A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase (Q84341): Difference between revisions

From EU Knowledge Graph
Jump to navigation Jump to search
(‎Changed an Item: Import item from Poland)
(‎Changed label, description and/or aliases in pt)
 
(7 intermediate revisions by 2 users not shown)
label / frlabel / fr
Un processus universel pour surmonter la forme cristalline d’équilibre dans la croissance du cristal à partir de la phase vapeur
Un processus universel pour surmonter la forme du cristal d’équilibre dans la croissance cristalline de la phase de vapeur
label / nllabel / nl
Een universeel proces voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in kristalgroei vanuit de dampfase
Een universeel proces voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in kristalgroei uit de dampfase
label / itlabel / it
Un processo universale per superare l'equilibrio della forma cristallina nella crescita dei cristalli dalla fase di vapore
Un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita del cristallo dalla fase del vapore
label / eslabel / es
Un proceso universal para superar la forma del cristal de equilibrio en el crecimiento del cristal desde la fase de vapor
Un proceso universal para superar la forma de cristal de equilibrio en el crecimiento del cristal desde la fase de vapor
label / dalabel / da
En universel proces til Overvinding af ligevægt krystalform i krystal vækst fra dampfasen
En universel proces til overvindelse af ligevægtskrystallformen i krystalvækst fra dampfasen
label / ellabel / el
Μια καθολική διαδικασία για την υπέρβαση του κρυσταλλικού σχήματος ισορροπίας στην ανάπτυξη κρυστάλλων από τη φάση ατμού
Μια καθολική διαδικασία για την υπέρβαση του σχήματος κρυστάλλου ισορροπίας στην ανάπτυξη κρυστάλλων από τη φάση ατμών
label / hrlabel / hr
Univerzalni proces za prevladavanje ravnotežnog kristalnog oblika u kristalnom rastu iz faze pare
Univerzalni proces za prevladavanje oblika ravnotežnog kristala u rastu kristala iz parne faze
label / rolabel / ro
Un proces universal pentru depășirea formei cristaline de echilibru în creșterea cristalelor din faza de vapori
Un proces universal pentru depășirea formei cristaline de echilibru în creșterea cristalină din faza de vapori
label / sklabel / sk
Univerzálny proces pre prekonanie rovnovážneho krištáľového tvaru v krištáľovom raste z fázy pary
Univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho kryštálového tvaru v raste kryštálov z fázy pary
label / mtlabel / mt
Proċess universali għall Negħlbu l-forma kristall ekwilibriju fit-tkabbir kristall mill-fażi tal-fwar
Proċess universali biex tingħeleb il-forma tal-kristall tal-ekwilibriju fit-tkabbir tal-kristall mill-fażi tal-fwar
label / ptlabel / pt
Um processo universal para superar a forma de cristal de equilíbrio no crescimento de cristal a partir da fase de vapor
Um processo universal para superar a forma cristalina de equilíbrio no crescimento de cristais a partir da fase de vapor
label / filabel / fi
Universaali prosessi tasapainokidemuodon voittamiseksi kristallin kasvussa höyryfaasista
Universaali prosessi tasapainokidemuodon voittamiseksi kiteiden kasvussa höyryfaasista
label / sllabel / sl
Univerzalni proces za premagovanje ravnotežne kristalne oblike v rasti kristalov iz parne faze
Univerzalni proces za premagovanje ravnotežne kristalne oblike v kristalni rasti iz faze pare
label / cslabel / cs
Univerzální proces pro překonání rovnovážného tvaru krystalů v růstu krystalů z fáze páry
Univerzální proces pro překonání rovnovážného krystalického tvaru v růstu krystalů z fáze páry
label / ltlabel / lt
Universalus procesas, skirtas pusiausvyros kristalų formos įveikimui kristalų augimui iš garų fazės
Universalus procesas, skirtas įveikti pusiausvyros kristalų formą kristalų augimui nuo garų fazės
label / lvlabel / lv
Universāls process līdzsvara kristāla formas pārvarēšanai kristāla izaugsmē no tvaika fāzes
Universāls process līdzsvara kristāla formas pārvarēšanai kristāla augšanā no tvaika fāzes
label / bglabel / bg
Универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в кристален растеж от фазата на изпаряване
Универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в растежа на кристалите от парната фаза
label / hulabel / hu
Univerzális folyamat az egyensúlyi kristály alakjának leküzdésére kristálynövekedésben a gőzfázisból
Univerzális folyamat az egyensúlyi kristály alakjának leküzdésére a kristálynövekedésben a gőzfázisból
label / etlabel / et
Universaalne protsess tasakaalukristalli kuju ületamiseks kristallide kasvus aurufaasist
Universaalne protsess tasakaalu kristallkuju ületamiseks aurufaasi kristallide kasvus
Property / end time
30 September 2021
Timestamp+2021-09-30T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
 
Property / end time: 30 September 2021 / rank
Normal rank
 
Property / summary: The goal of this project is to develop a universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in gallium Nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of Crystallised GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallisation process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimised, while the growth guy (c-facet) will be stabilised and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (English) / qualifier
 
