдат постигнати чрез контролиране на топлинното поле около растящия кристал. Топката ще достигне окончателната си форма, като се адаптира към топлинното поле и не приема своя навик на равновесие. (Bulgarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A projekt célja egy univerzális folyamat kidolgozása az egyensúlyi kristály alakjának leküzdésére gallium-nitrid (GaN) kristályban a gőzfázisból. Jelenleg a kristályos GaN átmérője idővel csökken. A projekt eredményeinek lehetővé kell tenniük az egységes vagy táguló átmérőjű vastag, egykristályos GaN boulák lerakódását. A kristályosítási folyamatot a natív GaN magok c-síkján végzik. Ehhez a kristály növekvő felületén a túltelítettség pontos szabályozására van szükség. A túltelítettséget csökkenteni kell a növekvő kristály szélein és oldalfalain. Ily módon az oldalfalakon lévő növekedési fajok adszorpciója minimálisra csökken, míg a növekedési srác (c-facet) tetszőleges időtartamra stabilizálódik és kinő. Ezeket a feltételeket úgy érik el, hogy ellenőrzik a termikus mezőt a növekvő kristály körül. A boule úgy éri el végső formáját, hogy alkalmazkodik a termikus mezőhöz, és nem veszi figyelembe az egyensúlyi szokását. (Hungarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: A projekt célja egy univerzális folyamat kidolgozása az egyensúlyi kristály alakjának leküzdésére gallium-nitrid (GaN) kristályban a gőzfázisból. Jelenleg a kristályos GaN átmérője idővel csökken. A projekt eredményeinek lehetővé kell tenniük az egységes vagy táguló átmérőjű vastag, egykristályos GaN boulák lerakódását. A kristályosítási folyamatot a natív GaN magok c-síkján végzik. Ehhez a kristály növekvő felületén a túltelítettség pontos szabályozására van szükség. A túltelítettséget csökkenteni kell a növekvő kristály szélein és oldalfalain. Ily módon az oldalfalakon lévő növekedési fajok adszorpciója minimálisra csökken, míg a növekedési srác (c-facet) tetszőleges időtartamra stabilizálódik és kinő. Ezeket a feltételeket úgy érik el, hogy ellenőrzik a termikus mezőt a növekvő kristály körül. A boule úgy éri el végső formáját, hogy alkalmazkodik a termikus mezőhöz, és nem veszi figyelembe az egyensúlyi szokását. (Hungarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A projekt célja egy univerzális folyamat kidolgozása az egyensúlyi kristály alakjának leküzdésére gallium-nitrid (GaN) kristályban a gőzfázisból. Jelenleg a kristályos GaN átmérője idővel csökken. A projekt eredményeinek lehetővé kell tenniük az egységes vagy táguló átmérőjű vastag, egykristályos GaN boulák lerakódását. A kristályosítási folyamatot a natív GaN magok c-síkján végzik. Ehhez a kristály növekvő felületén a túltelítettség pontos szabályozására van szükség. A túltelítettséget csökkenteni kell a növekvő kristály szélein és oldalfalain. Ily módon az oldalfalakon lévő növekedési fajok adszorpciója minimálisra csökken, míg a növekedési srác (c-facet) tetszőleges időtartamra stabilizálódik és kinő. Ezeket a feltételeket úgy érik el, hogy ellenőrzik a termikus mezőt a növekvő kristály körül. A boule úgy éri el végső formáját, hogy alkalmazkodik a termikus mezőhöz, és nem veszi figyelembe az egyensúlyi szokását. (Hungarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Is é sprioc an tionscadail seo próiseas uilíoch a fhorbairt chun an cruth criostail cothromaíochta a shárú i bhfás criostail nítríde gallium (GaN) ón gcéim ghal. Faoi láthair, laghdaíonn trastomhas GaN criostalaithe in am. Ba chóir go gceadódh torthaí an tionscadail sil-chriostalach tiubh GaN boules le trastomhas aonfhoirmeach nó ag leathnú. Déanfar próiseas criostalaithe ar phlána síolta GaN dúchais. Chun na críche sin, tá gá le rialú beacht supersaturation ar dhromchla fáis an chriostail. Ba chóir an supersaturation a laghdú ar imill agus ar bhallaí taobh an criostail atá ag fás. Déanfar an bealach seo asaithe ar an speiceas fáis ar na ballaí taobh a íoslaghdú, agus beidh an Guy fáis (c-facet) a chobhsú agus a fhás amach ar feadh tréimhse ama treallach. Bainfear na coinníollacha sin amach tríd an réimse teirmeach a rialú ar fud an criostail atá ag fás. Beidh an boule teacht ar a cruth deiridh ag dul in oiriúint don réimse teirmeach agus ní a ghlacadh ar a nós cothromaíochta. (Irish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Is é sprioc an tionscadail seo próiseas uilíoch a fhorbairt chun an cruth criostail cothromaíochta a shárú i bhfás criostail nítríde gallium (GaN) ón gcéim ghal. Faoi láthair, laghdaíonn trastomhas GaN criostalaithe in am. Ba chóir go gceadódh torthaí an tionscadail sil-chriostalach tiubh GaN boules le trastomhas aonfhoirmeach nó ag