Energy-electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power devices (Q78761): Difference between revisions

From EU Knowledge Graph
Jump to navigation Jump to search
(‎Changed an Item: Import item from Poland)
(‎Changed label, description and/or aliases in pt)
 
(8 intermediate revisions by 2 users not shown)
label / frlabel / fr
Blocs fonctionnels électroniques de puissance basés sur des modules d’instruments de puissance en carbure de silicium faible inductif
Blocs fonctionnels électroniques de puissance basés sur des modules à faible induction avec des instruments de puissance en carbure de silicium
label / delabel / de
Leistungselektronische Funktionsblöcke auf Basis von induktiven Siliziumcarbid-Leistungsinstrumentenmodulen
Leistungselektronische Funktionsblöcke auf Basis von Low-Induktionsmodulen mit Siliziumkarbid-Leistungsinstrumenten
label / nllabel / nl
Power elektronische functionele blokken op basis van laag-inductieve siliciumcarbide vermogensinstrumenten modules
Macht elektronische functionele blokken op basis van lage-inductie modules met siliciumcarbide macht instrumenten
label / itlabel / it
Blocchi funzionali elettronici di potenza basati su moduli di strumenti a carburo di silicio a bassa induzione
Blocchi funzionali elettronici di potenza basati su moduli a bassa induzione con strumenti di potenza in carburo di silicio
label / eslabel / es
Bloques funcionales electrónicos de potencia basados en módulos de instrumentos de potencia de carburo de silicio de baja inducción
Bloques funcionales electrónicos de potencia basados en módulos de baja inducción con instrumentos de potencia de carburo de silicio
label / etlabel / et
Energiaelektroonilised funktsionaalsed plokid, mis põhinevad ränikarbiidi jõuseadmetega madala induktsioonimoodulitel
Ränikarbiidi jõuseadmetega väikese induktsiooniga moodulitel põhinevad elektrilised funktsionaalsed plokid
label / ltlabel / lt
Energijos ir elektroniniai funkciniai blokai, sudaryti iš mažos indukcijos modulių su silicio karbido galios įtaisais
Maitinimo elektroniniai funkciniai blokai, pagrįsti mažos indukcijos moduliais su silicio karbido galios prietaisais
label / hrlabel / hr
Energetski-elektronički funkcionalni blokovi temeljeni na niskoindukcijskim modulima s uređajima za napajanje silicijeva karbida
Električni elektronički funkcionalni blokovi temeljeni na niskoindukcijskim modulima s instrumentima snage silikonskog karbida
label / ellabel / el
Ενεργειακά ηλεκτρονικά λειτουργικά μπλοκ που βασίζονται σε δομοστοιχεία χαμηλής επαγωγής με συσκευές ισχύος καρβιδίου του πυριτίου
Ηλεκτρονικοί λειτουργικοί φραγμοί ισχύος που βασίζονται σε μονάδες χαμηλής επαγωγής με όργανα ισχύος καρβιδίου του πυριτίου
label / sklabel / sk
Energeticky elektronické funkčné bloky založené na nízkoindukčných moduloch s napájacími zariadeniami karbidu kremíka
Výkonové elektronické funkčné bloky založené na nízkoindukčných moduloch s elektrickými prístrojmi z karbidu kremíka
label / filabel / fi
Pieniin induktiomoduuleihin perustuvat energiaelektroniset toiminnalliset lohkot, joissa on piikarbiditeholaitteet
Tehoelektroniset toiminnalliset lohkot, jotka perustuvat matalan induktion moduuleihin, joissa on piikarbiditehoinstrumentit
label / hulabel / hu
Alacsony indukciós modulokon alapuló energia-elektronikus funkcionális blokkok szilícium-karbid tápellátású eszközökkel
Teljesítmény elektronikus funkcionális blokkok alacsony indukciós modulok alapján szilícium-karbid elektromos műszerekkel
label / cslabel / cs
Energeticky elektronické funkční bloky založené na nízkoindukčních modulech s napájecími zařízeními z karbidu křemíku
Výkonové elektronické funkční bloky založené na nízkoindukčních modulech s napájecími přístroji z karbidu křemíku
label / lvlabel / lv
Energoelektroniskie funkcionālie bloki, kuru pamatā ir zemas indukcijas moduļi ar silīcija karbīda barošanas ierīcēm
Jaudas elektroniskie funkcionālie bloki, kuru pamatā ir zemas indukcijas moduļi ar silīcija karbīda jaudas instrumentiem
label / galabel / ga
Bloic feidhme fuinnimh-leictreonacha atá bunaithe ar mhodúil ionduchtaithe íseal le feistí cumhachta chomhdhúile sileacain
Bloic chumhachta feidhmiúla leictreonach atá bunaithe ar mhodúil íseal-innéacs le hionstraimí cumhachta chomhdhúile sileacain
label / sllabel / sl
Energijsko-elektronski funkcionalni bloki, ki temeljijo na modulih z nizko indukcijo s silicijevim karbidom
Močnostni elektronski funkcionalni bloki, ki temeljijo na nizkoindukcijskih modulih z napajalnimi instrumenti iz silicijevega karbida
label / bglabel / bg
Енергийно-електронни функционални блокове на базата на ниско индукционни модули с устройства за захранване от силициев карбид
Силови електронни функционални блокове на базата на модули с ниска индукция със силициев карбид
label / mtlabel / mt
Blokok funzjonali elettroniċi tal-enerġija bbażati fuq moduli ta’ induzzjoni baxxa b’apparat ta’ enerġija bil-karbur tas-silikon
Blokok funzjonali elettroniċi tal-enerġija bbażati fuq moduli b’induzzjoni baxxa bi strumenti tal-enerġija tal-karbur tas-siliċju
label / ptlabel / pt
Blocos funcionais energia-eletrônicos ganzas em módulos de baixa indução com dispositivos de energia de carboneto de silício
Blocos funcionais energia-eletrónicos baseados em módulos de baixa indução com dispositivos elétricos de carboneto de silício
label / dalabel / da
Energielektroniske funktionelle blokke baseret på lavinduktionsmoduler med siliciumcarbideffektudstyr
Power elektroniske funktionelle blokke baseret på lav-induktionsmoduler med siliciumcarbid effektinstrumenter
label / rolabel / ro
Blocuri funcționale energetice-electronice bazate pe module cu inducție redusă cu dispozitive de alimentare cu carbură de siliciu
Blocuri funcționale electronice de putere bazate pe module cu inducție redusă cu instrumente de putere din carbură de siliciu
label / svlabel / sv
Energielektroniska funktionella block baserade på låginduktionsmoduler med kiselkarbidkraftanordningar
Effekt elektroniska funktionella block baserade på låg induktionsmoduler med kiselkarbid effektinstrument
Property / summary: The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English) / qualifier
 
readability score: 0.3865577364368664
Amount0.3865577364368664
Unit1
Property / summaryProperty / summary