readability score: 0.6714797238851047
Amount0.6714797238851047
Unit1
Property / summaryProperty / summary
L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme cristalline d’équilibre dans la croissance cristalline du nitrure de gallium (GaN) à partir de la phase vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules de GaN cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur le plan c des graines de GaN indigènes. À cet effet, un contrôle précis de la supersaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La supersaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption de l’espèce de croissance sur les flancs sera réduite au minimum, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et développé pendant une période arbitraire. De telles conditions seront réalisées en contrôlant le champ thermique autour du cristal en croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French)
L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme du cristal d’équilibre dans la croissance du cristal de gallium (GaN) à partir de la phase de vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules GaN simples cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur plan c de graines indigènes de GaN. À cette fin, un contrôle précis de la sursaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La sursaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption des espèces de croissance sur les parois latérales sera minimisée, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et cultivé pour une période de temps arbitraire. De telles conditions seront atteintes en contrôlant le champ thermique autour du cristal de croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French)
Property / summaryProperty / summary
Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boule mit einem gleichmäßigen oder ausdehnenden Durchmesser ermöglichen. Der Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene des einheimischen GaN-Samens durchgeführt. Dazu ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Kanten und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsart an den Sidewalls minimiert, während der Wachstumstyp (c-Facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Steuerung des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Die Boule wird ihre endgültige Form erreichen, indem sie sich an das thermische Feld anpasst und seine Gleichgewichtsgewohnheit nicht nimmt. (German)
Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boules mit einem gleichmäßigen oder expandierenden Durchmesser ermöglichen. Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene von nativem GaN-Samen durchgeführt. Zu diesem Zweck ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Rändern und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsarten an den Seitenwänden minimiert, während der Wachstumstyp (c-facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Kontrolle des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Der Boule wird seine endgültige Form erreichen, indem er sich an das thermische Feld anpasst und nicht seine Gleichgewichtsgewohnheit nimmt. (German)
Property / summaryProperty / summary
Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in gallium Nitride (GaN) kristalgroei vanuit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkele kristallijne GaN boules met een uniforme of uitdijende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vliegtuig van inheemse GaN zaad. Hiervoor is een nauwkeurige controle van de oververzadiging op het groeioppervlak van het kristal noodzakelijk. De oververzadiging moet worden verminderd op de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoort op de Sidewalls worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid voor een willekeurige periode. Dergelijke voorwaarden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te regelen. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermische veld en niet zijn evenwichtsgewoonte te nemen. (Dutch)
Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in galliumnitride (GaN) kristalgroei uit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkelkristallijne GaN-boules met een uniforme of uitbreidende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vlak van inheemse GaN zaad. Voor dit doel is een nauwkeurige controle van de superverzadiging op het groeiende oppervlak van het kristal nodig. De oververzadiging moet worden verminderd aan de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoorten op de zijwanden worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) voor een willekeurige periode zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid. Dergelijke omstandigheden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te controleren. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermisch veld en zijn evenwichtsgewoonte niet aan te nemen. (Dutch)
Property / summaryProperty / summary
L'obiettivo di questo progetto è quello di sviluppare un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita dei cristalli di nitruro di gallio (GaN) dalla fase del vapore. Attualmente, il diametro del GaN cristallizzato diminuisce nel tempo. I risultati del progetto dovrebbero consentire la deposizione di spessi boule monocristallina GaN con un diametro uniforme o in espansione. Il processo di cristallizzazione sarà effettuato sul piano c del seme autoctono di GaN. A tal fine è necessario un controllo preciso della supersaturazione sulla superficie crescente del cristallo. La supersaturazione dovrebbe essere ridotta sui bordi e sui fianchi del cristallo in crescita. In questo modo l'adsorbimento delle specie di crescita sui Sidewall sarà minimizzato, mentre il tipo di crescita (c-facet) sarà stabilizzato e cresciuto per un periodo di tempo arbitrario. Tali condizioni saranno raggiunte controllando il campo termico attorno al cristallo in crescita. Il boule raggiungerà la sua forma finale adattandosi al campo termico e non assumerà la sua abitudine di equilibrio. (Italian)
L'obiettivo di questo progetto è quello di sviluppare un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita del nitruro di gallio (GaN) dalla fase del vapore. Attualmente, il diametro del GaN cristallizzato diminuisce nel tempo. I risultati del progetto dovrebbero consentire la deposizione di spesse boule monocristallino GaN con un diametro uniforme o in espansione. Il processo di cristallizzazione sarà effettuato su un piano c di semi nativi di GaN. A questo scopo, è necessario un controllo preciso della sovrasaturazione sulla superficie di crescita del cristallo. La sovrasaturazione dovrebbe essere ridotta sui bordi e sui fianchi del cristallo in crescita. In questo modo l'adsorbimento delle specie di crescita sui fianchi sarà ridotto al minimo, mentre il ragazzo della crescita (c-facet) sarà stabilizzato e cresciuto per un periodo di tempo arbitrario. Tali condizioni saranno ottenute controllando il campo termico intorno al cristallo in crescita. Il boule raggiungerà la sua forma finale adattandosi al campo termico e non assumerà la sua abitudine di equilibrio. (Italian)
Property / summaryProperty / summary
El objetivo de este proyecto es desarrollar un proceso universal para superar la forma del cristal de equilibrio en el crecimiento cristalino de nitruro de galio (GaN) desde la fase de vapor. Actualmente, el diámetro de GaN cristalizado disminuye en el tiempo. Los resultados del proyecto deben permitir la deposición de bloques de GaN cristalinos gruesos con un diámetro uniforme o en expansión. El proceso de cristalización se llevará a cabo en el plano c de semillas nativas de GaN. Para ello, es necesario un control preciso de la supersaturación en la superficie de crecimiento del cristal. La supersaturación debe reducirse en los bordes y paredes laterales del cristal en crecimiento. De esta manera se minimizará la adsorción de las especies de crecimiento en los Paredes laterales, mientras que el tipo de crecimiento (c-facet) se estabilizará y crecerá durante un período de tiempo arbitrario. Tales condiciones se lograrán mediante el control del campo térmico alrededor del cristal en crecimiento. El boule alcanzará su forma final adaptándose al campo termal y no tomar su hábito de equilibrio. (Spanish)