leathnú. Déanfar próiseas criostalaithe ar phlána síolta GaN dúchais. Chun na críche sin, tá gá le rialú beacht supersaturation ar dhromchla fáis an chriostail. Ba chóir an supersaturation a laghdú ar imill agus ar bhallaí taobh an criostail atá ag fás. Déanfar an bealach seo asaithe ar an speiceas fáis ar na ballaí taobh a íoslaghdú, agus beidh an Guy fáis (c-facet) a chobhsú agus a fhás amach ar feadh tréimhse ama treallach. Bainfear na coinníollacha sin amach tríd an réimse teirmeach a rialú ar fud an criostail atá ag fás. Beidh an boule teacht ar a cruth deiridh ag dul in oiriúint don réimse teirmeach agus ní a ghlacadh ar a nós cothromaíochta. (Irish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Is é sprioc an tionscadail seo próiseas uilíoch a fhorbairt chun an cruth criostail cothromaíochta a shárú i bhfás criostail nítríde gallium (GaN) ón gcéim ghal. Faoi láthair, laghdaíonn trastomhas GaN criostalaithe in am. Ba chóir go gceadódh torthaí an tionscadail sil-chriostalach tiubh GaN boules le trastomhas aonfhoirmeach nó ag leathnú. Déanfar próiseas criostalaithe ar phlána síolta GaN dúchais. Chun na críche sin, tá gá le rialú beacht supersaturation ar dhromchla fáis an chriostail. Ba chóir an supersaturation a laghdú ar imill agus ar bhallaí taobh an criostail atá ag fás. Déanfar an bealach seo asaithe ar an speiceas fáis ar na ballaí taobh a íoslaghdú, agus beidh an Guy fáis (c-facet) a chobhsú agus a fhás amach ar feadh tréimhse ama treallach. Bainfear na coinníollacha sin amach tríd an réimse teirmeach a rialú ar fud an criostail atá ag fás. Beidh an boule teacht ar a cruth deiridh ag dul in oiriúint don réimse teirmeach agus ní a ghlacadh ar a nós cothromaíochta. (Irish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Målet med detta projekt är att utveckla en universell process för att övervinna jämviktskristallformen i galliumnitrid (GaN) kristalltillväxt från ångfasen. För närvarande minskar diametern på kristalliserade GaN i tid. Resultaten av projektet bör möjliggöra avsättning av tjocka enstaka kristallina GaN-boules med en enhetlig eller expanderande diameter. Kristalliseringsprocessen kommer att utföras på c-plan av infödda GaN-frö. För detta ändamål är exakt kontroll av övermättnad på kristallens växande yta nödvändig. Övermättnad bör reduceras på kanterna och sidoväggarna på den växande kristallen. På så sätt kommer adsorption av tillväxtarter på sidoväggarna att minimeras, medan tillväxtkillen (c-facet) kommer att stabiliseras och odlas under en godtycklig tidsperiod. Sådana förhållanden kommer att uppnås genom att kontrollera det termiska fältet runt den växande kristallen. Boule kommer att nå sin slutliga form genom att anpassa sig till det termiska fältet och inte ta sin jämvikt vana. (Swedish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Målet med detta projekt är att utveckla en universell process för att övervinna jämviktskristallformen i galliumnitrid (GaN) kristalltillväxt från ångfasen. För närvarande minskar diametern på kristalliserade GaN i tid. Resultaten av projektet bör möjliggöra avsättning av tjocka enstaka kristallina GaN-boules med en enhetlig eller expanderande diameter. Kristalliseringsprocessen kommer att utföras på c-plan av infödda GaN-frö. För detta ändamål är exakt kontroll av övermättnad på kristallens växande yta nödvändig. Övermättnad bör reduceras på kanterna och sidoväggarna på den växande kristallen. På så sätt kommer adsorption av tillväxtarter på sidoväggarna att minimeras, medan tillväxtkillen (c-facet) kommer att stabiliseras och odlas under en godtycklig tidsperiod. Sådana förhållanden kommer att uppnås genom att kontrollera det termiska fältet runt den växande kristallen. Boule kommer att nå sin slutliga form genom att anpassa sig till det termiska fältet och inte ta sin jämvikt vana. (Swedish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Målet med detta projekt är att utveckla en universell process för att övervinna jämviktskristallformen i galliumnitrid (GaN) kristalltillväxt från ångfasen. För närvarande minskar diametern på kristalliserade GaN i tid. Resultaten av projektet bör möjliggöra avsättning av tjocka enstaka kristallina GaN-boules med en enhetlig eller expanderande diameter. Kristalliseringsprocessen kommer att utföras på c-plan av infödda GaN-frö. För detta ändamål är exakt kontroll av övermättnad på kristallens växande yta nödvändig. Övermättnad bör reduceras på kanterna och sidoväggarna på den växande kristallen. På så sätt kommer adsorption av tillväxtarter på sidoväggarna att minimeras, medan tillväxtkillen (c-facet) kommer att