La technologie à croissance rapide des instruments de puissance à semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) fournit des composants avec des tensions toujours plus élevées et des courants nominales. Actuellement, il est possible de construire des systèmes électroniques énergétiques avec une puissance de l’ordre de plusieurs dizaines-plusieurs kW avec l’utilisation de transistors et de diodes de puissance disponibles sur le marché avec des tensions de 1200V et 1700V. Ces éléments font partie de modules de puissance dont la technologie est analogue à celle utilisée pour les transistors IGBT de silicium et présente d’importantes inductances parasitaires. Par conséquent, à l’heure actuelle, il n’est pas possible de tirer pleinement parti des excellentes propriétés dynamiques des éléments SiC, il est nécessaire d’avoir des modules de puissance à faible impédance pour les composants SiC sur le marché. En outre, il est également nécessaire de développer des contrôleurs de porte appropriés, des circuits d’alimentation, également à faible inductance, ainsi que des systèmes de refroidissement appropriés. Par conséquent, l’objectif du projet est de développer et de mettre en œuvre pour la production d’un bloc fonctionnel énergétique-électronique universel/bloc de puissance fonctionnelle (FBM), qui est une composante de systèmes électroniques de puissance standard (onduleur de pont, onduleur triphasé, onduleur multi-niveaux) basé sur des modules de puissance à faible impédance. De cette manière, le bloc fonctionnel pourra être utilisé comme une simple extension dans un système électronique à pleine énergie en fonction des besoins du client dans une application donnée. Article 25 du règlement (CE) no 651/2014 du 17 juin 2014 déclarant certaines catégories d’aides compatibles avec le marché intérieur en application des articles 107 et 108 du traité URZ. UE L 187/1 du 26.6.2014) (French)
La technologie à croissance rapide des instruments de puissance semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) fournit des éléments avec des tensions toujours plus élevées et des courants nominales. Actuellement, il est possible de construire des systèmes électroniques de puissance pour la puissance de plusieurs dizaines de centaines de kW en utilisant des transistors et des diodes de puissance avec des tensions de sortie de 1200V et 1700V disponibles sur le marché. Ces éléments font partie de modules de puissance dont la technologie est analogue à celle utilisée pour les transistors de silicium IGBT et présente d’importantes inductances parasitaires. Par conséquent, il n’est actuellement pas possible d’exploiter pleinement les excellentes propriétés dynamiques des composants SiC, il est nécessaire d’introduire des modules de puissance à faible impédance pour les composants SiC sur le marché. En outre, il est également nécessaire de développer des contrôleurs de porte appropriés, des circuits de puissance, également avec une faible inductance ainsi que des systèmes de refroidissement appropriés. Par conséquent, l’objectif du projet est de développer et de mettre en œuvre un bloc de puissance fonctionnel électronique universel (FBM), qui est un composant des systèmes électroniques de puissance standard (onduleur de pont, onduleur triphasé, onduleur multiniveau) basé sur des modules de puissance à faible impédance. De cette façon, le bloc fonctionnel développé sera en mesure d’utiliser ce développement simple dans un système électronique à pleine puissance en fonction des besoins du client dans une application donnée. Article 25 du règlement (CE) no 651/2014 du 17 juin 2014 déclarant certaines catégories d’aides compatibles avec le marché intérieur dans l’application des articles 107 et 108 du traité C’est tout. UE L 187/1 du 26.6.2014) (French)
Property / summaryProperty / summary
Die schnell wachsende Technologie von Siliziumcarbid Halbleiter-Leistungsinstrumenten (SiC) liefert Komponenten mit immer höheren Spannungen und Nennströmen. Derzeit ist es möglich, energieelektronische Systeme mit einer Leistung von mehreren Dutzend kW mit dem Einsatz von Transistoren und Leistungsdioden auf dem Markt mit Spannungen von 1200V und 1700V zu bauen. Diese Elemente sind Teil von Leistungsmodulen, deren Technologie analog zur Silizium-IGBT-Transistoren ist und erhebliche parasitäre Induktivitäten aufweist. Daher ist es derzeit nicht möglich, die hervorragenden dynamischen Eigenschaften von SiC-Elementen voll auszuschöpfen, es ist notwendig, auf dem Markt Low-impedance-Leistungsmodule für SiC-Komponenten zu haben. Darüber hinaus ist es notwendig, geeignete Gate-Controller, Leistungskreise, auch mit geringer Induktivität, sowie geeignete Kühlsysteme zu entwickeln. Ziel des Projektes ist es daher, einen universellen energieelektronischen Funktionsblock/Funktional Power Block (FBM) zu entwickeln und umzusetzen, der Bestandteil von Standard-Power-Elektronik-Systemen (Brückenwechselrichter, Dreiphasen-Wechselrichter, Multi-Level-Wechselrichter) auf Basis von Leistungsmodulen mit niedriger Impedanz ist. Auf diese Weise kann der Funktionsblock je nach Bedarf des Kunden in einer bestimmten Anwendung als einfache Erweiterung in ein vollenergieelektronisches System eingesetzt werden. Artikel 25 der Verordnung (EG) Nr. 651/2014 vom 17. Juni 2014 zur Feststellung der Vereinbarkeit bestimmter Gruppen von Beihilfen mit dem Binnenmarkt in Anwendung der Artikel 107 und 108 AEUV URZ. EU L 187/1 vom 26.6.2014) (German)
Die schnell wachsende Technologie von Siliziumcarbid (SiC) Halbleiter-Leistungsinstrumenten bietet Elemente mit immer höheren Spannungen und Nennströmen. Derzeit ist es möglich, leistungselektronische Systeme für die Leistung von mehreren Dutzend-mehrere hundert kW mit Transistoren und Leistungsdioden mit Ausgangsspannungen von 1200V und 1700V auf dem Markt verfügbar zu bauen. Diese Elemente sind Teil von Leistungsmodulen, deren Technologie analog zu IGBT-Siliziumtransistoren ist und signifikante parasitäre Induktivitäten aufweist. Daher ist es derzeit nicht möglich, die hervorragenden dynamischen Eigenschaften von SiC-Komponenten voll auszuschöpfen, es ist notwendig, Leistungsmodule mit niedriger Impedanz für SiC-Komponenten auf dem Markt einzuführen. Darüber hinaus ist es notwendig, geeignete Gate-Controller, Stromkreise, auch mit geringer Induktivität sowie geeignete Kühlsysteme zu entwickeln. Ziel des Projekts ist es daher, einen universellen Leistungselektronik-Funktionsblock (FBM) zu entwickeln und zu implementieren, der eine Komponente von Standardleistungselektroniksystemen (Brückenwechselrichter, Dreiphasen-Wechselrichter, Mehrebenen-Wechselrichter) auf Basis von Leistungsmodulen mit geringer Impedanz ist. Auf diese Weise wird der entwickelte Funktionsblock in der Lage sein, diese einfache Entwicklung zu einem vollleistungselektronischen System zu nutzen, abhängig von den Bedürfnissen des Kunden in einer bestimmten Anwendung. Artikel 25 der Verordnung (EG) Nr. 651/2014 vom 17. Juni 2014 zur Feststellung der Vereinbarkeit bestimmter Gruppen von Beihilfen mit dem Binnenmarkt in Anwendung der Artikel 107 und 108 AEUV Das war’s. EU L 187/1 vom 26.6.2014) (German)