El objetivo de este proyecto es desarrollar un proceso universal para superar la forma cristalina de equilibrio en el crecimiento de cristal de nitruro de galio (GaN) desde la fase de vapor. Actualmente, el diámetro de GaN cristalizado disminuye en el tiempo. Los resultados del proyecto deben permitir la deposición de gruesas bolas cristalinas GaN con un diámetro uniforme o en expansión. El proceso de cristalización se llevará a cabo en el plano c de semillas nativas de GaN. Para este propósito, es necesario un control preciso de la supersaturación en la superficie de crecimiento del cristal. La supersaturación debe reducirse en los bordes y paredes laterales del cristal en crecimiento. De esta manera se minimizará la adsorción de las especies de crecimiento en las paredes laterales, mientras que el chico de crecimiento (c-facet) se estabilizará y crecerá durante un período de tiempo arbitrario. Tales condiciones se lograrán mediante el control del campo térmico alrededor del cristal en crecimiento. La boule alcanzará su forma final adaptándose al campo térmico y no tomará su hábito de equilibrio. (Spanish)
Property / summaryProperty / summary
Målet med dette projekt er at udvikle en universel proces til Overcoming ligevægt krystal form i gallium Nitride (GaN) krystal vækst fra dampfasen. I øjeblikket falder diameteren af krystalliseret GaN i tid. Resultaterne af projektet bør tillade aflejring af tykke enkeltkrystallinske GaN boules med en ensartet eller ekspanderende diameter. Krystallisering proces vil blive udført på c-plan af indfødte GaN frø. Til dette formål er præcis kontrol af overmætning på krystallens voksende overflade nødvendig. Overmætning bør reduceres på kanterne og siderne af den voksende krystal. På denne måde vil adsorptionen af vækstarterne på siderne blive minimeret, mens vækstfyren (c-facet) vil blive stabiliseret og dyrket i en vilkårlig periode. Sådanne betingelser vil blive opnået ved at kontrollere det termiske felt omkring den voksende krystal. Boulelen vil nå sin endelige form ved at tilpasse sig det termiske felt og ikke tage sin ligevægt vane. (Danish)
Målet med dette projekt er at udvikle en universel proces til at overvinde ligevægtskrystallformen i galliumnitrid (GaN) krystalvækst fra dampfasen. I øjeblikket falder diameteren af krystalliseret GaN i tide. Resultaterne af projektet bør muliggøre aflejring af tykke enkeltkrystalske GaN boules med en ensartet eller ekspanderende diameter. Krystalliseringsprocessen vil blive udført på c-plan af hjemmehørende GaN frø. Til dette formål er det nødvendigt med præcis kontrol af overmætning på krystallens voksende overflade. Overmætningen bør reduceres på kanterne og sidevæggene af den voksende krystal. På denne måde vil adsorption af vækstarterne på sidevæggene blive minimeret, mens vækstfyren (c-facet) vil blive stabiliseret og dyrket i en vilkårlig periode. Sådanne betingelser vil blive opnået ved at kontrollere det termiske felt omkring den voksende krystal. Boule vil nå sin endelige form ved at tilpasse sig det termiske felt og ikke tage sin ligevægt vane. (Danish)
Property / summaryProperty / summary
Στόχος αυτού του έργου είναι η ανάπτυξη μιας καθολικής διαδικασίας για την υπέρβαση του κρυσταλλικού σχήματος ισορροπίας σε κρυσταλλική ανάπτυξη νιτριδίου του γαλλίου (GaN) από τη φάση ατμού. Επί του παρόντος, η διάμετρος του κρυσταλλικού GaN μειώνεται στο χρόνο. Τα αποτελέσματα του έργου θα πρέπει να επιτρέπουν την εναπόθεση παχιών μονών κρυσταλλικών boules GaN με ομοιόμορφη ή διευρυνόμενη διάμετρο. Η διαδικασία κρυστάλλωσης θα πραγματοποιηθεί σε επίπεδο γ του φυσικού σπόρου GaN. Για το σκοπό αυτό, είναι απαραίτητος ο ακριβής έλεγχος του υπερκορεσμού στην επιφάνεια ανάπτυξης Crystalâ EURs. Ο υπερκορεσμός θα πρέπει να μειωθεί στις άκρες και τα πλευρικά τοιχώματα του αναπτυσσόμενου κρυστάλλου. Με αυτόν τον τρόπο η προσρόφηση των ειδών ανάπτυξης στις παρυφές θα ελαχιστοποιηθεί, ενώ ο τύπος ανάπτυξης (c-facet) θα σταθεροποιηθεί και θα αναπτυχθεί για μια αυθαίρετη χρονική περίοδο. Τέτοιες συνθήκες θα επιτευχθούν με τον έλεγχο του θερμικού πεδίου γύρω από τον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Το boule θα φτάσει στο τελικό σχήμα του προσαρμόζοντας στο θερμικό πεδίο και δεν παίρνει τη συνήθεια ισορροπίας του. (Greek)
Ο στόχος αυτού του έργου είναι να αναπτύξει μια καθολική διαδικασία για την υπέρβαση του σχήματος κρυστάλλου ισορροπίας σε νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) κρυσταλλική ανάπτυξη από τη φάση ατμών. Επί του παρόντος, η διάμετρος του κρυσταλλωμένου GaN μειώνεται στο χρόνο. Τα αποτελέσματα του έργου θα πρέπει να επιτρέπουν την εναπόθεση παχιών μονοκρυσταλλικών δακτυλίων GaN με ομοιόμορφη ή διαστελλόμενη διάμετρο. Η διαδικασία κρυστάλλωσης θα πραγματοποιηθεί σε γ-επίπεδο γηγενούς σπόρου GaN. Για το σκοπό αυτό, είναι απαραίτητος ο ακριβής έλεγχος του υπερκορεσμού στην επιφάνεια ανάπτυξης του κρυστάλλου. Ο υπερκορεσμός πρέπει να μειωθεί στις άκρες και τα πλευρικά τοιχώματα του αναπτυσσόμενου κρυστάλλου. Με αυτόν τον τρόπο η προσρόφηση των ειδών ανάπτυξης στα πλευρικά τοιχώματα θα ελαχιστοποιηθεί, ενώ ο τύπος ανάπτυξης (c-facet) θα σταθεροποιηθεί και θα αναπτυχθεί για μια αυθαίρετη χρονική περίοδο. Τέτοιες συνθήκες θα επιτευχθούν με τον έλεγχο του θερμικού πεδίου γύρω από τον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Το boule θα φτάσει στο τελικό σχήμα του με την προσαρμογή στο θερμικό πεδίο και δεν θα πάρει τη συνήθεια ισορροπίας του. (Greek)
Property / summaryProperty / summary
Cilj ovog projekta je razviti univerzalni proces za prevladavanje ravnotežnog kristalnog oblika u rastu kristala galija nitrida (GaN) iz faze pare. Trenutno se promjer kristaliziranog GaN-a smanjuje u vremenu. Rezultati projekta trebali bi omogućiti taloženje debelih jednokrilnih GaN boula s ujednačenim ili širim promjerom. Proces kristalizacije provodit će se na c-avinu izvornog sjemena GaN-a. U tu svrhu potrebna je precizna kontrola superzasićenja na površini koja raste kristalima. Superzasićenje treba smanjiti na rubovima i bočnim stijenkama rastućeg kristala. Na taj način će se smanjiti adsorpcija vrsta rasta na bočnim stijenkama, dok će se tip za rast (c-facet) stabilizirati i izrasti tijekom proizvoljnog vremenskog razdoblja. Takvi uvjeti će se postići kontroliranjem termalnog polja oko rastućeg kristala. Boule će dostići svoj konačni oblik prilagođavajući se termičkom polju, a ne uzimajući svoju uravnoteženu naviku. (Croatian)
Cilj ovog projekta je razviti univerzalni proces za prevladavanje ravnotežnog oblika kristala u galij nitridnom (GaN) kristalnom rastu iz faze pare. Trenutno se promjer kristaliziranog GaN-a smanjuje u vremenu. Rezultati projekta trebali bi omogućiti taloženje debelih pojedinačnih kristalnih GaN blokova s ujednačenim ili proširenim promjerom. Proces kristalizacije provodit će se na c-ravnini izvornog GaN sjemena. U tu svrhu potrebna je precizna kontrola superzasićivanja na rastućoj površini kristala. Superzasićivanje treba smanjiti na rubovima i bočnim stijenkama rastućeg kristala. Na taj će se način adsorpcija vrsta rasta na bočnim stijenkama svesti na najmanju moguću mjeru, dok će se tip rasta (c-facet) stabilizirati i izrasti za proizvoljno vremensko razdoblje. Takvi uvjeti će se postići kontroliranjem toplinskog polja oko rastućeg kristala. Boula će doći do svog konačnog oblika prilagođavajući se termalnom polju i ne uzima svoju ravnotežnu naviku. (Croatian)
Property / summaryProperty / summary
Scopul acestui proiect este de a dezvolta un proces universal pentru depășirea formei cristaline de echilibru în creșterea cristalelor de galiu (GaN) din faza de vapori. În prezent, diametrul GaN cristalizat scade în timp. Rezultatele proiectului ar trebui să permită depunerea de bule groase monocristaline GaN cu un diametru uniform sau de expansiune. Procesul de cristalizare va fi efectuat pe planul c al semințelor native de GaN. În acest scop, este necesar un control precis al suprasaturației pe suprafața de creștere a cristalelor. Suprasaturația ar trebui redusă pe marginile și pereții laterali ai cristalului în creștere. În acest fel, adsorbția speciilor de creștere pe pereții laterali va fi redusă la minimum, în timp ce tipul de creștere (c-facet) va fi stabilizat și crescut pentru o perioadă arbitrară de timp. Astfel de condiții vor fi atinse prin controlul câmpului termic din jurul cristalului în creștere. Bulevardul își va atinge forma finală adaptându-se la câmpul termic și nu își va lua obiceiul de echilibru. (Romanian)
Scopul acestui proiect este de a dezvolta un proces universal de depășire a formei cristaline de echilibru în nitrură de galiu (GaN) din faza de vapori. În prezent, diametrul GaN cristalizat scade în timp. Rezultatele proiectului ar trebui să permită depunerea de boluri groase monocristaline GaN cu un diametru uniform sau în expansiune. Procesul de cristalizare va fi efectuat pe planul c al semințelor native de GaN. În acest scop, este necesar un control precis al suprasaturației pe suprafața în creștere a cristalului. Suprasaturarea trebuie redusă pe marginile și pereții laterali ai cristalului în creștere. În acest fel, adsorbția speciilor de creștere de pe pereții laterali va fi redusă la minimum, în timp ce tipul de creștere (c-facet) va fi stabilizat și cultivat pentru o perioadă de timp arbitrară. Astfel de condiții vor fi atinse prin controlul câmpului termic din jurul cristalului în creștere. Bolul va ajunge la forma sa finală prin adaptarea la câmpul termic și nu își va lua obiceiul de echilibru. (Romanian)