stabiliseras och odlas under en godtycklig tidsperiod. Sådana förhållanden kommer att uppnås genom att kontrollera det termiska fältet runt den växande kristallen. Boule kommer att nå sin slutliga form genom att anpassa sig till det termiska fältet och inte ta sin jämvikt vana. (Swedish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Selle projekti eesmärk on töötada välja universaalne protsess tasakaalu kristallkuju ületamiseks galliumnitriidi (GaN) kristallide kasvust aurufaasis. Praegu väheneb kristalliseeritud GaN-i läbimõõt aja jooksul. Projekti tulemused peaksid võimaldama ühtlase või laieneva läbimõõduga paksude kristalliliste GaN-kuulide sadestumist. Kristalliseerumise protsess viiakse läbi loodusliku GaNi seemne c-tasapinnal. Selleks on vaja kristalli kasvaval pinnal superküllastumise täpset kontrolli. Üleküllastumist tuleks vähendada kasvava kristalli servadel ja külgseintel. Sel viisil minimeeritakse kasvuliikide adsorptsiooni külgseintel, samal ajal kui kasvumees (c-facet) stabiliseeritakse ja kasvatatakse meelevaldseks perioodiks. Sellised tingimused saavutatakse soojusvälja kontrollimisega kasvava kristalli ümber. Kuul saavutab oma lõpliku kuju, kohanedes soojusväljaga ja ei võta oma tasakaalu harjumust. (Estonian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Selle projekti eesmärk on töötada välja universaalne protsess tasakaalu kristallkuju ületamiseks galliumnitriidi (GaN) kristallide kasvust aurufaasis. Praegu väheneb kristalliseeritud GaN-i läbimõõt aja jooksul. Projekti tulemused peaksid võimaldama ühtlase või laieneva läbimõõduga paksude kristalliliste GaN-kuulide sadestumist. Kristalliseerumise protsess viiakse läbi loodusliku GaNi seemne c-tasapinnal. Selleks on vaja kristalli kasvaval pinnal superküllastumise täpset kontrolli. Üleküllastumist tuleks vähendada kasvava kristalli servadel ja külgseintel. Sel viisil minimeeritakse kasvuliikide adsorptsiooni külgseintel, samal ajal kui kasvumees (c-facet) stabiliseeritakse ja kasvatatakse meelevaldseks perioodiks. Sellised tingimused saavutatakse soojusvälja kontrollimisega kasvava kristalli ümber. Kuul saavutab oma lõpliku kuju, kohanedes soojusväljaga ja ei võta oma tasakaalu harjumust. (Estonian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Selle projekti eesmärk on töötada välja universaalne protsess tasakaalu kristallkuju ületamiseks galliumnitriidi (GaN) kristallide kasvust aurufaasis. Praegu väheneb kristalliseeritud GaN-i läbimõõt aja jooksul. Projekti tulemused peaksid võimaldama ühtlase või laieneva läbimõõduga paksude kristalliliste GaN-kuulide sadestumist. Kristalliseerumise protsess viiakse läbi loodusliku GaNi seemne c-tasapinnal. Selleks on vaja kristalli kasvaval pinnal superküllastumise täpset kontrolli. Üleküllastumist tuleks vähendada kasvava kristalli servadel ja külgseintel. Sel viisil minimeeritakse kasvuliikide adsorptsiooni külgseintel, samal ajal kui kasvumees (c-facet) stabiliseeritakse ja kasvatatakse meelevaldseks perioodiks. Sellised tingimused saavutatakse soojusvälja kontrollimisega kasvava kristalli ümber. Kuul saavutab oma lõpliku kuju, kohanedes soojusväljaga ja ei võta oma tasakaalu harjumust. (Estonian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 26 July 2022
| |||||||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||||||
Cały Kraj | |||||||||||||||
| Property / location (string): Cały Kraj / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / priority axis | |||||||||||||||
| Property / priority axis: INCREASING RESEARCH CAPACITY / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||||||
100.0 percent
| |||||||||||||||
| Property / co-financing rate: 100.0 percent / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E / qualifier | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Trójmiejski / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / thematic objective | |||||||||||||||
| Property / thematic objective: Research and innovation / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / end time | |||||||||||||||
30 June 2022
| |||||||||||||||
| Property / end time: 30 June 2022 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / date of last update | |||||||||||||||
6 July 2023
| |||||||||||||||
| Property / date of last update: 6 July 2023 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
Latest revision as of 22:03, 12 October 2024
Project Q84341 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase |
Project Q84341 in Poland |
Statements
3,442,573.65 zloty
0 references
3,442,573.65 zloty
0 references
100.0 percent
0 references
1 October 2018
0 references
30 June 2022