Property / summaryProperty / summary
De snelgroeiende technologie van siliciumcarbide halfgeleider power instrumenten (SiC) levert componenten met steeds hogere spanningen en nominale stromen. Momenteel is het mogelijk om energieelektronische systemen met een vermogen van enkele tientallen verschillende kW te bouwen met het gebruik van transistors en vermogensdioden beschikbaar op de markt met spanningen van 1200V en 1700V. Deze elementen maken deel uit van vermogensmodules waarvan de technologie analoog is aan die welke wordt gebruikt voor silicium IGBT-transistors en een significante parasitaire inductie heeft. Daarom is het op dit moment niet mogelijk om ten volle te profiteren van de uitstekende dynamische eigenschappen van SiC-elementen, is het noodzakelijk om krachtmodules met lage impedantie voor SiC-componenten op de markt te hebben. Daarnaast is het ook noodzakelijk om geschikte poortcontrollers, stroomkringen, ook met een lage inductie, evenals geschikte koelsystemen te ontwikkelen. Het doel van het project is derhalve de ontwikkeling en uitvoering van een universeel energie-elektronisch functioneel blok/functioneel vermogensblok (FBM), dat een onderdeel is van standaardelektronische elektrische systemen (brugomvormer, driefasige omvormer, omvormer met meerdere niveaus) op basis van vermogensmodules met een lage impedantie. Op deze manier zal het functionele blok kunnen worden gebruikt als een eenvoudige uitbreiding naar een volledig energie-elektronisch systeem, afhankelijk van de behoeften van de klant in een bepaalde toepassing. Artikel 25 van Verordening (EG) nr. 651/2014 van 17 juni 2014 waarbij bepaalde categorieën steun op grond van de artikelen 107 en 108 van het Verdrag met de interne markt verenigbaar worden verklaard URZ. EU L 187/1 van 26.6.2014) (Dutch)
De snelgroeiende technologie van siliciumcarbide (SiC) halfgeleidervermogensinstrumenten biedt elementen met steeds hogere spanningen en nominale stromen. Momenteel is het mogelijk om stroomelektronische systemen te bouwen voor het vermogen van enkele tientallen-verschillende honderden kW met behulp van transistors en vermogensdioden met uitgangsspanningen van 1200V en 1700V beschikbaar op de markt. Deze elementen maken deel uit van power modules waarvan de technologie analoog is aan die gebruikt voor IGBT silicium transistors en heeft significante parasitaire inducties. Daarom is het momenteel niet mogelijk om de uitstekende dynamische eigenschappen van SiC-componenten volledig te benutten, het is noodzakelijk om vermogensmodules met lage impedantie voor SiC-componenten op de markt te introduceren. Daarnaast is het ook noodzakelijk om geschikte poortcontrollers, stroomcircuits, ook met lage inductie en geschikte koelsystemen te ontwikkelen. Daarom is het doel van het project het ontwikkelen en implementeren van een universele power electronic functional block/functional power block (FBM), dat een onderdeel is van standaard vermogenselektronische systemen (brugomvormer, driefasige omvormer, multi-level omvormer) op basis van vermogensmodules met lage impedantie. Op deze manier zal het ontwikkelde functionele blok deze eenvoudige ontwikkeling kunnen gebruiken tot een vol vermogen elektronisch systeem, afhankelijk van de behoeften van de klant in een bepaalde toepassing. Artikel 25 van Verordening (EG) nr. 651/2014 van 17 juni 2014 waarbij bepaalde categorieën steun op grond van de artikelen 107 en 108 van het Verdrag met de interne markt verenigbaar worden verklaard Dat is het. EU L 187/1 van 26.6.2014) (Dutch)
Property / summaryProperty / summary
La tecnologia in rapida crescita degli strumenti di potenza a semiconduttore in carburo di silicio (SiC) fornisce componenti con tensioni sempre più elevate e correnti nominali. Attualmente è possibile costruire sistemi elettronici energetici con potenza dell'ordine di diverse decine di kW con l'utilizzo di transistor e diodi di potenza disponibili sul mercato con tensioni di 1200V e 1700V. Questi elementi fanno parte di moduli di potenza la cui tecnologia è analoga a quella utilizzata per i transistori al silicio IGBT e presenta significative induttanze parassitarie. Pertanto, al momento non è possibile sfruttare appieno le eccellenti proprietà dinamiche degli elementi SiC, è necessario avere sul mercato moduli di potenza a bassa impedenza per componenti SiC. Inoltre, è anche necessario sviluppare adeguati regolatori di cancello, circuiti di alimentazione, anche a bassa induttanza, nonché adeguati sistemi di raffreddamento. Pertanto, l'obiettivo del progetto è quello di sviluppare e implementare per la produzione di un blocco funzionale/blocco funzionale universale di energia elettronica (FBM), che è un componente di sistemi elettronici di potenza standard (inverter ponte, inverter trifase, inverter multilivello) basato su moduli di potenza a bassa impedenza. In questo modo, il blocco funzionale sarà in grado di essere utilizzato come semplice espansione in un sistema elettronico a piena energia a seconda delle esigenze del cliente in una determinata applicazione. Articolo 25 del regolamento (CE) n. 651/2014 del 17 giugno 2014 che dichiara alcune categorie di aiuti compatibili con il mercato interno in applicazione degli articoli 107 e 108 del trattato URZ. UE L 187/1 del 26.6.2014) (Italian)
La tecnologia in rapida crescita degli strumenti di potenza a semiconduttore in carburo di silicio (SiC) fornisce elementi con tensioni e correnti nominali sempre più elevate. Attualmente, è possibile costruire sistemi elettronici di potenza per la potenza di diverse decine di centinaia di kW utilizzando transistor e diodi di potenza con tensioni di uscita di 1200V e 1700V disponibili sul mercato. Questi elementi fanno parte di moduli di potenza la cui tecnologia è analoga a quella utilizzata per i transistor al silicio IGBT e presenta significative induttanze parassitarie. Pertanto, attualmente non è possibile sfruttare appieno le eccellenti proprietà dinamiche dei componenti SiC, è necessario introdurre sul mercato moduli di potenza a bassa impedenza per componenti SiC. Inoltre, è anche necessario sviluppare appositi controller gate, circuiti di potenza, anche con bassa induttanza e sistemi di raffreddamento appropriati. Pertanto, l'obiettivo del progetto è quello di sviluppare e implementare un blocco funzionale elettronico di potenza universale/blocco funzionale (FBM), che è un componente di sistemi elettronici di potenza standard (invertitore a ponte, inverter trifase, inverter multilivello) basato su moduli di potenza a bassa impedenza. In questo modo, il blocco funzionale sviluppato sarà in grado di utilizzare questo semplice sviluppo in un sistema elettronico a piena potenza a seconda delle esigenze del cliente in una determinata applicazione. Articolo 25 del regolamento (CE) n. 651/2014, del 17 giugno 2014, che dichiara talune categorie di aiuti compatibili con il mercato interno nell'applicazione degli articoli 107 e 108 del trattato È tutto qui. UE L 187/1 del 26.6.2014) (Italian)