Property / summaryProperty / summary
Cieľom tohto projektu je vyvinúť univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho krištáľového tvaru gália Nitride (GaN) z fázy pary. V súčasnosti sa priemer kryštalizovaného GaN znižuje v čase. Výsledky projektu by mali umožniť ukladanie hrubých jednoduchých kryštalických kryštálov GaN s jednotným alebo rozširujúcim priemerom. Proces kryštalizácie sa bude vykonávať na C-rovni s pôvodným semenom GaN. Na tento účel je potrebná presná kontrola supersýtosti na rastúcom povrchu kryštálov. Supersýtosť by sa mala znížiť na okrajoch a bočných stenách rastúceho kryštálu. Týmto spôsobom bude adsorpcia rastových druhov na bočných stenách minimalizovaná, zatiaľ čo rastový chlap (c-tvár) sa stabilizuje a vyrastie na ľubovoľné časové obdobie. Takéto podmienky sa dosiahnu kontrolou tepelného poľa okolo rastúceho kryštálu. Boule dosiahne svoj konečný tvar tým, že sa prispôsobí tepelnému poľu a nebude mať svoj rovnovážny zvyk. (Slovak)
Cieľom tohto projektu je vyvinúť univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho kryštálového tvaru v raste kryštálov nitridu gália (GaN) z fázy pary. V súčasnosti sa priemer kryštalizovanej GaN časom znižuje. Výsledky projektu by mali umožniť ukladanie hrubých monokryštalických GaN boulov s rovnomerným alebo rozširujúcim sa priemerom. Kryštalizačný proces sa bude vykonávať na c-plane natívneho semena GaN. Na tento účel je potrebná presná kontrola presýtenia na rastúcom povrchu kryštálu. Supersýtosť by sa mala znížiť na okrajoch a bočných stenách rastúceho kryštálu. Týmto spôsobom adsorpcia rastového druhu na bočných stenách bude minimalizovaná, zatiaľ čo rastový chlap (c-facet) sa stabilizuje a vyrastie na ľubovoľné časové obdobie. Takéto podmienky sa dosiahnu reguláciou tepelného poľa okolo rastúceho kryštálu. Guľa dosiahne svoj konečný tvar prispôsobením sa tepelnému poľu a nebude mať svoj rovnovážny zvyk. (Slovak)
Property / summaryProperty / summary
L-għan ta ‘dan il-proġett huwa li jiġi żviluppat proċess universali għall Negħlbu l-forma kristall ekwilibriju fit-tkabbir kristall gallium Nitride (GaN) mill-fażi tal-fwar. Bħalissa, id-dijametru ta ‘GaN Crystallized jonqos fil-ħin. Ir-riżultati tal-proġett għandhom jippermettu d-depożizzjoni ta’ boules tal-GaN kristallini singoli ħoxnin b’dijametru uniformi jew li jespandi. Il-proċess ta’ kristallizzazzjoni se jitwettaq fuq il-pjan c taż-żerriegħa nattiva tal-GaN. Għal dan il-għan, il-kontroll preċiż ta ‘supersaturation fuq il-wiċċ li qed jikber kristalle huwa meħtieġ. Is-supersaturazzjoni għandha titnaqqas fuq it-truf u l-ġnub tal-kristall li qed jikber. B’dan il-mod l-adsorbiment ta ‘l-ispeċi tat-tkabbir fuq il-ħitan tal-ġenb se jkun minimizzat, filwaqt li l-Guy tat-tkabbir (wiċċ-c) se jiġi stabbilizzat u mkabbar għal perjodu ta’ żmien arbitrarju. Dawn il-kundizzjonijiet se jinkisbu billi jiġi kkontrollat il-qasam termali madwar il-kristall li qed jikber. Il-boule se tilħaq il-forma finali tagħha billi tadatta għall-qasam termali u ma tieħux drawwa ta ‘ekwilibriju tagħha. (Maltese)
L-għan ta ‘dan il-proġett huwa li jiġi żviluppat proċess universali biex tingħeleb il-forma tal-kristall tal-ekwilibriju fit-tkabbir tal-kristall tan-nitrur tal-gallju (GaN) mill-fażi tal-fwar. Bħalissa, id-dijametru tal-GaN kristallizzat jonqos fiż-żmien. Ir-riżultati tal-proġett għandhom jippermettu d-depożizzjoni ta’ boules kristallini ħoxnin GaN b’dijametru uniformi jew li jespandi. Il-proċess tal-kristallizzazzjoni se jitwettaq fuq il-pjan-c taż-żerriegħa indiġena tal-GaN. Għal dan il-għan, huwa meħtieġ kontroll preċiż tas-supersaturation fuq il-wiċċ li qed jikber tal-kristall. Is-supersaturation għandha titnaqqas fuq it-truf u l-ħitan tal-ġenb tal-kristall li qed jikber. B’dan il-mod l-assorbiment tal-ispeċi tat-tkabbir fuq il-ġnub se jiġi minimizzat, filwaqt li l-guy tat-tkabbir (c-facet) se jiġi stabbilizzat u mkabbar għal perjodu ta’ żmien arbitrarju. Kundizzjonijiet bħal dawn jinkisbu billi jiġi kkontrollat il-kamp termali madwar il-kristall li qed jikber. Il-boule jilħaq il-forma finali tiegħu billi jadatta għall-kamp termali u mhux jieħu l-vizzju tal-ekwilibriju tiegħu. (Maltese)
Property / summaryProperty / summary
O objetivo deste projeto é desenvolver um processo universal para superar a forma de cristal de equilíbrio em Nitrido de gálio (GaN) crescimento de cristal a partir da fase de vapor. Atualmente, o diâmetro do GaN cristalizado diminui no tempo. Os resultados do projeto devem permitir a deposição de boules de GaN cristalinos únicos grossos com um diâmetro uniforme ou em expansão. Processo de cristalização será realizado em c-plano de semente GaN nativa. Para este efeito, é necessário um controlo preciso da supersaturação na superfície de crescimento do cristal. A supersaturação deve ser reduzida nas bordas e paredes laterais do cristal em crescimento. Desta forma, a adsorção das espécies de crescimento nas paredes laterais será minimizada, enquanto o indivíduo do crescimento (faceta c) será estabilizado e crescido por um período de tempo arbitrário. Tais condições serão alcançadas controlando o campo térmico em torno do cristal em crescimento. O boule alcançará sua forma final adaptando-se ao campo térmico e não tomará seu hábito de equilíbrio. (Portuguese)
O objetivo deste projeto é desenvolver um processo universal para superar a forma cristalina de equilíbrio no crescimento de nitreto de gálio (GaN) a partir da fase de vapor. Atualmente, o diâmetro do GaN cristalizado diminui com o tempo. Os resultados do projeto devem permitir a deposição de boules de GaN monocristalinos espessos com um diâmetro uniforme ou em expansão. O processo de cristalização será realizado no plano C das sementes de GaN nativas. Para o efeito, é necessário um controlo preciso da supersaturação na superfície de crescimento do cristal. A supersaturação deve ser reduzida nas bordas e paredes laterais do cristal em crescimento. Desta forma, a adsorção das espécies de crescimento nas paredes laterais será minimizada, enquanto o indivíduo de crescimento (faceta c) será estabilizado e crescido por um período de tempo arbitrário. Tais condições serão alcançadas através do controlo do campo térmico em torno do cristal em crescimento. O boule vai atingir a sua forma final, adaptando-se ao campo térmico e não assumir o seu hábito de equilíbrio. (Portuguese)
Property / summaryProperty / summary
Hankkeen tavoitteena on kehittää yleismaailmallinen prosessi tasapainon kristallin muodon voittamiseksi galliumnitridin (GaN) kristallin kasvusta höyryvaiheesta. Tällä hetkellä Crystallized GaN:n halkaisija pienenee ajassa. Hankkeen tulosten pitäisi mahdollistaa paksujen yksikiteisten GaN-pullien laskeuma tasaisen tai laajenevan halkaisijan kanssa. Kiteytys prosessi suoritetaan c-taso natiivi GaN siemenet. Tätä varten tarvitaan tarkka valvonta ylikyllästyminen kristallin kasvupinta on tarpeen. Ylikyllästymistä on vähennettävä kasvavan kristallin reunoilla ja sivupinnoilla. Tällä tavoin adsorptio kasvulajien sivuseinät minimoidaan, kun taas kasvu kaveri (c-facet) vakautetaan ja kasvaa pois mielivaltaisen ajan. Tällaiset olosuhteet saavutetaan säätämällä lämpökenttää kasvavan kristallin ympärillä. Boule saavuttaa lopullisen muodon mukautumalla lämpökenttään eikä ota tasapainoa tapana. (Finnish)
Hankkeen tavoitteena on kehittää universaali prosessi galliumnitridin (GaN) kristallinmuodostuksen tasapainottamiseksi höyryfaasista. Tällä hetkellä kiteytetyn GaN: n halkaisija pienenee ajassa. Hankkeen tulosten pitäisi mahdollistaa paksujen yksikiteisten GaN-rullien laskeuma, joiden halkaisija on tasainen tai laajeneva. Kiteyttämisprosessi suoritetaan natiivien GaN-siementen c-tasolle. Tätä varten tarvitaan tarkkaa supersaturaatiota kristallin kasvavalla pinnalla. Supersaturaatiota tulisi vähentää kasvavan kristallin reunoilla ja sivuseinillä. Näin kasvulajin adsorptio sivuseinillä minimoidaan, kun taas kasvukaveri (c-facet) vakautetaan ja kasvatetaan mielivaltaiseksi ajanjaksoksi. Tällaiset olosuhteet saavutetaan ohjaamalla lämpökenttää kasvavan kristallin ympärillä. Boule saavuttaa lopullisen muotonsa sopeutumalla lämpökenttään eikä ota tasapainoa. (Finnish)
Property / summaryProperty / summary