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
The goal of this project is to develop a universal process for overcoming the equilibrium crystal shape in gallium nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of crystallized GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallization process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimized, while the growth facet (c-facet) will be stabilized and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (Polish)
0 references
The goal of this project is to develop a universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in gallium Nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of Crystallised GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallisation process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimised, while the growth guy (c-facet) will be stabilised and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (English)
14 October 2020
0.6714797238851047
0 references
L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme du cristal d’équilibre dans la croissance du cristal de gallium (GaN) à partir de la phase de vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules GaN simples cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur plan c de graines indigènes de GaN. À cette fin, un contrôle précis de la sursaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La sursaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption des espèces de croissance sur les parois latérales sera minimisée, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et cultivé pour une période de temps arbitraire. De telles conditions seront atteintes en contrôlant le champ thermique autour du cristal de croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French)
30 November 2021
0 references
Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boules mit einem gleichmäßigen oder expandierenden Durchmesser ermöglichen. Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene von nativem GaN-Samen durchgeführt. Zu diesem Zweck ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Rändern und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsarten an den Seitenwänden minimiert, während der Wachstumstyp (c-facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Kontrolle des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Der Boule wird seine endgültige Form erreichen, indem er sich an das thermische Feld anpasst und nicht seine Gleichgewichtsgewohnheit nimmt. (German)
7 December 2021
0 references
Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in galliumnitride (GaN) kristalgroei uit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkelkristallijne GaN-boules met een uniforme of uitbreidende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vlak van inheemse GaN zaad. Voor dit doel is een nauwkeurige controle van de superverzadiging op het groeiende oppervlak van het kristal nodig. De oververzadiging moet worden verminderd aan de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoorten op de zijwanden worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) voor een willekeurige periode zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid. Dergelijke omstandigheden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te controleren. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermisch veld en zijn evenwichtsgewoonte niet aan te nemen. (Dutch)
16 December 2021
0 references
L'obiettivo di questo progetto è quello di sviluppare un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita del nitruro di gallio (GaN) dalla fase del vapore. Attualmente, il diametro del GaN cristallizzato diminuisce nel tempo. I risultati del progetto dovrebbero consentire la deposizione di spesse boule monocristallino GaN con un diametro uniforme o in espansione. Il processo di cristallizzazione sarà effettuato su un piano c di semi nativi di GaN. A questo scopo, è necessario un controllo preciso della sovrasaturazione sulla superficie di crescita del cristallo. La sovrasaturazione dovrebbe essere ridotta sui bordi e sui fianchi del cristallo in crescita. In questo modo l'adsorbimento delle specie di crescita sui fianchi sarà ridotto al minimo, mentre il ragazzo della crescita (c-facet) sarà stabilizzato e cresciuto per un periodo di tempo arbitrario. Tali condizioni saranno ottenute controllando il campo termico intorno al cristallo in crescita. Il boule raggiungerà la sua forma finale adattandosi al campo termico e non assumerà la sua abitudine di equilibrio. (Italian)
16 January 2022
0 references