Property / summaryProperty / summary
La tecnología de rápido crecimiento de los instrumentos de potencia de semiconductores de carburo de silicio (SiC) ofrece componentes con tensiones cada vez más altas y corrientes nominales. Actualmente, es posible construir sistemas electrónicos de energía con una potencia del orden de varias docenas de kW con el uso de transistores y diodos de potencia disponibles en el mercado con tensiones de 1200V y 1700V. Estos elementos forman parte de módulos de potencia cuya tecnología es análoga a la utilizada para los transistores IGBT de silicio y tiene importantes inductancias parasitarias. Por lo tanto, en la actualidad no es posible aprovechar al máximo las excelentes propiedades dinámicas de los elementos de SiC, es necesario tener módulos de potencia de baja impedancia para los componentes de SiC en el mercado. Además, también es necesario desarrollar controladores de compuerta adecuados, circuitos de alimentación, también con baja inductancia, así como sistemas de refrigeración adecuados. Por lo tanto, el objetivo del proyecto es desarrollar e implementar para la producción de un bloque funcional electrónico de energía/bloque de potencia funcional (FBM), que es un componente de los sistemas electrónicos de potencia estándar (inversor puente, inversor trifásico, inversor multinivel) basado en módulos de potencia de baja impedancia. De esta manera, el bloque funcional podrá ser utilizado como una simple expansión en un sistema electrónico de energía completa dependiendo de las necesidades del cliente en una aplicación determinada. Artículo 25 del Reglamento (CE) n.º 651/2014, de 17 de junio de 2014, por el que se declaran determinadas categorías de ayudas compatibles con el mercado interior en aplicación de los artículos 107 y 108 del Tratado URZ. EU L 187/1 de 26.6.2014) (Spanish)
La tecnología de rápido crecimiento de los instrumentos de potencia de semiconductores de carburo de silicio (SiC) proporciona elementos con voltajes cada vez más altos y corrientes nominales. Actualmente, es posible construir sistemas electrónicos de potencia para la potencia de varias docenas de cientos de kW utilizando transistores y diodos de potencia con voltajes de salida de 1200V y 1700V disponibles en el mercado. Estos elementos forman parte de módulos de potencia cuya tecnología es análoga a la utilizada para los transistores de silicio IGBT y tiene importantes inductancias parasitarias. Por lo tanto, actualmente no es posible explotar plenamente las excelentes propiedades dinámicas de los componentes SiC, es necesario introducir módulos de potencia de baja impedancia para componentes SiC en el mercado. Además, también es necesario desarrollar controladores de compuerta adecuados, circuitos de potencia, también con baja inductancia, así como sistemas de refrigeración apropiados. Por lo tanto, el objetivo del proyecto es desarrollar e implementar un bloque funcional electrónico de potencia universal/bloque de potencia funcional (FBM), que es un componente de los sistemas electrónicos de potencia estándar (inversor de puente, inversor trifásico, inversor multinivel) basado en módulos de potencia de baja impedancia. De esta manera, el bloque funcional desarrollado podrá utilizar este simple desarrollo en un sistema electrónico de potencia completa dependiendo de las necesidades del cliente en una aplicación determinada. Artículo 25 del Reglamento (CE) n.º 651/2014, de 17 de junio de 2014, por el que se declaran determinadas categorías de ayudas compatibles con el mercado interior en la aplicación de los artículos 107 y 108 del Tratado Eso es todo. UE L 187/1 de 26.6.2014) (Spanish)
Property / summaryProperty / summary
Kiiresti kasvav pooljuht ränikarbiidi võimsus (SiC) tehnoloogia pakub üha kõrgepinge ja nimivoolud. Nüüd on võimalik ehitada energia-elektroonilisi süsteeme võimsus mitukümmend-sada kW kasutades transistorid ja võimsus dioodid 1200V ja 1700V liigpinge turul saadaval. Need elemendid on osa toitemoodulitest, mille tehnoloogia on analoogne sellega, mida kasutatakse ränitransistorite IGBT-s, ja millel on märkimisväärne parasiitide induktsioon. Seetõttu ei ole praegu võimalik täielikult ära kasutada ränikarbiidi elementide suurepäraseid dünaamilisi omadusi, mistõttu on vaja turule siseneda ränikarbiidi elementide jaoks ette nähtud madala takistusega energiamoodulitega. Lisaks on vaja välja töötada ka asjakohased väravakontrollerid, vooluahelad, ka madala induktsiooniga ja nõuetekohased jahutussüsteemid. Seetõttu on projekti eesmärk töötada välja ja rakendada universaalse energiaelektroonilise funktsionaalse/funktsionaalse jõuploki (FBM) tootmine, mis on standardsete energiasüsteemide (sildlaine, kolmefaasiline inverter, mitmetasandiline inverter) alakoost, mis põhineb vähese mõjuga energiamoodulitel. Sel viisil, funktsionaalne plokk on võimalik kasutada seda lihtsat arengut täielik energia-elektrooniline süsteem sõltuvalt kliendi vajadustele rakenduses. EÜ 17. juuni 2014. aasta määruse (EL) nr 651/2014 (ELi toimimise lepingu artiklite 107 ja 108 kohaldamise kohta, millega teatavat liiki abi tunnistatakse siseturuga kokkusobivaks) artikkel 25 (ELT L. EL L 187/1, 26.6.2014) (Estonian)
Ränikarbiidi (SiC) pooljuhtseadmete kiiresti kasvav tehnoloogia pakub elemente, millel on üha kõrgem pinge ja nimivool. Praegu on võimalik ehitada jõuelektroonilisi süsteeme mitme tosinada kW võimsusega transistoride ja võimsusdioodidega, mille väljundpinge on 1200V ja 1700V. Need elemendid on osa jõumoodulitest, mille tehnoloogia on analoogne IGBT ränitransistorite tehnoloogiaga ja millel on märkimisväärsed parasiitsed induktiivsused. Seetõttu ei ole praegu võimalik täielikult ära kasutada ränikarbiidi komponentide suurepäraseid dünaamilisi omadusi, on vaja turule tuua vähese takistusega jõumoodulid ränikarbiidi komponentide jaoks. Lisaks on vaja välja töötada ka sobivad lüüsikontrollerid, toiteahelad, samuti madala induktiivsusega ja sobivad jahutussüsteemid. Seetõttu on projekti eesmärk arendada ja rakendada universaalset elektroonilist funktsionaalset blokki/funktsionaalset toiteplokki (FBM), mis on standardsete elektrooniliste jõusüsteemide (silla inverter, kolmefaasiline inverter, mitmetasandiline inverter) komponent, mis põhineb väikese takistusega toitemoodulitel. Sel viisil saab välja töötatud funktsionaalne plokk kasutada seda lihtsat arendust täisvõimsusega elektrooniliseks süsteemiks, sõltuvalt kliendi vajadustest antud rakenduses. Euroopa Liidu toimimise lepingu artiklite 107 ja 108 kohaldamise kohta 17. juuni 2014. aasta määruse (EL) nr 651/2014 (millega teatavat liiki abi tunnistatakse siseturuga kokkusobivaks) artikkel 25 See on kõik. EL L 187/1, 26.6.2014) (Estonian)