Cilj tega projekta je razviti univerzalni proces za premagovanje ravnotežne oblike kristalov v rasti kristalov galijevega nitrida (GaN) iz parne faze. Trenutno se premer kristaliziranega GaN sčasoma zmanjša. Rezultati projekta morajo omogočati odlaganje debelih enokristalnih GaN ingotov z enakim ali naraščajočim premerom. Proces kristalizacije se bo izvajal na c-ravnini domačega semena GaN. V ta namen je potreben natančen nadzor nad prenasičenostjo na rastni površini Crystalâ EURs. Prenasičenost je treba zmanjšati na robovih in stranskih stenah rastočega kristala. Na ta način bo adsorpcija rastne vrste na bočnicah čim manjša, medtem ko se bo rastni fant (c-facet) stabiliziral in zrasel za poljubno časovno obdobje. Takšni pogoji bodo doseženi z nadzorovanjem toplotnega polja okoli rastočega kristala. Bulda bo dosegla svojo končno obliko s prilagajanjem na toplotno polje in ne bo izkoristila svoje ravnovesne navade. (Slovenian)
Cilj tega projekta je razviti univerzalni proces za premagovanje ravnotežne kristalne oblike v rasti kristalov galijevega nitrida (GaN) iz faze pare. Trenutno se premer kristaliziranega GaN zmanjšuje v času. Rezultati projekta morajo omogočati odlaganje debelih posameznih kristalnih GaN bulov z enotnim ali raztegljivim premerom. Postopek kristalizacije se bo izvajal na ravnini c avtohtonega semena GaN. V ta namen je potreben natančen nadzor nadnasičenosti na rastni površini kristala. Nadnasičenost je treba zmanjšati na robovih in stranskih stenah rastočega kristala. Na ta način se bo zmanjšala adsorpcija rastnih vrst na bočnicah, medtem ko bo rastni fant (c-facet) stabiliziran in vzgojen za poljubno časovno obdobje. Takšni pogoji bodo doseženi z nadzorovanjem toplotnega polja okoli rastočega kristala. Bul bo dosegel svojo končno obliko tako, da se bo prilagodil na termično polje in ne bo prevzel njegove ravnovesne navade. (Slovenian)
Property / summaryProperty / summary
Cílem tohoto projektu je vyvinout univerzální proces pro překonání rovnovážného tvaru krystalů v krystalovém růstu galia nitridu (GaN) z fáze páry. V současné době se průměr krystalizované GaN snižuje v čase. Výsledky projektu by měly umožnit nanášení silných jednokrystalických GaN boules s jednotným nebo rozšiřujícím průměrem. Krystalizační proces se bude provádět na C-ploše rodného semene GaN. Pro tento účel je nutná přesná kontrola nad sytostí na krystalu rostoucím povrchu. Nadsytost by měla být snížena na okrajích a bočnicích rostoucího krystalu. Tímto způsobem bude minimalizována adsorpce růstových druhů na bočnicích, zatímco růstový chlap (c-facet) bude stabilizován a vypěstován na libovolnou dobu. Těchto podmínek bude dosaženo kontrolou tepelného pole kolem rostoucího krystalu. Boule dosáhne svého konečného tvaru tím, že se přizpůsobí termálnímu poli a nevezme si vyrovnaný zvyk. (Czech)
Cílem tohoto projektu je vyvinout univerzální proces pro překonání rovnovážného krystalického tvaru v růstu krystalu gallium nitridu (GaN) z fáze páry. V současné době se průměr krystalizovaného GaN snižuje v čase. Výsledky projektu by měly umožnit ukládání silných jednoduchých krystalických kuliček GaN s rovnoměrným nebo rozšiřujícím průměrem. Krystalizační proces se provede na c-ploše rodného semene GaN. Pro tento účel je nutná přesná kontrola supersaturace na rostoucím povrchu krystalu. Supersaturace by měla být snížena na okrajích a bočnic rostoucího krystalu. Tímto způsobem bude adsorpce růstových druhů na bočnicách minimalizována, zatímco růstový člověk (c-facet) bude stabilizován a vypěstován na libovolné časové období. Těchto podmínek bude dosaženo kontrolou tepelného pole kolem rostoucího krystalu. Boule dosáhne svého konečného tvaru tím, že se přizpůsobí tepelnému poli a nevezme si svůj rovnovážný zvyk. (Czech)
Property / summaryProperty / summary
Šio projekto tikslas – sukurti universalų procesą, skirtą pusiausvyros kristalų formos įveikimui galio nitrido (GaN) kristalų augimui iš garų fazės. Šiuo metu kristalizuoto GaN skersmuo laikui bėgant mažėja. Projekto rezultatai turėtų leisti nusodinti storus vieno kristalinio GaN ruošinius, kurių skersmuo yra vienodas arba besiplečiantis. Kristalizacijos procesas bus atliekamas ant c-plokštės gimtosios GaN sėklos. Šiuo tikslu būtina tiksliai kontroliuoti supersaturation ant kristalų augančio paviršiaus. Supersaturation turėtų būti sumažintas ant augančio kristalo kraštų ir šoninių sienelių. Tokiu būdu augimo rūšių adsorbcija ant šoninių sienelių bus sumažinta, o augimo vaikinas (c-facet) bus stabilizuotas ir išaugintas savavališkai. Tokios sąlygos bus pasiektos kontroliuojant terminį lauką aplink augantį kristalą. Bulvė pasieks savo galutinę formą prisitaikant prie terminio lauko, o ne imtis savo pusiausvyros įpročio. (Lithuanian)
Šio projekto tikslas – sukurti universalų procesą, kaip įveikti pusiausvyros kristalų formą galio nitrido (GaN) kristalų augimui iš garų fazės. Šiuo metu kristalizuoto GaN skersmuo laikui bėgant mažėja. Projekto rezultatai turėtų leisti nusodinti storus vieno kristalinio GaN ruošinius, kurių skersmuo yra vienodas arba plečiamas. Kristalizacijos procesas bus atliekamas ant C-plane gimtosios GaN sėklos. Šiuo tikslu būtina tiksliai kontroliuoti besiplečiantį kristalo paviršių. Persotinimas turėtų būti sumažintas ant augančio kristalo kraštų ir šoninių sienelių. Tokiu būdu augimo rūšių adsorbcija ant šoninių sienelių bus sumažinta, o augimo vaikinas (c-facet) bus stabilizuotas ir išaugs savavališkai. Tokios sąlygos bus pasiektos kontroliuojant šiluminį lauką aplink augantį kristalą. Ruošinys pasieks savo galutinę formą prisitaikant prie šiluminio lauko, o ne jo pusiausvyros įpročio. (Lithuanian)
Property / summaryProperty / summary
Šī projekta mērķis ir izstrādāt universālu procesu, lai pārvarētu līdzsvaru kristāla formu gallija Nitride (GaN) kristāla augšanu no tvaika fāzē. Pašlaik Crystallised GaN diametrs laika gaitā samazinās. Projekta rezultātiem būtu jāļauj nogulsnēties biezos vienas kristāliskas GaN bululās ar vienādu vai paplašinošu diametru. Kristalizācijas process tiks veikts uz vietējo GaN sēklu c-plaknes. Šim nolūkam, precīza kontrole supersaturation uz crystalâ EURs augošās virsmas ir nepieciešama. Pārsātinājums jāsamazina augošā kristāla malās un sānu malās. Tādā veidā tiks samazināta augšanas sugu adsorbcija uz sāniem, savukārt augšanas puisis (c-facet) tiks stabilizēts un izaudzēts uz patvaļīgu laika periodu. Šādi apstākļi tiks sasniegti, kontrolējot siltuma lauku ap augošo kristālu. Bullis sasniegs savu galīgo formu, pielāgojoties termiskajam laukam, un neuzņemsies līdzsvara ieradumu. (Latvian)
Šī projekta mērķis ir izstrādāt universālu procesu, lai pārvarētu līdzsvara kristāla formu gallija nitrīda (GaN) kristāla augšanu no tvaika fāzes. Pašlaik kristalizētā GaN diametrs samazinās laikā. Projekta rezultātiem jāļauj nogulsnēties biezas atsevišķas kristāliskas GaN bules ar viendabīgu vai paplašinātu diametru. Kristalizācijas process tiks veikts ar vietējo GaN sēklu c-plakni. Šim nolūkam ir nepieciešama precīza supersaturācijas kontrole uz kristāla augšanas virsmas. Supersaturācija jāsamazina uz augošā kristāla malām un sānsienām. Tādā veidā augšanas sugu adsorbcija uz sāniem tiks samazināta līdz minimumam, bet augšanas puisis (c-facet) tiks stabilizēts un izaudzēts uz patvaļīgu laika periodu. Šādi apstākļi tiks sasniegti, kontrolējot siltuma lauku ap augošo kristālu. Buļļa gala formu sasniegs, pielāgojoties termiskajam laukam un neizmantojot savu līdzsvara paradumu. (Latvian)
Property / summaryProperty / summary
Целта на този проект е да се разработи универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в галиев нитрид (GaN) кристален растеж от фазата на изпаряване. В момента диаметърът на кристализирания GaN намалява във времето. Резултатите от проекта следва да позволяват отлагането на гъсти единични кристални GaN булели с еднакъв или разширяващ се диаметър. Процесът на кристализация ще се извършва върху с-равнина от родния GaN семена. За тази цел е необходим прецизен контрол на свръхнасищането на повърхността за растеж на кристала. Свръхнасищането трябва да се намали по краищата и страничните стени на растящия кристал. По този начин адсорбцията на видовете растеж на страничните стени ще бъде сведена до минимум, докато растежният човек (c-facet) ще бъде стабилизиран и израснал за произволен период от време. Такива условия ще бъдат постигнати чрез контролиране на термичното поле около растящия кристал. Булето ще достигне окончателната си форма, като се адаптира към термичното поле и няма да приеме своя балансиран навик. (Bulgarian)