El objetivo de este proyecto es desarrollar un proceso universal para superar la forma cristalina de equilibrio en el crecimiento de cristal de nitruro de galio (GaN) desde la fase de vapor. Actualmente, el diámetro de GaN cristalizado disminuye en el tiempo. Los resultados del proyecto deben permitir la deposición de gruesas bolas cristalinas GaN con un diámetro uniforme o en expansión. El proceso de cristalización se llevará a cabo en el plano c de semillas nativas de GaN. Para este propósito, es necesario un control preciso de la supersaturación en la superficie de crecimiento del cristal. La supersaturación debe reducirse en los bordes y paredes laterales del cristal en crecimiento. De esta manera se minimizará la adsorción de las especies de crecimiento en las paredes laterales, mientras que el chico de crecimiento (c-facet) se estabilizará y crecerá durante un período de tiempo arbitrario. Tales condiciones se lograrán mediante el control del campo térmico alrededor del cristal en crecimiento. La boule alcanzará su forma final adaptándose al campo térmico y no tomará su hábito de equilibrio. (Spanish)
19 January 2022
0 references
Målet med dette projekt er at udvikle en universel proces til at overvinde ligevægtskrystallformen i galliumnitrid (GaN) krystalvækst fra dampfasen. I øjeblikket falder diameteren af krystalliseret GaN i tide. Resultaterne af projektet bør muliggøre aflejring af tykke enkeltkrystalske GaN boules med en ensartet eller ekspanderende diameter. Krystalliseringsprocessen vil blive udført på c-plan af hjemmehørende GaN frø. Til dette formål er det nødvendigt med præcis kontrol af overmætning på krystallens voksende overflade. Overmætningen bør reduceres på kanterne og sidevæggene af den voksende krystal. På denne måde vil adsorption af vækstarterne på sidevæggene blive minimeret, mens vækstfyren (c-facet) vil blive stabiliseret og dyrket i en vilkårlig periode. Sådanne betingelser vil blive opnået ved at kontrollere det termiske felt omkring den voksende krystal. Boule vil nå sin endelige form ved at tilpasse sig det termiske felt og ikke tage sin ligevægt vane. (Danish)
26 July 2022
0 references
Ο στόχος αυτού του έργου είναι να αναπτύξει μια καθολική διαδικασία για την υπέρβαση του σχήματος κρυστάλλου ισορροπίας σε νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) κρυσταλλική ανάπτυξη από τη φάση ατμών. Επί του παρόντος, η διάμετρος του κρυσταλλωμένου GaN μειώνεται στο χρόνο. Τα αποτελέσματα του έργου θα πρέπει να επιτρέπουν την εναπόθεση παχιών μονοκρυσταλλικών δακτυλίων GaN με ομοιόμορφη ή διαστελλόμενη διάμετρο. Η διαδικασία κρυστάλλωσης θα πραγματοποιηθεί σε γ-επίπεδο γηγενούς σπόρου GaN. Για το σκοπό αυτό, είναι απαραίτητος ο ακριβής έλεγχος του υπερκορεσμού στην επιφάνεια ανάπτυξης του κρυστάλλου. Ο υπερκορεσμός πρέπει να μειωθεί στις άκρες και τα πλευρικά τοιχώματα του αναπτυσσόμενου κρυστάλλου. Με αυτόν τον τρόπο η προσρόφηση των ειδών ανάπτυξης στα πλευρικά τοιχώματα θα ελαχιστοποιηθεί, ενώ ο τύπος ανάπτυξης (c-facet) θα σταθεροποιηθεί και θα αναπτυχθεί για μια αυθαίρετη χρονική περίοδο. Τέτοιες συνθήκες θα επιτευχθούν με τον έλεγχο του θερμικού πεδίου γύρω από τον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Το boule θα φτάσει στο τελικό σχήμα του με την προσαρμογή στο θερμικό πεδίο και δεν θα πάρει τη συνήθεια ισορροπίας του. (Greek)
26 July 2022
0 references
Cilj ovog projekta je razviti univerzalni proces za prevladavanje ravnotežnog oblika kristala u galij nitridnom (GaN) kristalnom rastu iz faze pare. Trenutno se promjer kristaliziranog GaN-a smanjuje u vremenu. Rezultati projekta trebali bi omogućiti taloženje debelih pojedinačnih kristalnih GaN blokova s ujednačenim ili proširenim promjerom. Proces kristalizacije provodit će se na c-ravnini izvornog GaN sjemena. U tu svrhu potrebna je precizna kontrola superzasićivanja na rastućoj površini kristala. Superzasićivanje treba smanjiti na rubovima i bočnim stijenkama rastućeg kristala. Na taj će se način adsorpcija vrsta rasta na bočnim stijenkama svesti na najmanju moguću mjeru, dok će se tip rasta (c-facet) stabilizirati i izrasti za proizvoljno vremensko razdoblje. Takvi uvjeti će se postići kontroliranjem toplinskog polja oko rastućeg kristala. Boula će doći do svog konačnog oblika prilagođavajući se termalnom polju i ne uzima svoju ravnotežnu naviku. (Croatian)
26 July 2022
0 references