Property / summaryProperty / summary
Sparčiai auganti puslaidininkių silicio karbido galios (SiC) technologija užtikrina vis aukštesnę įtampą ir nominalias sroves. Dabar galima sukurti kelių dešimčių kelių šimtų kW galios energijos elektronines sistemas, naudojant tranzistorius ir galios diodus, turinčius 1200V ir 1700 V viršįtampių įtampą rinkoje. Šie elementai yra dalis elektros modulių, kurių technologija yra analogiška technologijai, naudojamai silicio tranzistoriams IGBT, ir pasižymi didelėmis parazitinėmis indukcijomis. Todėl šiuo metu neįmanoma visiškai išnaudoti puikių SiC elementų dinaminių savybių, būtina patekti į rinką su mažos varžos galios moduliais, skirtais SiC elementams. Be to, taip pat būtina sukurti tinkamus vartų valdiklius, elektros grandines, taip pat su maža indukcija ir tinkamomis aušinimo sistemomis. Todėl projekto tikslas – sukurti ir įgyvendinti universalų energijos elektroninį funkcinį/funkcinį galios bloką (FBM), kuris yra standartinių energijos sistemų (tiltų bangos, trifazio keitiklio, daugiapakopio keitiklio) mazgas, pagrįstas mažai varžančiais energijos moduliais. Tokiu būdu, funkcinis blokas galės naudoti šią paprastą plėtrą į visą energijos-elektroninės sistemos, priklausomai nuo kliento poreikius taikymo. 2014 m. birželio 17 d. EB reglamento Nr. 651/2014, skelbiančio tam tikrų rūšių pagalbą suderinama su vidaus rinka taikant Sutarties 107 ir 108 straipsnius, 25 straipsnis (OL L. 2014 m. birželio 26 d. ES L 187/1) (Lithuanian)
Sparčiai auganti silicio karbido (SiC) puslaidininkių galios instrumentų technologija suteikia elementams vis aukštesnę įtampą ir vardines sroves. Šiuo metu galima sukurti galios elektronines sistemas, skirtas kelių dešimčių kelių šimtų kW galiai, naudojant tranzistorius ir galios diodus, kurių išėjimo įtampa yra 1200V ir 1700V. Šie elementai yra dalis galios modulių, kurių technologija yra analogiška IGBT silicio tranzistoriams ir turi didelį parazitinį induktyvumą. Todėl šiuo metu neįmanoma visiškai išnaudoti puikių dinamiškų SiC komponentų savybių, todėl rinkoje būtina įdiegti mažos varžos galios modulius SiC komponentams. Be to, taip pat būtina sukurti tinkamus vartų valdiklius, galios grandines, taip pat mažo induktyvumo ir atitinkamas aušinimo sistemas. Todėl projekto tikslas – sukurti ir įgyvendinti universalų galios elektroninį funkcinį bloką/funkcinį galios bloką (FBM), kuris yra standartinių galios elektroninių sistemų (tiltų keitiklio, trifazio inverterio, daugiapakopio inverterio) komponentas, pagrįstas mažos varžos galios moduliais. Tokiu būdu sukurtas funkcinis blokas galės naudoti šią paprastą plėtrą į pilnos galios elektroninę sistemą, priklausomai nuo kliento poreikių konkrečioje programoje. 2014 m. birželio 17 d. Reglamento (EB) Nr. 651/2014, kuriuo tam tikrų kategorijų pagalba skelbiama suderinama su vidaus rinka taikant Sutarties 107 ir 108 straipsnius, 25 straipsnis Štai ir viskas. EU L 187/1, 2014 6 26) (Lithuanian)
Property / summaryProperty / summary
Brzorastuća tehnologija snage silicijeva karbida (SiC) osigurava sve veće napone i nazivne struje. Sada je moguće izgraditi energetski-elektroničke sustave za snagu od nekoliko desetaka-nekoliko stotina kW pomoću tranzistora i strujnih dioda s 1200V i 1700V prenapona napona dostupnih na tržištu. Ovi elementi su dio modula snage čija je tehnologija analogna onoj koja se koristi za silicij tranzistora IGBT i ima značajne parazitske indukcije. Stoga trenutno nije moguće u potpunosti iskoristiti izvrsne dinamičke osobine SiC elemenata, potrebno je ući na tržište s modulima snage niske impedancije dizajniranima za SiC elemente. Osim toga, također je potrebno razviti odgovarajuće kontrolere vrata, strujne krugove, također s niskom indukcijom i pravim sustavima hlađenja. Stoga je cilj projekta razviti i provesti za proizvodnju univerzalnog energetskog-elektroničkog funkcionalnog/funkcionalnog energetskog bloka (FBM), koji je podsklop standardnih energetskih sustava (val mostova, trofazni pretvarač, multi-level inverter) koji se temelji na modulima snage s niskom impedancije. Na taj način, funkcionalni blok će moći koristiti ovaj jednostavan razvoj u puni energetski-elektronički sustav ovisno o potrebama klijenta u aplikaciji. Članak 25. Uredbe EZ-a br. 651/2014 od 17. lipnja 2014. o ocjenjivanju određenih vrsta potpora spojivima s unutarnjim tržištem u primjeni članaka 107. i 108. Ugovora (SL L. Žao mi je. EU L 187/1 od 26. lipnja 2014.) (Croatian)
Brzorastuća tehnologija poluvodičkih instrumenata silicijeva karbida (SiC) pruža elemente sa sve većim naponima i nazivnim strujama. Trenutno je moguće izgraditi električne elektroničke sustave za snagu nekoliko desetaka-nekoliko stotina kW pomoću tranzistora i dioda snage s izlaznim naponima od 1200V i 1700V dostupnih na tržištu. Ovi elementi su dio električnih modula čija je tehnologija analogna onoj koja se koristi za IGBT silicijske tranzistora i ima značajne parazitske induktivnosti. Stoga trenutno nije moguće u potpunosti iskoristiti izvrsna dinamička svojstva SiC komponenti, potrebno je uvesti module snage niske impedancije za SiC komponente na tržištu. Osim toga, također je potrebno razviti odgovarajuće kontrolere, strujne krugove, također s niskom induktivnošću, kao i odgovarajuće sustave hlađenja. Stoga je cilj projekta razviti i implementirati univerzalni elektronički funkcionalni blok/funkcionalni blok napajanja (FBM), koji je sastavni dio standardnih energetskih elektroničkih sustava (inverter mostova, trofazni pretvarač, višerazinski pretvarač) na temelju modula snage niske impedancije. Na taj će način razvijeni funkcionalni blok moći koristiti ovaj jednostavan razvoj u elektronički sustav pune snage ovisno o potrebama kupca u određenoj aplikaciji. Članak 25. Uredbe (EZ) br. 651/2014 od 17. lipnja 2014. o ocjenjivanju određenih kategorija potpora spojivima s unutarnjim tržištem u primjeni članaka 107. i 108. Ugovora To je sve. EU L 187/1 od 26.6.2014.) (Croatian)
Property / summaryProperty / summary