Целта на този проект е да се разработи универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в растежа на кристалния галиев нитрид (GaN) от парната фаза. В момента диаметърът на кристализирания GaN намалява във времето. Резултатите от проекта трябва да позволяват отлагане на дебели единични кристални GaN топки с еднакъв или разширяващ се диаметър. Процесът на кристализация ще се извършва върху с-равнище на родния GaN семена. За тази цел е необходим прецизен контрол на свръхнасищането върху растящата повърхност на кристала. Свръхнасищането трябва да бъде намалено по краищата и страничните стени на растящия кристал. По този начин адсорбцията на видовете растеж на страничните стени ще бъде сведена до минимум, докато растежният тип (c-facet) ще бъде стабилизиран и отглеждан за произволен период от време. Такива условия ще бъдат постигнати чрез контролиране на топлинното поле около растящия кристал. Топката ще достигне окончателната си форма, като се адаптира към топлинното поле и не приема своя навик на равновесие. (Bulgarian)
Property / summaryProperty / summary
A projekt célja egy univerzális folyamat kidolgozása a gallium-nitrid (GaN) kristálynövekedés egyensúlyi kristályformájának leküzdésére a gőzfázisból. Jelenleg a Crystallised GaN átmérője időben csökken. A projekt eredményeinek lehetővé kell tenniük az egyenletes vagy bővülő átmérőjű, vastag, egy kristályos GaN boulák lerakódását. A kristályosítási folyamatot az őshonos GaN vetőmag c-síkján végzik. E célból a kristály növekvő felületén a túltelítettség pontos ellenőrzése szükséges. A túltelítettséget csökkenteni kell a növekvő kristály szélein és oldalfalain. Így a növekedési faj adszorpciója az oldalfalakon minimálisra csökken, míg a növekedési srác (c-facet) egy tetszőleges ideig stabilizálódik és kinő. Ezeket a feltételeket a növekvő kristály körüli termikus mező szabályozásával érik el. A sziklák végső alakját úgy érik el, hogy alkalmazkodnak a termikus mezőhöz, és nem veszik figyelembe az egyensúlyi szokásait. (Hungarian)
A projekt célja egy univerzális folyamat kidolgozása az egyensúlyi kristály alakjának leküzdésére gallium-nitrid (GaN) kristályban a gőzfázisból. Jelenleg a kristályos GaN átmérője idővel csökken. A projekt eredményeinek lehetővé kell tenniük az egységes vagy táguló átmérőjű vastag, egykristályos GaN boulák lerakódását. A kristályosítási folyamatot a natív GaN magok c-síkján végzik. Ehhez a kristály növekvő felületén a túltelítettség pontos szabályozására van szükség. A túltelítettséget csökkenteni kell a növekvő kristály szélein és oldalfalain. Ily módon az oldalfalakon lévő növekedési fajok adszorpciója minimálisra csökken, míg a növekedési srác (c-facet) tetszőleges időtartamra stabilizálódik és kinő. Ezeket a feltételeket úgy érik el, hogy ellenőrzik a termikus mezőt a növekvő kristály körül. A boule úgy éri el végső formáját, hogy alkalmazkodik a termikus mezőhöz, és nem veszi figyelembe az egyensúlyi szokását. (Hungarian)
Property / summaryProperty / summary
Is é sprioc an tionscadail seo próiseas uilíoch a fhorbairt chun an cruth criostail cothromaíochta a shárú i bhfás criostail gallium Nitride (GaN) ón gcéim ghal. Faoi láthair, laghdaíonn trastomhas Crystallized GaN in am. Ba chóir go gceadódh torthaí an tionscadail sil-chriostalach tiubh GaN boules le trastomhas aonfhoirmeach nó ag leathnú. Déanfar próiseas criostalaithe ar phlána síolta GaN dúchais. Chun na críche sin, tá rialú beacht supersaturation ar an dromchla crystalâ EURs ag fás is gá. Ba chóir an supersaturation a laghdú ar imill agus ar bhallaí taobh an criostail atá ag fás. Déanfar an bealach seo asaithe ar an speiceas fáis ar na ballaí taobh a íoslaghdú, agus beidh an Guy fáis (c-facet) a chobhsú agus a fhás amach ar feadh tréimhse ama treallach. Bainfear na coinníollacha sin amach tríd an réimse teirmeach a rialú ar fud an criostail atá ag fás. Beidh an boule teacht ar a cruth deiridh ag dul in oiriúint don réimse teirmeach agus ní a ghlacadh ar a nós cothromaíochta. (Irish)
Is é sprioc an tionscadail seo próiseas uilíoch a fhorbairt chun an cruth criostail cothromaíochta a shárú i bhfás criostail nítríde gallium (GaN) ón gcéim ghal. Faoi láthair, laghdaíonn trastomhas GaN criostalaithe in am. Ba chóir go gceadódh torthaí an tionscadail sil-chriostalach tiubh GaN boules le trastomhas aonfhoirmeach nó ag leathnú. Déanfar próiseas criostalaithe ar phlána síolta GaN dúchais. Chun na críche sin, tá gá le rialú beacht supersaturation ar dhromchla fáis an chriostail. Ba chóir an supersaturation a laghdú ar imill agus ar bhallaí taobh an criostail atá ag fás. Déanfar an bealach seo asaithe ar an speiceas fáis ar na ballaí taobh a íoslaghdú, agus beidh an Guy fáis (c-facet) a chobhsú agus a fhás amach ar feadh tréimhse ama treallach. Bainfear na coinníollacha sin amach tríd an réimse teirmeach a rialú ar fud an criostail atá ag fás. Beidh an boule teacht ar a cruth deiridh ag dul in oiriúint don réimse teirmeach agus ní a ghlacadh ar a nós cothromaíochta. (Irish)
Property / summaryProperty / summary
Målet med detta projekt är att utveckla en universell process för att övervinna jämviktskristallen i galliumnitrid (GaN) kristalltillväxt från ångfasen. För närvarande minskar diametern på kristalliserad GaN i tiden. Resultaten av projektet bör möjliggöra nedfall av tjocka enskilda kristallina GaN-boules med en jämn eller expanderande diameter. Kristallisationsprocessen kommer att utföras på c-plan av inhemskt GaN-frö. För detta ändamål är exakt kontroll av övermättnad på kristallens växande yta nödvändig. Övermättringen bör minskas på kanterna och sidoväggarna på den växande kristallen. På så sätt kommer adsorptionen av tillväxtarterna på sidoväggarna att minimeras, medan tillväxtkillen (c-facet) kommer att stabiliseras och växa ut under en godtycklig tidsperiod. Sådana förhållanden kommer att uppnås genom att kontrollera det termiska fältet runt den växande kristallen. Boulen kommer att nå sin slutliga form genom att anpassa sig till det termiska fältet och inte ta sin jämvikt vana. (Swedish)
Målet med detta projekt är att utveckla en universell process för att övervinna jämviktskristallformen i galliumnitrid (GaN) kristalltillväxt från ångfasen. För närvarande minskar diametern på kristalliserade GaN i tid. Resultaten av projektet bör möjliggöra avsättning av tjocka enstaka kristallina GaN-boules med en enhetlig eller expanderande diameter. Kristalliseringsprocessen kommer att utföras på c-plan av infödda GaN-frö. För detta ändamål är exakt kontroll av övermättnad på kristallens växande yta nödvändig. Övermättnad bör reduceras på kanterna och sidoväggarna på den växande kristallen. På så sätt kommer adsorption av tillväxtarter på sidoväggarna att minimeras, medan tillväxtkillen (c-facet) kommer att stabiliseras och odlas under en godtycklig tidsperiod. Sådana förhållanden kommer att uppnås genom att kontrollera det termiska fältet runt den växande kristallen. Boule kommer att nå sin slutliga form genom att anpassa sig till det termiska fältet och inte ta sin jämvikt vana. (Swedish)
Property / summaryProperty / summary
Selle projekti eesmärk on töötada välja universaalne protsess tasakaalukristalli kuju ületamiseks galliumnitriidkristalli (GaN) kristallide kasvu aurufaasist. Praegu väheneb kristalliseeritud GaN-i läbimõõt ajas. Projekti tulemused peaksid võimaldama ühtlase või laieneva läbimõõduga paksu monokristallilise GaN-i bouli sadestumist. Kristalliseerumisprotsess viiakse läbi loodusliku GaN-seemne C-tasapinnal. Selleks on vaja täpselt kontrollida üleküllastust kristalli kasvaval pinnal. Üleküllastust tuleks vähendada kasvava kristalli servadel ja külgedel. Sel viisil adsorptsiooni kasvu liigid külgseinad on minimeeritud, samas kasvu mees (c-tah) stabiliseeritakse ja välja kasvanud suvalise aja jooksul. Sellised tingimused saavutatakse termilise välja kontrollimisega kasvava kristalli ümber. Pulss saavutab oma lõpliku kuju, kohanedes termilise väljaga ja ei võta oma tasakaalu harjumust. (Estonian)
Selle projekti eesmärk on töötada välja universaalne protsess tasakaalu kristallkuju ületamiseks galliumnitriidi (GaN) kristallide kasvust aurufaasis. Praegu väheneb kristalliseeritud GaN-i läbimõõt aja jooksul. Projekti tulemused peaksid võimaldama ühtlase või laieneva läbimõõduga paksude kristalliliste GaN-kuulide sadestumist. Kristalliseerumise protsess viiakse läbi loodusliku GaNi seemne c-tasapinnal. Selleks on vaja kristalli kasvaval pinnal superküllastumise täpset kontrolli. Üleküllastumist tuleks vähendada kasvava kristalli servadel ja külgseintel. Sel viisil minimeeritakse kasvuliikide adsorptsiooni külgseintel, samal ajal kui kasvumees (c-facet) stabiliseeritakse ja kasvatatakse meelevaldseks perioodiks. Sellised tingimused saavutatakse soojusvälja kontrollimisega kasvava kristalli ümber. Kuul saavutab oma lõpliku kuju, kohanedes soojusväljaga ja ei võta oma tasakaalu harjumust. (Estonian)
Property / contained in Local Administrative Unit
 