Scopul acestui proiect este de a dezvolta un proces universal de depășire a formei cristaline de echilibru în nitrură de galiu (GaN) din faza de vapori. În prezent, diametrul GaN cristalizat scade în timp. Rezultatele proiectului ar trebui să permită depunerea de boluri groase monocristaline GaN cu un diametru uniform sau în expansiune. Procesul de cristalizare va fi efectuat pe planul c al semințelor native de GaN. În acest scop, este necesar un control precis al suprasaturației pe suprafața în creștere a cristalului. Suprasaturarea trebuie redusă pe marginile și pereții laterali ai cristalului în creștere. În acest fel, adsorbția speciilor de creștere de pe pereții laterali va fi redusă la minimum, în timp ce tipul de creștere (c-facet) va fi stabilizat și cultivat pentru o perioadă de timp arbitrară. Astfel de condiții vor fi atinse prin controlul câmpului termic din jurul cristalului în creștere. Bolul va ajunge la forma sa finală prin adaptarea la câmpul termic și nu își va lua obiceiul de echilibru. (Romanian)
26 July 2022
0 references
Cieľom tohto projektu je vyvinúť univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho kryštálového tvaru v raste kryštálov nitridu gália (GaN) z fázy pary. V súčasnosti sa priemer kryštalizovanej GaN časom znižuje. Výsledky projektu by mali umožniť ukladanie hrubých monokryštalických GaN boulov s rovnomerným alebo rozširujúcim sa priemerom. Kryštalizačný proces sa bude vykonávať na c-plane natívneho semena GaN. Na tento účel je potrebná presná kontrola presýtenia na rastúcom povrchu kryštálu. Supersýtosť by sa mala znížiť na okrajoch a bočných stenách rastúceho kryštálu. Týmto spôsobom adsorpcia rastového druhu na bočných stenách bude minimalizovaná, zatiaľ čo rastový chlap (c-facet) sa stabilizuje a vyrastie na ľubovoľné časové obdobie. Takéto podmienky sa dosiahnu reguláciou tepelného poľa okolo rastúceho kryštálu. Guľa dosiahne svoj konečný tvar prispôsobením sa tepelnému poľu a nebude mať svoj rovnovážny zvyk. (Slovak)
26 July 2022
0 references
L-għan ta ‘dan il-proġett huwa li jiġi żviluppat proċess universali biex tingħeleb il-forma tal-kristall tal-ekwilibriju fit-tkabbir tal-kristall tan-nitrur tal-gallju (GaN) mill-fażi tal-fwar. Bħalissa, id-dijametru tal-GaN kristallizzat jonqos fiż-żmien. Ir-riżultati tal-proġett għandhom jippermettu d-depożizzjoni ta’ boules kristallini ħoxnin GaN b’dijametru uniformi jew li jespandi. Il-proċess tal-kristallizzazzjoni se jitwettaq fuq il-pjan-c taż-żerriegħa indiġena tal-GaN. Għal dan il-għan, huwa meħtieġ kontroll preċiż tas-supersaturation fuq il-wiċċ li qed jikber tal-kristall. Is-supersaturation għandha titnaqqas fuq it-truf u l-ħitan tal-ġenb tal-kristall li qed jikber. B’dan il-mod l-assorbiment tal-ispeċi tat-tkabbir fuq il-ġnub se jiġi minimizzat, filwaqt li l-guy tat-tkabbir (c-facet) se jiġi stabbilizzat u mkabbar għal perjodu ta’ żmien arbitrarju. Kundizzjonijiet bħal dawn jinkisbu billi jiġi kkontrollat il-kamp termali madwar il-kristall li qed jikber. Il-boule jilħaq il-forma finali tiegħu billi jadatta għall-kamp termali u mhux jieħu l-vizzju tal-ekwilibriju tiegħu. (Maltese)
26 July 2022
0 references
O objetivo deste projeto é desenvolver um processo universal para superar a forma cristalina de equilíbrio no crescimento de nitreto de gálio (GaN) a partir da fase de vapor. Atualmente, o diâmetro do GaN cristalizado diminui com o tempo. Os resultados do projeto devem permitir a deposição de boules de GaN monocristalinos espessos com um diâmetro uniforme ou em expansão. O processo de cristalização será realizado no plano C das sementes de GaN nativas. Para o efeito, é necessário um controlo preciso da supersaturação na superfície de crescimento do cristal. A supersaturação deve ser reduzida nas bordas e paredes laterais do cristal em crescimento. Desta forma, a adsorção das espécies de crescimento nas paredes laterais será minimizada, enquanto o indivíduo de crescimento (faceta c) será estabilizado e crescido por um período de tempo arbitrário. Tais condições serão alcançadas através do controlo do campo térmico em torno do cristal em crescimento. O boule vai atingir a sua forma final, adaptando-se ao campo térmico e não assumir o seu hábito de equilíbrio. (Portuguese)
26 July 2022
0 references
Hankkeen tavoitteena on kehittää universaali prosessi galliumnitridin (GaN) kristallinmuodostuksen tasapainottamiseksi höyryfaasista. Tällä hetkellä kiteytetyn GaN: n halkaisija pienenee ajassa. Hankkeen tulosten pitäisi mahdollistaa paksujen yksikiteisten GaN-rullien laskeuma, joiden halkaisija on tasainen tai laajeneva. Kiteyttämisprosessi suoritetaan natiivien GaN-siementen c-tasolle. Tätä varten tarvitaan tarkkaa supersaturaatiota kristallin kasvavalla pinnalla. Supersaturaatiota tulisi vähentää kasvavan kristallin reunoilla ja sivuseinillä. Näin kasvulajin adsorptio sivuseinillä minimoidaan, kun taas kasvukaveri (c-facet) vakautetaan ja kasvatetaan mielivaltaiseksi ajanjaksoksi. Tällaiset olosuhteet saavutetaan ohjaamalla lämpökenttää kasvavan kristallin ympärillä. Boule saavuttaa lopullisen muotonsa sopeutumalla lämpökenttään eikä ota tasapainoa. (Finnish)