Η ταχέως αναπτυσσόμενη τεχνολογία ισχύος καρβιδίου του πυριτίου (SiC) ημιαγωγών παρέχει όλο και περισσότερες υψηλές τάσεις και εκτιμημένα ρεύματα. Είναι πλέον δυνατή η κατασκευή ενεργειακών-ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος αρκετών δωδεκάδων εκατοντάδων kW με τη χρήση τρανζίστορ και διόδων ισχύος με τάσεις κύματος 1200V και 1700V που διατίθενται στην αγορά. Αυτά τα στοιχεία αποτελούν μέρος των μονάδων ισχύος των οποίων η τεχνολογία είναι ανάλογη με εκείνη που χρησιμοποιείται για τα τρανζίστορ πυριτίου IGBT και έχει σημαντικές παρασιτικές επαγωγές. Ως εκ τούτου, επί του παρόντος δεν είναι δυνατόν να αξιοποιηθούν πλήρως οι εξαιρετικές δυναμικές ιδιότητες των στοιχείων SiC, είναι απαραίτητο να εισέλθουν στην αγορά με μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης σχεδιασμένες για στοιχεία SiC. Επιπλέον, είναι επίσης απαραίτητο να αναπτυχθούν κατάλληλοι ελεγκτές πύλης, κυκλώματα ισχύος, επίσης με συστήματα χαμηλής επαγωγής και κατάλληλα συστήματα ψύξης. Ως εκ τούτου, στόχος του έργου είναι η ανάπτυξη και εφαρμογή για την παραγωγή ενός καθολικού ενεργειακού-ηλεκτρονικού λειτουργικού/λειτουργικού συγκροτήματος ισχύος (FBM), το οποίο είναι ένα υποσύνολο τυποποιημένων ενεργειακών συστημάτων (κύμα γέφυρας, τριφασικός μετατροπέας, πολυεπίπεδος μετατροπέας) με βάση μονάδες χαμηλής αντοχής. Με αυτόν τον τρόπο, το λειτουργικό μπλοκ θα είναι σε θέση να χρησιμοποιήσει αυτή την απλή ανάπτυξη σε ένα πλήρες ενεργειακό-ηλεκτρονικό σύστημα ανάλογα με τις ανάγκες clientâ EURs στην εφαρμογή. Άρθρο 25 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 651/2014, της 17ης Ιουνίου 2014, για την κήρυξη ορισμένων ειδών ενισχύσεων ως συμβατών με την εσωτερική αγορά κατ’ εφαρμογή των άρθρων 107 και 108 της Συνθήκης (ΕΕ L. ΕΕ L 187/1 της 26.6.2014) (Greek)
Η ταχέως αναπτυσσόμενη τεχνολογία των οργάνων ισχύος ημιαγωγών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) παρέχει στοιχεία με όλο και υψηλότερες τάσεις και εκτιμημένα ρεύματα. Επί του παρόντος, είναι δυνατή η κατασκευή ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος για την ισχύ αρκετών δεκάδων εκατοντάδων kW χρησιμοποιώντας τρανζίστορ και δίοδο ισχύος με τάσεις εξόδου 1200V και 1700V διαθέσιμες στην αγορά. Αυτά τα στοιχεία αποτελούν μέρος μονάδων ισχύος των οποίων η τεχνολογία είναι ανάλογη με εκείνη που χρησιμοποιείται για τα τρανζίστορ πυριτίου IGBT και έχει σημαντικές παρασιτικές επαγωγές. Ως εκ τούτου, επί του παρόντος δεν είναι δυνατόν να αξιοποιηθούν πλήρως οι εξαιρετικές δυναμικές ιδιότητες των εξαρτημάτων SiC, είναι απαραίτητο να εισαχθούν στην αγορά μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης για τα εξαρτήματα SiC. Επιπλέον, είναι επίσης απαραίτητο να αναπτυχθούν κατάλληλοι ελεγκτές πύλης, κυκλώματα ισχύος, επίσης με χαμηλή επαγωγή, καθώς και κατάλληλα συστήματα ψύξης. Ως εκ τούτου, ο στόχος του έργου είναι η ανάπτυξη και εφαρμογή ενός ηλεκτρονικού λειτουργικού μπλοκ/λειτουργικού μπλοκ (FBM), το οποίο είναι ένα συστατικό των τυποποιημένων ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος (inverter γέφυρας, τριφασικός inverter, πολυεπίπεδος inverter) που βασίζεται σε μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης. Με αυτόν τον τρόπο, το αναπτυγμένο λειτουργικό μπλοκ θα είναι σε θέση να χρησιμοποιήσει αυτή την απλή εξέλιξη σε ένα ηλεκτρονικό σύστημα πλήρους ισχύος ανάλογα με τις ανάγκες του πελάτη σε μια δεδομένη εφαρμογή. Άρθρο 25 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 651/2014, της 17ης Ιουνίου 2014, για την κήρυξη ορισμένων κατηγοριών ενισχύσεων ως συμβατών με την εσωτερική αγορά κατ’ εφαρμογή των άρθρων 107 και 108 της Συνθήκης Αυτό είναι όλο. ΕΕ L 187/1 της 26.6.2014) (Greek)
Property / summaryProperty / summary
Rýchlo rastúca polovodičová technológia karbidu kremíka (SiC) poskytuje čoraz vyššie napätia a menovité prúdy. Teraz je možné vybudovať energeticky elektronické systémy pre výkon niekoľko desiatok-niekoľko sto kW pomocou tranzistory a napájacie diódy s 1200V a 1700V prepäťové napätie dostupné na trhu. Tieto prvky sú súčasťou výkonových modulov, ktorých technológia je analogická s technológiou používanou pre kremíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukcie. Preto v súčasnosti nie je možné plne využiť vynikajúce dynamické vlastnosti prvkov SiC, je potrebné vstúpiť na trh s nízko impedančnými výkonovými modulmi určenými pre SiC prvky. Okrem toho je tiež potrebné vyvinúť vhodné radiče brány, napájacie obvody, tiež s nízkou indukciou a správne chladiace systémy. Cieľom projektu je preto vyvinúť a realizovať výrobu univerzálneho energeticky-elektronického funkčného/funkčného bloku výkonu (FBM), ktorý je podzostavou štandardných energetických systémov (mostová vlna, trojfázový menič, viacúrovňový menič) založených na nízkonapäťových výkonových moduloch. Týmto spôsobom bude funkčný blok schopný využiť tento jednoduchý vývoj do plne energeticky-elektronického systému v závislosti od potrieb klienta v aplikácii. Článok 25 nariadenia ES č. 651/2014 zo 17. júna 2014 o vyhlásení určitých druhov pomoci za zlučiteľné s vnútorným trhom pri uplatňovaní článkov 107 a 108 zmluvy (Ú. v. EÚ L. EÚ L 187/1 z 26. júna 2014) (Slovak)
Rýchlo rastúca technológia polovodičových nástrojov karbidu kremíka (SiC) poskytuje prvky s čoraz vyšším napätím a menovitým prúdom. V súčasnosti je možné vybudovať elektrické elektronické systémy pre výkon niekoľkých desiatok stoviek kW pomocou tranzistorov a výkonových diód s výstupným napätím 1200V a 1700V dostupnými na trhu. Tieto prvky sú súčasťou výkonových modulov, ktorých technológia je podobná technológii používanej pre kremíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukcie. Preto v súčasnosti nie je možné plne využiť vynikajúce dynamické vlastnosti komponentov SiC, je potrebné zaviesť nízko impedančné napájacie moduly pre komponenty SiC na trhu. Okrem toho je tiež potrebné vyvinúť vhodné regulátory brány, výkonové obvody, a to aj s nízkou indukčnosťou, ako aj vhodné chladiace systémy. Cieľom projektu je preto vyvinúť a implementovať univerzálny výkonový elektronický funkčný blok/funkčný napájací blok (FBM), ktorý je súčasťou štandardných výkonových elektronických systémov (mostový menič, trojfázový menič, viacúrovňový invertor) na báze nízko impedančných energetických jednotiek. Takto vyvinutý funkčný blok bude môcť využiť tento jednoduchý vývoj do plne napájacieho elektronického systému v závislosti od potrieb zákazníka v danej aplikácii. Článok 25 nariadenia (ES) č. 651/2014 zo 17. júna 2014 o vyhlásení určitých kategórií pomoci za zlučiteľné s vnútorným trhom pri uplatňovaní článkov 107 a 108 zmluvy To je všetko. EÚ L 187/1 z 26.6.2014) (Slovak)
Property / summaryProperty / summary