Property / contained in Local Administrative Unit: Gdańsk / rank
 
Normal rank
Property / thematic objective
 
Property / thematic objective: Research and innovation / rank
 
Normal rank
Property / end time
 
30 June 2022
Timestamp+2022-06-30T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / end time: 30 June 2022 / rank
 
Normal rank
Property / date of last update
 
6 July 2023
Timestamp+2023-07-06T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / date of last update: 6 July 2023 / rank
 
Normal rank

Latest revision as of 22:03, 12 October 2024

Project Q84341 in Poland
Language Label Description Also known as
English
A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase
Project Q84341 in Poland

    Statements

    country
    Poland
    0 references
    EU contribution
    3,442,573.65 zloty
    0 references
    765,284.12 Euro
    exchange rate to Euro
    0.24 Euro
    point in time
    13 January 2020
    0 references
    budget
    3,442,573.65 zloty
    0 references
    765,284.12 Euro
    exchange rate to Euro
    0.24 Euro
    point in time
    13 January 2020
    0 references
    co-financing rate
    100.0 percent
    0 references
    start time
    1 October 2018
    0 references
    end time
    30 June 2022
    0 references
    beneficiary name (string)
    INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
    0 references
    beneficiary
    Q2513832
    0 references
    coordinate location

    54°24'47.23"N, 18°32'5.06"E
    inferred from
    location
    0 references
    summary
    The goal of this project is to develop a universal process for overcoming the equilibrium crystal shape in gallium nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of crystallized GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallization process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimized, while the growth facet (c-facet) will be stabilized and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (Polish)
    0 references
    The goal of this project is to develop a universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in gallium Nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of Crystallised GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallisation process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimised, while the growth guy (c-facet) will be stabilised and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (English)
    point in time
    14 October 2020
    readability score
    0.6714797238851047
    0 references
    L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme du cristal d’équilibre dans la croissance du cristal de gallium (GaN) à partir de la phase de vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules GaN simples cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur plan c de graines indigènes de GaN. À cette fin, un contrôle précis de la sursaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La sursaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption des espèces de croissance sur les parois latérales sera minimisée, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et cultivé pour une période de temps arbitraire. De telles conditions seront atteintes en contrôlant le champ thermique autour du cristal de croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French)
    point in time
    30 November 2021
    0 references
    Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boules mit einem gleichmäßigen oder expandierenden Durchmesser ermöglichen. Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene von nativem GaN-Samen durchgeführt. Zu diesem Zweck ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Rändern und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsarten an den Seitenwänden minimiert, während der Wachstumstyp (c-facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Kontrolle des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Der Boule wird seine endgültige Form erreichen, indem er sich an das thermische Feld anpasst und nicht seine Gleichgewichtsgewohnheit nimmt. (German)
    point in time
    7 December 2021
    0 references
    Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in galliumnitride (GaN) kristalgroei uit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkelkristallijne GaN-boules met een uniforme of uitbreidende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vlak van inheemse GaN zaad. Voor dit doel is een nauwkeurige controle van de superverzadiging op het groeiende oppervlak van het kristal nodig. De oververzadiging moet worden verminderd aan de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoorten op de zijwanden worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) voor een willekeurige periode zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid. Dergelijke omstandigheden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te controleren. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermisch veld en zijn evenwichtsgewoonte niet aan te nemen. (Dutch)
    point in time
    16 December 2021
    0 references
    L'obiettivo di questo progetto è quello di sviluppare un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita del nitruro di gallio (GaN) dalla fase del vapore. Attualmente, il diametro del GaN cristallizzato diminuisce nel tempo. I risultati del progetto dovrebbero consentire la deposizione di spesse boule monocristallino GaN con un diametro uniforme o in espansione. Il processo di cristallizzazione sarà effettuato su un piano c di semi nativi di GaN. A questo scopo, è necessario un controllo preciso della sovrasaturazione sulla superficie di crescita del cristallo. La sovrasaturazione dovrebbe essere ridotta sui bordi e sui fianchi del cristallo in crescita. In questo modo l'adsorbimento delle specie di crescita sui fianchi sarà ridotto al minimo, mentre il ragazzo della crescita (c-facet) sarà stabilizzato e cresciuto per un periodo di tempo arbitrario. Tali condizioni saranno ottenute controllando il campo termico intorno al cristallo in crescita. Il boule raggiungerà la sua forma finale adattandosi al campo termico e non assumerà la sua abitudine di equilibrio. (Italian)
    point in time
    16 January 2022
    0 references
    El objetivo de este proyecto es desarrollar un proceso universal para superar la forma cristalina de equilibrio en el crecimiento de cristal de nitruro de galio (GaN) desde la fase de vapor. Actualmente, el diámetro de GaN cristalizado disminuye en el tiempo. Los resultados del proyecto deben permitir la deposición de gruesas bolas cristalinas GaN con un diámetro uniforme o en expansión. El proceso de cristalización se llevará a cabo en el plano c de semillas nativas de GaN. Para este propósito, es necesario un control preciso de la supersaturación en la superficie de crecimiento del cristal. La supersaturación debe reducirse en los bordes y paredes laterales del cristal en crecimiento. De esta manera se minimizará la adsorción de las especies de crecimiento en las paredes laterales, mientras que el chico de crecimiento (c-facet) se estabilizará y crecerá durante un período de tiempo arbitrario. Tales condiciones se lograrán mediante el control del campo térmico alrededor del cristal en crecimiento. La boule alcanzará su forma final adaptándose al campo térmico y no tomará su hábito de equilibrio. (Spanish)
    point in time
    19 January 2022
    0 references
    Målet med dette projekt er at udvikle en universel proces til at overvinde ligevægtskrystallformen i galliumnitrid (GaN) krystalvækst fra dampfasen. I øjeblikket falder diameteren af krystalliseret GaN i tide. Resultaterne af projektet bør muliggøre aflejring af tykke enkeltkrystalske GaN boules med en ensartet eller ekspanderende diameter. Krystalliseringsprocessen vil blive udført på c-plan af hjemmehørende GaN frø. Til dette formål er det nødvendigt med præcis kontrol af overmætning på krystallens voksende overflade. Overmætningen bør reduceres på kanterne og sidevæggene af den voksende krystal. På denne måde vil adsorption af vækstarterne på sidevæggene blive minimeret, mens vækstfyren (c-facet) vil blive stabiliseret og dyrket i en vilkårlig periode. Sådanne betingelser vil blive opnået ved at kontrollere det termiske felt omkring den voksende krystal. Boule vil nå sin endelige form ved at tilpasse sig det termiske felt og ikke tage sin ligevægt vane. (Danish)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Ο στόχος αυτού του έργου είναι να αναπτύξει μια καθολική διαδικασία για την υπέρβαση του σχήματος κρυστάλλου ισορροπίας σε νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) κρυσταλλική ανάπτυξη από τη φάση ατμών. Επί του παρόντος, η διάμετρος του κρυσταλλωμένου GaN μειώνεται στο χρόνο. Τα αποτελέσματα του έργου θα πρέπει να επιτρέπουν την εναπόθεση παχιών μονοκρυσταλλικών δακτυλίων GaN με ομοιόμορφη ή διαστελλόμενη διάμετρο. Η διαδικασία κρυστάλλωσης θα πραγματοποιηθεί σε γ-επίπεδο γηγενούς σπόρου GaN. Για το σκοπό αυτό, είναι απαραίτητος ο ακριβής έλεγχος του υπερκορεσμού στην επιφάνεια ανάπτυξης του κρυστάλλου. Ο υπερκορεσμός πρέπει να μειωθεί στις άκρες και τα πλευρικά τοιχώματα του αναπτυσσόμενου κρυστάλλου. Με αυτόν τον τρόπο η προσρόφηση των ειδών ανάπτυξης στα πλευρικά τοιχώματα θα ελαχιστοποιηθεί, ενώ ο τύπος ανάπτυξης (c-facet) θα σταθεροποιηθεί και θα αναπτυχθεί για μια αυθαίρετη χρονική περίοδο. Τέτοιες συνθήκες θα επιτευχθούν με τον έλεγχο του θερμικού πεδίου γύρω από τον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Το boule θα φτάσει στο τελικό σχήμα του με την προσαρμογή στο θερμικό πεδίο και δεν θα πάρει τη συνήθεια ισορροπίας του. (Greek)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Cilj ovog projekta je razviti univerzalni proces za prevladavanje ravnotežnog oblika kristala u galij nitridnom (GaN) kristalnom rastu iz faze pare. Trenutno se promjer kristaliziranog GaN-a smanjuje u vremenu. Rezultati projekta trebali bi omogućiti taloženje debelih pojedinačnih kristalnih GaN blokova s ujednačenim ili proširenim promjerom. Proces kristalizacije provodit će se na c-ravnini izvornog GaN sjemena. U tu svrhu potrebna je precizna kontrola superzasićivanja na rastućoj površini kristala. Superzasićivanje treba smanjiti na rubovima i bočnim stijenkama rastućeg kristala. Na taj će se način adsorpcija vrsta rasta na bočnim stijenkama svesti na najmanju moguću mjeru, dok će se tip rasta (c-facet) stabilizirati i izrasti za proizvoljno vremensko razdoblje. Takvi uvjeti će se postići kontroliranjem toplinskog polja oko rastućeg kristala. Boula će doći do svog konačnog oblika prilagođavajući se termalnom polju i ne uzima svoju ravnotežnu naviku. (Croatian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Scopul acestui proiect este de a dezvolta un proces universal de depășire a formei cristaline de echilibru în nitrură de galiu (GaN) din faza de vapori. În prezent, diametrul GaN cristalizat scade în timp. Rezultatele proiectului ar trebui să permită depunerea de boluri groase monocristaline GaN cu un diametru uniform sau în expansiune. Procesul de cristalizare va fi efectuat pe planul c al semințelor native de GaN. În acest scop, este necesar un control precis al suprasaturației pe suprafața în creștere a cristalului. Suprasaturarea trebuie redusă pe marginile și pereții laterali ai cristalului în creștere. În acest fel, adsorbția speciilor de creștere de pe pereții laterali va fi redusă la minimum, în timp ce tipul de creștere (c-facet) va fi stabilizat și cultivat pentru o perioadă de timp arbitrară. Astfel de condiții vor fi atinse prin controlul câmpului termic din jurul cristalului în creștere. Bolul va ajunge la forma sa finală prin adaptarea la câmpul termic și nu își va lua obiceiul de echilibru. (Romanian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Cieľom tohto projektu je vyvinúť univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho kryštálového tvaru v raste kryštálov nitridu gália (GaN) z fázy pary. V súčasnosti sa priemer kryštalizovanej GaN časom znižuje. Výsledky projektu by mali umožniť ukladanie hrubých monokryštalických GaN boulov s rovnomerným alebo rozširujúcim sa priemerom. Kryštalizačný proces sa bude vykonávať na c-plane natívneho semena GaN. Na tento účel je potrebná presná kontrola presýtenia na rastúcom povrchu kryštálu. Supersýtosť by sa mala znížiť na okrajoch a bočných stenách rastúceho kryštálu. Týmto spôsobom adsorpcia rastového druhu na bočných stenách bude minimalizovaná, zatiaľ čo rastový chlap (c-facet) sa stabilizuje a vyrastie na ľubovoľné časové obdobie. Takéto podmienky sa dosiahnu reguláciou tepelného poľa okolo rastúceho kryštálu. Guľa dosiahne svoj konečný tvar prispôsobením sa