26 July 2022
0 references
Cilj tega projekta je razviti univerzalni proces za premagovanje ravnotežne kristalne oblike v rasti kristalov galijevega nitrida (GaN) iz faze pare. Trenutno se premer kristaliziranega GaN zmanjšuje v času. Rezultati projekta morajo omogočati odlaganje debelih posameznih kristalnih GaN bulov z enotnim ali raztegljivim premerom. Postopek kristalizacije se bo izvajal na ravnini c avtohtonega semena GaN. V ta namen je potreben natančen nadzor nadnasičenosti na rastni površini kristala. Nadnasičenost je treba zmanjšati na robovih in stranskih stenah rastočega kristala. Na ta način se bo zmanjšala adsorpcija rastnih vrst na bočnicah, medtem ko bo rastni fant (c-facet) stabiliziran in vzgojen za poljubno časovno obdobje. Takšni pogoji bodo doseženi z nadzorovanjem toplotnega polja okoli rastočega kristala. Bul bo dosegel svojo končno obliko tako, da se bo prilagodil na termično polje in ne bo prevzel njegove ravnovesne navade. (Slovenian)
26 July 2022
0 references
Cílem tohoto projektu je vyvinout univerzální proces pro překonání rovnovážného krystalického tvaru v růstu krystalu gallium nitridu (GaN) z fáze páry. V současné době se průměr krystalizovaného GaN snižuje v čase. Výsledky projektu by měly umožnit ukládání silných jednoduchých krystalických kuliček GaN s rovnoměrným nebo rozšiřujícím průměrem. Krystalizační proces se provede na c-ploše rodného semene GaN. Pro tento účel je nutná přesná kontrola supersaturace na rostoucím povrchu krystalu. Supersaturace by měla být snížena na okrajích a bočnic rostoucího krystalu. Tímto způsobem bude adsorpce růstových druhů na bočnicách minimalizována, zatímco růstový člověk (c-facet) bude stabilizován a vypěstován na libovolné časové období. Těchto podmínek bude dosaženo kontrolou tepelného pole kolem rostoucího krystalu. Boule dosáhne svého konečného tvaru tím, že se přizpůsobí tepelnému poli a nevezme si svůj rovnovážný zvyk. (Czech)
26 July 2022
0 references
Šio projekto tikslas – sukurti universalų procesą, kaip įveikti pusiausvyros kristalų formą galio nitrido (GaN) kristalų augimui iš garų fazės. Šiuo metu kristalizuoto GaN skersmuo laikui bėgant mažėja. Projekto rezultatai turėtų leisti nusodinti storus vieno kristalinio GaN ruošinius, kurių skersmuo yra vienodas arba plečiamas. Kristalizacijos procesas bus atliekamas ant C-plane gimtosios GaN sėklos. Šiuo tikslu būtina tiksliai kontroliuoti besiplečiantį kristalo paviršių. Persotinimas turėtų būti sumažintas ant augančio kristalo kraštų ir šoninių sienelių. Tokiu būdu augimo rūšių adsorbcija ant šoninių sienelių bus sumažinta, o augimo vaikinas (c-facet) bus stabilizuotas ir išaugs savavališkai. Tokios sąlygos bus pasiektos kontroliuojant šiluminį lauką aplink augantį kristalą. Ruošinys pasieks savo galutinę formą prisitaikant prie šiluminio lauko, o ne jo pusiausvyros įpročio. (Lithuanian)
26 July 2022
0 references
Šī projekta mērķis ir izstrādāt universālu procesu, lai pārvarētu līdzsvara kristāla formu gallija nitrīda (GaN) kristāla augšanu no tvaika fāzes. Pašlaik kristalizētā GaN diametrs samazinās laikā. Projekta rezultātiem jāļauj nogulsnēties biezas atsevišķas kristāliskas GaN bules ar viendabīgu vai paplašinātu diametru. Kristalizācijas process tiks veikts ar vietējo GaN sēklu c-plakni. Šim nolūkam ir nepieciešama precīza supersaturācijas kontrole uz kristāla augšanas virsmas. Supersaturācija jāsamazina uz augošā kristāla malām un sānsienām. Tādā veidā augšanas sugu adsorbcija uz sāniem tiks samazināta līdz minimumam, bet augšanas puisis (c-facet) tiks stabilizēts un izaudzēts uz patvaļīgu laika periodu. Šādi apstākļi tiks sasniegti, kontrolējot siltuma lauku ap augošo kristālu. Buļļa gala formu sasniegs, pielāgojoties termiskajam laukam un neizmantojot savu līdzsvara paradumu. (Latvian)
26 July 2022
0 references
Целта на този проект е да се разработи универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в растежа на кристалния галиев нитрид (GaN) от парната фаза. В момента диаметърът на кристализирания GaN намалява във времето. Резултатите от проекта трябва да позволяват отлагане на дебели единични кристални GaN топки с еднакъв или разширяващ се диаметър. Процесът на кристализация ще се извършва върху с-равнище на родния GaN семена. За тази цел е необходим прецизен контрол на свръхнасищането върху растящата повърхност на кристала. Свръхнасищането трябва да бъде намалено по краищата и страничните стени на растящия кристал. По този начин адсорбцията на видовете растеж на страничните стени ще бъде сведена до минимум, докато растежният тип (c-facet) ще бъде стабилизиран и отглеждан за произволен период от време. Такива условия ще бъдат постигнати чрез контролиране на топлинното поле около растящия кристал. Топката ще достигне окончателната си форма, като се адаптира към топлинното поле и не приема своя навик на равновесие. (Bulgarian)