Nopeasti kasvava puolijohdepiikarbiditeho (SiC) tarjoaa yhä suurempia jännitteitä ja nimellisvirtaa. Nyt on mahdollista rakentaa energiaelektronisia järjestelmiä useiden kymmenien satojen kW:n tehoa varten käyttäen transistoreita ja tehodiodeja, joissa on 1200V ja 1700V ylijännitettä markkinoilla. Nämä elementit ovat osa tehomoduuleja, joiden teknologia on samankaltainen kuin piitransistorien IGBT-teknologia ja joilla on merkittäviä loisinduktioita. Siksi tällä hetkellä ei ole mahdollista täysin hyödyntää piiC-elementtien erinomaisia dynaamisia ominaisuuksia, on tarpeen päästä markkinoille piiC-elementeille suunniteltujen matalan impedanssin tehomoduulien kanssa. Lisäksi on myös tarpeen kehittää sopivia porttiohjaimia, virtapiirejä, myös alhaisella induktiolla ja asianmukaisilla jäähdytysjärjestelmillä. Näin ollen hankkeen tavoitteena on kehittää ja toteuttaa yleisen energiaelektronisen toiminnallisen/toiminnallisen teholohkon (FBM) tuotantoa, joka on perusenergiajärjestelmien (silta-aalto, kolmivaiheinen invertteri, monitasoinvertteri) osakokoonpano, joka perustuu matalan impedanssin tehomoduuleihin. Tällä tavoin toiminnallinen lohko voi käyttää tätä yksinkertaista kehitystä täydelliseksi energiaelektroniseksi järjestelmäksi riippuen asiakkaan tarpeista sovelluksessa. Tietyntyyppisten tukien toteamisesta sisämarkkinoille soveltuviksi perussopimuksen 107 ja 108 artiklan mukaisesti 17. kesäkuuta 2014 annetun asetuksen (EU) N:o 651/2014 25 artikla (EUVL L., s. (EU L 187/1, 26.6.2014) (Finnish)
Piikarbidin (SiC) puolijohdelaitteiden nopeasti kasvava teknologia tarjoaa elementtejä, joilla on yhä suurempia jännitteitä ja nimellisvirtoja. Tällä hetkellä on mahdollista rakentaa tehoelektronisia järjestelmiä useiden kymmenien satojen kW: n teholle käyttäen transistoreja ja tehodiodeja, joiden lähtöjännitteet ovat 1200 V ja 1700V. Nämä elementit ovat osa tehomoduuleja, joiden tekniikka vastaa IGBT-piitransistoreissa käytettyä tekniikkaa ja jolla on merkittävät loisinduktanssit. Siksi tällä hetkellä ei ole mahdollista täysin hyödyntää SiC-komponenttien erinomaisia dynaamisia ominaisuuksia, on tarpeen tuoda markkinoille pieniimpedanssivoimamoduuleja SiC-komponenteille. Lisäksi on tarpeen kehittää asianmukaisia portinsäätimiä, virtapiirejä, myös alhaisen induktanssin sekä asianmukaisia jäähdytysjärjestelmiä. Siksi hankkeen tavoitteena on kehittää ja toteuttaa yleiskäyttöinen elektroninen toiminnallinen lohko/toiminnallinen teholohko (FBM), joka on osa vakiotehoelektronisia järjestelmiä (silta-invertteri, kolmivaiheinen invertteri, monitasoinen invertteri), joka perustuu matalaimpedanssitehomoduuleihin. Tällä tavoin kehitetty toiminnallinen lohko pystyy käyttämään tätä yksinkertaista kehitystä täysitehoiseksi sähköiseksi järjestelmäksi riippuen asiakkaan tarpeista tietyssä sovelluksessa. Tiettyjen tukimuotojen toteamisesta sisämarkkinoille soveltuviksi perussopimuksen 107 ja 108 artiklan mukaisesti 17 päivänä kesäkuuta 2014 annetun asetuksen (EY) N:o 651/2014 25 artikla Se on siinä. EU L 187/1, 26.6.2014) (Finnish)
Property / summaryProperty / summary
A gyorsan növekvő félvezető szilícium-karbid (SiC) technológia egyre nagyobb feszültséget és névleges áramot biztosít. A piacon elérhető 1200V és 1700V feszültségű tranzisztorok és áramdiódák segítségével ma már több tucat száz kW teljesítményű energia-elektronikus rendszereket lehet építeni. Ezek az elemek olyan erőművek részét képezik, amelyek technológiája hasonló a szilícium tranzisztorokhoz használt IGBT technológiához, és jelentős parazita induktivitással rendelkeznek. Ezért jelenleg nem lehet teljes mértékben kihasználni a SiC elemek kiváló dinamikus tulajdonságait, a SiC elemekhez tervezett alacsony impedanciájú villamosenergia-modulokkal kell belépni a piacra. Ezenkívül megfelelő kapuvezérlőket, tápáramköröket is ki kell fejleszteni, alacsony indukciós és megfelelő hűtőrendszerekkel. Ezért a projekt célja egy univerzális energiaelektronikai funkcionális/funkcionális teljesítményblokk (FBM) kifejlesztése és megvalósítása, amely a szabványos energiarendszerek (hídhullám, háromfázisú inverter, többszintű inverter) alegysége, amely alacsony impedáns erőművekre épül. Ily módon, a funkcionális blokk képes lesz arra, hogy ezt az egyszerű fejlesztést egy teljes energia-elektronikus rendszer attól függően, hogy az ügyfél igényeit az alkalmazásban. A Szerződés 107. és 108. cikkének alkalmazásában bizonyos típusú támogatásoknak a belső piaccal összeegyeztethetőnek nyilvánításáról szóló, 2014. június 17-i 651/2014/EK rendelet (HL L., 2014. június 17.) 25. cikke. EU L 187/1, 2014.6.26.) (Hungarian)
A szilícium-karbid (SiC) félvezető elektromos műszerek gyorsan növekvő technológiája egyre nagyobb feszültséggel és névleges árammal rendelkezik. Jelenleg a piacon elérhető tranzisztorokkal és teljesítménydiódákkal, 1200 V és 1700V kimeneti feszültséggel rendelkező, több tucat-több száz kW teljesítményű elektronikus rendszereket lehet építeni. Ezek az elemek olyan energiamodulok részét képezik, amelyek technológiája hasonló az IGBT szilícium tranzisztorokhoz használt technológiához, és jelentős parazita induktivitással rendelkeznek. Ezért jelenleg nem lehet teljes mértékben kihasználni a SiC-alkatrészek kiváló dinamikus tulajdonságait, ezért kis impedanciájú erőműveket kell bevezetni a piacon. Ezenkívül megfelelő kapuvezérlőket, tápáramköröket, alacsony induktivitású és megfelelő hűtőrendszereket is ki kell fejleszteni. Ezért a projekt célja egy univerzális elektronikus funkcionális blokk/funkcionális teljesítményblokk (FBM) kifejlesztése és megvalósítása, amely a szabványos teljesítményelektronikus rendszerek (hídinverter, háromfázisú inverter, többszintű inverter) komponense, amely alacsony impedanciás teljesítménymodulokon alapul. Ily módon a kifejlesztett funkcionális blokk képes lesz ezt az egyszerű fejlesztést egy teljes teljesítményű elektronikus rendszerré használni, az adott alkalmazásban az ügyfél igényeitől függően. A Szerződés 107. és 108. cikkének alkalmazásában bizonyos támogatási kategóriáknak a belső piaccal összeegyeztethetőnek nyilvánításáról szóló, 2014. június 17-i 651/2014/EK rendelet 25. cikke Ez az. – Ez az. EU L 187/1, 2014.6.26.) (Hungarian)
Property / summaryProperty / summary
Rychle rostoucí polovodičová technologie karbidu křemíku (SiC) poskytuje stále vyšší napětí a jmenovité proudy. Nyní je možné vybudovat energeticky-elektronické systémy pro výkon několika desítek-několik kW pomocí tranzistorů a výkonových diod s přepěťovými napětími 1200V a 1700V dostupnými na trhu. Tyto prvky jsou součástí výkonových modulů, jejichž technologie je obdobná technologii používané pro křemíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukce. Proto není v současné době možné plně využít vynikající dynamické vlastnosti SiC prvků, je nutné vstoupit na trh s nízkoimpedančními silovými moduly určenými pro SiC prvky. Kromě toho je také nutné vyvinout vhodné závorové regulátory, výkonové obvody, také s nízkou indukcí a správnými chladicími systémy. Cílem projektu je proto vyvinout a realizovat pro výrobu univerzálního energeticky-elektronického funkčního/funkčního energetického bloku (FBM), který je podsestavou standardních energetických systémů (mostová vlna, třífázový invertor, víceúrovňový invertor) založený na nízkoimpedantních výkonových modulech. Tímto způsobem bude funkční blok moci využít tento jednoduchý vývoj do plného energeticky-elektronického systému v závislosti na potřebách klienta v aplikaci. Článek 25 nařízení ES č. 651/2014 ze dne 17. června 2014, kterým se v souladu s články 107 a 108 Smlouvy prohlašují určité druhy podpory za slučitelné s vnitřním trhem (Úř. věst. L. EU L 187/1 ze dne 26. června 2014) (Czech)