tepelnému poľu a nebude mať svoj rovnovážny zvyk. (Slovak)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    L-għan ta ‘dan il-proġett huwa li jiġi żviluppat proċess universali biex tingħeleb il-forma tal-kristall tal-ekwilibriju fit-tkabbir tal-kristall tan-nitrur tal-gallju (GaN) mill-fażi tal-fwar. Bħalissa, id-dijametru tal-GaN kristallizzat jonqos fiż-żmien. Ir-riżultati tal-proġett għandhom jippermettu d-depożizzjoni ta’ boules kristallini ħoxnin GaN b’dijametru uniformi jew li jespandi. Il-proċess tal-kristallizzazzjoni se jitwettaq fuq il-pjan-c taż-żerriegħa indiġena tal-GaN. Għal dan il-għan, huwa meħtieġ kontroll preċiż tas-supersaturation fuq il-wiċċ li qed jikber tal-kristall. Is-supersaturation għandha titnaqqas fuq it-truf u l-ħitan tal-ġenb tal-kristall li qed jikber. B’dan il-mod l-assorbiment tal-ispeċi tat-tkabbir fuq il-ġnub se jiġi minimizzat, filwaqt li l-guy tat-tkabbir (c-facet) se jiġi stabbilizzat u mkabbar għal perjodu ta’ żmien arbitrarju. Kundizzjonijiet bħal dawn jinkisbu billi jiġi kkontrollat il-kamp termali madwar il-kristall li qed jikber. Il-boule jilħaq il-forma finali tiegħu billi jadatta għall-kamp termali u mhux jieħu l-vizzju tal-ekwilibriju tiegħu. (Maltese)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    O objetivo deste projeto é desenvolver um processo universal para superar a forma cristalina de equilíbrio no crescimento de nitreto de gálio (GaN) a partir da fase de vapor. Atualmente, o diâmetro do GaN cristalizado diminui com o tempo. Os resultados do projeto devem permitir a deposição de boules de GaN monocristalinos espessos com um diâmetro uniforme ou em expansão. O processo de cristalização será realizado no plano C das sementes de GaN nativas. Para o efeito, é necessário um controlo preciso da supersaturação na superfície de crescimento do cristal. A supersaturação deve ser reduzida nas bordas e paredes laterais do cristal em crescimento. Desta forma, a adsorção das espécies de crescimento nas paredes laterais será minimizada, enquanto o indivíduo de crescimento (faceta c) será estabilizado e crescido por um período de tempo arbitrário. Tais condições serão alcançadas através do controlo do campo térmico em torno do cristal em crescimento. O boule vai atingir a sua forma final, adaptando-se ao campo térmico e não assumir o seu hábito de equilíbrio. (Portuguese)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Hankkeen tavoitteena on kehittää universaali prosessi galliumnitridin (GaN) kristallinmuodostuksen tasapainottamiseksi höyryfaasista. Tällä hetkellä kiteytetyn GaN: n halkaisija pienenee ajassa. Hankkeen tulosten pitäisi mahdollistaa paksujen yksikiteisten GaN-rullien laskeuma, joiden halkaisija on tasainen tai laajeneva. Kiteyttämisprosessi suoritetaan natiivien GaN-siementen c-tasolle. Tätä varten tarvitaan tarkkaa supersaturaatiota kristallin kasvavalla pinnalla. Supersaturaatiota tulisi vähentää kasvavan kristallin reunoilla ja sivuseinillä. Näin kasvulajin adsorptio sivuseinillä minimoidaan, kun taas kasvukaveri (c-facet) vakautetaan ja kasvatetaan mielivaltaiseksi ajanjaksoksi. Tällaiset olosuhteet saavutetaan ohjaamalla lämpökenttää kasvavan kristallin ympärillä. Boule saavuttaa lopullisen muotonsa sopeutumalla lämpökenttään eikä ota tasapainoa. (Finnish)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Cilj tega projekta je razviti univerzalni proces za premagovanje ravnotežne kristalne oblike v rasti kristalov galijevega nitrida (GaN) iz faze pare. Trenutno se premer kristaliziranega GaN zmanjšuje v času. Rezultati projekta morajo omogočati odlaganje debelih posameznih kristalnih GaN bulov z enotnim ali raztegljivim premerom. Postopek kristalizacije se bo izvajal na ravnini c avtohtonega semena GaN. V ta namen je potreben natančen nadzor nadnasičenosti na rastni površini kristala. Nadnasičenost je treba zmanjšati na robovih in stranskih stenah rastočega kristala. Na ta način se bo zmanjšala adsorpcija rastnih vrst na bočnicah, medtem ko bo rastni fant (c-facet) stabiliziran in vzgojen za poljubno časovno obdobje. Takšni pogoji bodo doseženi z nadzorovanjem toplotnega polja okoli rastočega kristala. Bul bo dosegel svojo končno obliko tako, da se bo prilagodil na termično polje in ne bo prevzel njegove ravnovesne navade. (Slovenian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Cílem tohoto projektu je vyvinout univerzální proces pro překonání rovnovážného krystalického tvaru v růstu krystalu gallium nitridu (GaN) z fáze páry. V současné době se průměr krystalizovaného GaN snižuje v čase. Výsledky projektu by měly umožnit ukládání silných jednoduchých krystalických kuliček GaN s rovnoměrným nebo rozšiřujícím průměrem. Krystalizační proces se provede na c-ploše rodného semene GaN. Pro tento účel je nutná přesná kontrola supersaturace na rostoucím povrchu krystalu. Supersaturace by měla být snížena na okrajích a bočnic rostoucího krystalu. Tímto způsobem bude adsorpce růstových druhů na bočnicách minimalizována, zatímco růstový člověk (c-facet) bude stabilizován a vypěstován na libovolné časové období. Těchto podmínek bude dosaženo kontrolou tepelného pole kolem rostoucího krystalu. Boule dosáhne svého konečného tvaru tím, že se přizpůsobí tepelnému poli a nevezme si svůj rovnovážný zvyk. (Czech)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Šio projekto tikslas – sukurti universalų procesą, kaip įveikti pusiausvyros kristalų formą galio nitrido (GaN) kristalų augimui iš garų fazės. Šiuo metu kristalizuoto GaN skersmuo laikui bėgant mažėja. Projekto rezultatai turėtų leisti nusodinti storus vieno kristalinio GaN ruošinius, kurių skersmuo yra vienodas arba plečiamas. Kristalizacijos procesas bus atliekamas ant C-plane gimtosios GaN sėklos. Šiuo tikslu būtina tiksliai kontroliuoti besiplečiantį kristalo paviršių. Persotinimas turėtų būti sumažintas ant augančio kristalo kraštų ir šoninių sienelių. Tokiu būdu augimo rūšių adsorbcija ant šoninių sienelių bus sumažinta, o augimo vaikinas (c-facet) bus stabilizuotas ir išaugs savavališkai. Tokios sąlygos bus pasiektos kontroliuojant šiluminį lauką aplink augantį kristalą. Ruošinys pasieks savo galutinę formą prisitaikant prie šiluminio lauko, o ne jo pusiausvyros įpročio. (Lithuanian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Šī projekta mērķis ir izstrādāt universālu procesu, lai pārvarētu līdzsvara kristāla formu gallija nitrīda (GaN) kristāla augšanu no tvaika fāzes. Pašlaik kristalizētā GaN diametrs samazinās laikā. Projekta rezultātiem jāļauj nogulsnēties biezas atsevišķas kristāliskas GaN bules ar viendabīgu vai paplašinātu diametru. Kristalizācijas process tiks veikts ar vietējo GaN sēklu c-plakni. Šim nolūkam ir nepieciešama precīza supersaturācijas kontrole uz kristāla augšanas virsmas. Supersaturācija jāsamazina uz augošā kristāla malām un sānsienām. Tādā veidā augšanas sugu adsorbcija uz sāniem tiks samazināta līdz minimumam, bet augšanas puisis (c-facet) tiks stabilizēts un izaudzēts uz patvaļīgu laika periodu. Šādi apstākļi tiks sasniegti, kontrolējot siltuma lauku ap augošo kristālu. Buļļa gala formu sasniegs, pielāgojoties termiskajam laukam un neizmantojot savu līdzsvara paradumu. (Latvian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Целта на този проект е да се разработи универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в растежа на кристалния галиев нитрид (GaN) от парната фаза. В момента диаметърът на кристализирания GaN намалява във времето. Резултатите от проекта трябва да позволяват отлагане на дебели единични кристални GaN топки с еднакъв или разширяващ се диаметър. Процесът на кристализация ще се извършва върху с-равнище на родния GaN семена. За тази цел е необходим прецизен контрол на свръхнасищането върху растящата повърхност на кристала. Свръхнасищането трябва да бъде намалено по краищата и страничните стени на растящия кристал. По този начин адсорбцията на видовете растеж на страничните стени ще бъде сведена до минимум, докато растежният тип (c-facet) ще бъде стабилизиран и отглеждан за произволен период от време. Такива условия ще бъдат постигнати чрез контролиране на топлинното поле около растящия кристал. Топката ще достигне окончателната си форма, като се адаптира към топлинното поле и не приема своя навик на равновесие. (Bulgarian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    A projekt célja egy univerzális folyamat kidolgozása az egyensúlyi kristály alakjának leküzdésére gallium-nitrid (GaN) kristályban a gőzfázisból. Jelenleg a kristályos GaN átmérője idővel csökken. A projekt eredményeinek lehetővé kell tenniük az egységes vagy táguló átmérőjű vastag, egykristályos GaN boulák lerakódását. A kristályosítási folyamatot a natív GaN magok c-síkján végzik. Ehhez a kristály növekvő felületén a túltelítettség pontos szabályozására van szükség. A túltelítettséget csökkenteni kell a növekvő kristály szélein és oldalfalain. Ily módon az oldalfalakon lévő növekedési fajok adszorpciója minimálisra csökken, míg a növekedési srác (c-facet) tetszőleges időtartamra stabilizálódik és kinő. Ezeket a feltételeket úgy érik el, hogy ellenőrzik a termikus mezőt a növekvő kristály körül. A boule úgy éri el végső formáját, hogy alkalmazkodik a termikus mezőhöz, és nem veszi figyelembe az egyensúlyi szokását. (Hungarian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Is é sprioc an tionscadail seo próiseas uilíoch a fhorbairt chun an cruth criostail cothromaíochta a shárú i bhfás criostail nítríde gallium (GaN) ón gcéim ghal. Faoi láthair, laghdaíonn trastomhas GaN criostalaithe in am. Ba chóir go gceadódh torthaí an tionscadail sil-chriostalach tiubh GaN boules le trastomhas aonfhoirmeach nó ag leathnú. Déanfar próiseas criostalaithe ar phlána síolta GaN dúchais. Chun na críche sin, tá gá le rialú beacht supersaturation ar dhromchla fáis an chriostail. Ba chóir an supersaturation a laghdú ar imill agus ar bhallaí taobh an criostail atá ag fás. Déanfar an bealach seo asaithe ar an speiceas fáis ar na ballaí taobh a íoslaghdú, agus beidh an Guy fáis (c-facet) a chobhsú agus a fhás amach ar feadh tréimhse ama treallach. Bainfear na coinníollacha sin amach tríd an réimse teirmeach a rialú ar fud an criostail atá ag fás. Beidh an boule teacht ar a cruth deiridh ag dul in oiriúint don réimse teirmeach agus ní a ghlacadh ar a nós cothromaíochta. (Irish)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Målet med detta projekt är att utveckla en universell process för att övervinna jämviktskristallformen i galliumnitrid (GaN) kristalltillväxt från ångfasen. För närvarande minskar diametern på kristalliserade GaN i tid. Resultaten av projektet bör möjliggöra avsättning av tjocka enstaka kristallina GaN-boules med en enhetlig eller expanderande diameter. Kristalliseringsprocessen kommer att utföras på c-plan av infödda GaN-frö. För detta ändamål är exakt kontroll av övermättnad på kristallens växande yta nödvändig. Övermättnad bör reduceras på kanterna och sidoväggarna på den växande kristallen. På så sätt kommer adsorption av tillväxtarter på sidoväggarna att minimeras, medan tillväxtkillen (c-facet) kommer att stabiliseras och odlas under en godtycklig tidsperiod. Sådana förhållanden kommer att uppnås genom att kontrollera det termiska fältet runt den växande kristallen. Boule kommer att nå sin slutliga form genom att anpassa sig till det termiska fältet och inte ta sin jämvikt vana. (Swedish)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    Selle projekti eesmärk on töötada välja universaalne protsess tasakaalu kristallkuju ületamiseks galliumnitriidi (GaN) kristallide kasvust aurufaasis. Praegu väheneb kristalliseeritud GaN-i läbimõõt aja jooksul. Projekti tulemused peaksid võimaldama ühtlase või laieneva läbimõõduga paksude kristalliliste GaN-kuulide sadestumist. Kristalliseerumise protsess viiakse läbi loodusliku GaNi seemne c-tasapinnal. Selleks on vaja kristalli kasvaval pinnal superküllastumise täpset kontrolli. Üleküllastumist tuleks vähendada kasvava kristalli servadel ja külgseintel. Sel viisil minimeeritakse kasvuliikide adsorptsiooni külgseintel, samal ajal kui kasvumees (c-facet) stabiliseeritakse ja kasvatatakse meelevaldseks perioodiks. Sellised tingimused saavutatakse soojusvälja kontrollimisega kasvava kristalli ümber. Kuul saavutab oma lõpliku kuju, kohanedes soojusväljaga ja ei võta oma tasakaalu harjumust. (Estonian)
    point in time
    26 July 2022
    0 references
    location (string)
    Cały Kraj
    0 references
    date of last update
    6 July 2023
    0 references

    Identifiers

    Polish Kohesio ID
    POIR.04.04.00-00-5CEB/17
    0 references
     
    Retrieved from "https://linkedopendata.eu/w/index.php?title=Item:Q84341&oldid=44473426"