26 July 2022
0 references
A projekt célja egy univerzális folyamat kidolgozása az egyensúlyi kristály alakjának leküzdésére gallium-nitrid (GaN) kristályban a gőzfázisból. Jelenleg a kristályos GaN átmérője idővel csökken. A projekt eredményeinek lehetővé kell tenniük az egységes vagy táguló átmérőjű vastag, egykristályos GaN boulák lerakódását. A kristályosítási folyamatot a natív GaN magok c-síkján végzik. Ehhez a kristály növekvő felületén a túltelítettség pontos szabályozására van szükség. A túltelítettséget csökkenteni kell a növekvő kristály szélein és oldalfalain. Ily módon az oldalfalakon lévő növekedési fajok adszorpciója minimálisra csökken, míg a növekedési srác (c-facet) tetszőleges időtartamra stabilizálódik és kinő. Ezeket a feltételeket úgy érik el, hogy ellenőrzik a termikus mezőt a növekvő kristály körül. A boule úgy éri el végső formáját, hogy alkalmazkodik a termikus mezőhöz, és nem veszi figyelembe az egyensúlyi szokását. (Hungarian)
26 July 2022
0 references
Is é sprioc an tionscadail seo próiseas uilíoch a fhorbairt chun an cruth criostail cothromaíochta a shárú i bhfás criostail nítríde gallium (GaN) ón gcéim ghal. Faoi láthair, laghdaíonn trastomhas GaN criostalaithe in am. Ba chóir go gceadódh torthaí an tionscadail sil-chriostalach tiubh GaN boules le trastomhas aonfhoirmeach nó ag leathnú. Déanfar próiseas criostalaithe ar phlána síolta GaN dúchais. Chun na críche sin, tá gá le rialú beacht supersaturation ar dhromchla fáis an chriostail. Ba chóir an supersaturation a laghdú ar imill agus ar bhallaí taobh an criostail atá ag fás. Déanfar an bealach seo asaithe ar an speiceas fáis ar na ballaí taobh a íoslaghdú, agus beidh an Guy fáis (c-facet) a chobhsú agus a fhás amach ar feadh tréimhse ama treallach. Bainfear na coinníollacha sin amach tríd an réimse teirmeach a rialú ar fud an criostail atá ag fás. Beidh an boule teacht ar a cruth deiridh ag dul in oiriúint don réimse teirmeach agus ní a ghlacadh ar a nós cothromaíochta. (Irish)
26 July 2022
0 references
Målet med detta projekt är att utveckla en universell process för att övervinna jämviktskristallformen i galliumnitrid (GaN) kristalltillväxt från ångfasen. För närvarande minskar diametern på kristalliserade GaN i tid. Resultaten av projektet bör möjliggöra avsättning av tjocka enstaka kristallina GaN-boules med en enhetlig eller expanderande diameter. Kristalliseringsprocessen kommer att utföras på c-plan av infödda GaN-frö. För detta ändamål är exakt kontroll av övermättnad på kristallens växande yta nödvändig. Övermättnad bör reduceras på kanterna och sidoväggarna på den växande kristallen. På så sätt kommer adsorption av tillväxtarter på sidoväggarna att minimeras, medan tillväxtkillen (c-facet) kommer att stabiliseras och odlas under en godtycklig tidsperiod. Sådana förhållanden kommer att uppnås genom att kontrollera det termiska fältet runt den växande kristallen. Boule kommer att nå sin slutliga form genom att anpassa sig till det termiska fältet och inte ta sin jämvikt vana. (Swedish)
26 July 2022
0 references
Selle projekti eesmärk on töötada välja universaalne protsess tasakaalu kristallkuju ületamiseks galliumnitriidi (GaN) kristallide kasvust aurufaasis. Praegu väheneb kristalliseeritud GaN-i läbimõõt aja jooksul. Projekti tulemused peaksid võimaldama ühtlase või laieneva läbimõõduga paksude kristalliliste GaN-kuulide sadestumist. Kristalliseerumise protsess viiakse läbi loodusliku GaNi seemne c-tasapinnal. Selleks on vaja kristalli kasvaval pinnal superküllastumise täpset kontrolli. Üleküllastumist tuleks vähendada kasvava kristalli servadel ja külgseintel. Sel viisil minimeeritakse kasvuliikide adsorptsiooni külgseintel, samal ajal kui kasvumees (c-facet) stabiliseeritakse ja kasvatatakse meelevaldseks perioodiks. Sellised tingimused saavutatakse soojusvälja kontrollimisega kasvava kristalli ümber. Kuul saavutab oma lõpliku kuju, kohanedes soojusväljaga ja ei võta oma tasakaalu harjumust. (Estonian)
26 July 2022
0 references
Cały Kraj
0 references
6 July 2023
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-5CEB/17
0 references