Rychle rostoucí technologie polovodičových nástrojů z karbidu křemíku (SiC) poskytuje prvky se stále vyšším napětím a jmenovitými proudy. V současné době je možné vybudovat výkonové elektronické systémy pro výkon několika desítek set kW pomocí tranzistorů a výkonových diod s výstupním napětím 1200V a 1700V, které jsou k dispozici na trhu. Tyto prvky jsou součástí energetických modulů, jejichž technologie je podobná technologii používané pro IGBT křemíkové tranzistory a má významnou parazitní indukčnost. Proto v současné době není možné plně využít vynikající dynamické vlastnosti komponentů SiC, je nutné zavést nízkoimpedanční výkonové moduly pro komponenty SiC na trhu. Kromě toho je také nutné vyvinout vhodné regulátory brány, napájecí obvody, také s nízkou indukčností, jakož i vhodné chladicí systémy. Cílem projektu je proto vyvinout a implementovat univerzální výkonový elektronický funkční blok/funkční blok (FBM), který je součástí standardních výkonových elektronických systémů (mostový měnič, třífázový měnič, víceúrovňový měnič) založený na nízkoimpedančních výkonových modulech. Tímto způsobem bude vyvinutý funkční blok schopen tento jednoduchý vývoj využít do plně výkonného elektronického systému v závislosti na potřebách zákazníka v dané aplikaci. Článek 25 nařízení (ES) č. 651/2014 ze dne 17. června 2014, kterým se v souladu s články 107 a 108 Smlouvy prohlašují určité kategorie podpory za slučitelné s vnitřním trhem To je všechno. EU L 187/1 ze dne 26.6.2014) (Czech)
Property / summaryProperty / summary
Strauji augošā pusvadītāju silīcija karbīda jaudas (SiC) tehnoloģija nodrošina arvien augstāku spriegumu un nominālo strāvu. Tagad ir iespējams veidot energoelektroniskās sistēmas vairāku desmitu vairāku simtu kW jaudai, izmantojot tranzistorus un jaudas diodes ar 1200V un 1700V pārsprieguma spriegumu, kas pieejams tirgū. Šie elementi ir daļa no elektroenerģijas moduļiem, kuru tehnoloģija ir analoga tai, ko izmanto silīcija tranzistoriem IGBT, un tai ir ievērojamas parazitāras indukcijas. Tāpēc pašlaik nav iespējams pilnībā izmantot SiC elementu lieliskās dinamiskās īpašības, ir nepieciešams ienākt tirgū ar zemas pretestības elektroenerģijas moduļiem, kas paredzēti SiC elementiem. Turklāt ir nepieciešams arī izstrādāt atbilstošus vārtu kontrollerus, strāvas ķēdes, arī ar zemu indukcijas un pareizu dzesēšanas sistēmu. Tāpēc projekta mērķis ir izstrādāt un ieviest universālu energoelektronisku funkcionālu/funkcionālu jaudas bloku (FBM), kas ir standarta energosistēmu mezgls (tilta vilnis, trīsfāzu invertors, daudzlīmeņu invertors), kura pamatā ir zemas pretestības elektroenerģijas moduļi. Šādā veidā funkcionālais bloks varēs izmantot šo vienkāršo attīstību uz pilnu energoelektronisko sistēmu atkarībā no klienta vajadzībām pieteikumā. EK 2014. gada 17. jūnija Regulas Nr. 651/2014, ar ko noteiktus atbalsta veidus atzīst par saderīgiem ar iekšējo tirgu, piemērojot Līguma 107. un 108. pantu (OV L., 25. pants). ES L 187/1, 26.6.2014.) (Latvian)
Strauji augošā silīcija karbīda (SiC) pusvadītāju spēka instrumentu tehnoloģija nodrošina elementus ar arvien lielāku spriegumu un nominālo strāvu. Pašlaik ir iespējams būvēt elektroniskās sistēmas vairāku desmitu simtu kW jaudai, izmantojot tranzistorus un jaudas diodes ar izejas spriegumu 1200V un 1700V, kas pieejami tirgū. Šie elementi ir daļa no elektroenerģijas moduļiem, kuru tehnoloģija ir analoga tai, ko izmanto IGBT silīcija tranzistoriem, un tiem ir ievērojamas parazītu indukcijas. Tāpēc pašlaik nav iespējams pilnībā izmantot SiC komponentu lieliskās dinamiskās īpašības, tirgū ir jāievieš zemas pretestības jaudas moduļi SiC komponentiem. Turklāt ir nepieciešams arī izstrādāt atbilstošus vārtu kontrollerus, strāvas ķēdes, arī ar zemu induktivitāti, kā arī atbilstošas dzesēšanas sistēmas. Tāpēc projekta mērķis ir izstrādāt un ieviest universālu jaudas elektronisko bloku/funkcionālo barošanas bloku (FBM), kas ir standarta jaudas elektronisko sistēmu (tilts pārveidotājs, trīsfāžu invertors, daudzlīmeņu invertors) sastāvdaļa, pamatojoties uz zemas pretestības jaudas moduļiem. Šādā veidā izstrādātais funkcionālais bloks varēs izmantot šo vienkāršo izstrādi par pilnas jaudas elektronisko sistēmu atkarībā no klienta vajadzībām konkrētajā lietojumprogrammā. 25. pants 2014. gada 17. jūnija Regulā (EK) Nr. 651/2014, ar ko noteiktas atbalsta kategorijas atzīst par saderīgām ar iekšējo tirgu, piemērojot Līguma 107. un 108. pantu Tas ir viss. EU L 187/1, 26.6.2014.) (Latvian)
Property / summaryProperty / summary
Soláthraíonn an teicneolaíocht chomhdhúile sileacain leathsheoltóra atá ag fás go tapa (SiC) voltais níos airde agus sruthanna rátáilte. Is féidir anois córais fuinnimh leictreonacha a thógáil le haghaidh cumhachta roinnt dosaen-roinnt céad kW ag baint úsáide as trasraitheoirí agus dé-óidí cumhachta le voltais borrtha 1200V agus 1700V ar fáil ar an margadh. Tá na heilimintí seo mar chuid de mhodúil chumhachta a bhfuil a dteicneolaíocht ar aon dul leis an gceann a úsáidtear le haghaidh trasraitheoirí sileacain IGBT agus tá ionduchtuithe suntasacha seadánacha acu. Dá bhrí sin, ní féidir airíonna dinimiciúla den scoth eilimintí SiC a shaothrú go hiomlán faoi láthair, is gá dul isteach sa mhargadh le modúil chumhachta íseal-impedance atá deartha le haghaidh eilimintí SiC. Ina theannta sin, tá sé riachtanach freisin a fhorbairt rialaitheoirí geata cuí, ciorcaid chumhacht, chomh maith le ionduchtú íseal agus córais fuaraithe cuí. Dá bhrí sin, is é is aidhm don tionscadal bloc cumhachta feidhmiúil/feidhmiúil uilíoch fuinnimh-leictreonach (FBM) a fhorbairt agus a chur chun feidhme, ar fochóimeáil é de chórais fuinnimh chaighdeánacha (tonnta droichid, inbhéartóir trí phas, inbhéartóir illeibhéil) bunaithe ar mhodúil chumhachta íseal-impedant. Ar an mbealach seo, beidh an bloc feidhme a bheith in ann úsáid a bhaint as an bhforbairt simplí i gcóras fuinnimh-leictreonach iomlán ag brath ar na riachtanais clientâ EURanna san iarratas. Airteagal 25 de Rialachán CE Uimh. 651/2014 an 17 Meitheamh 2014 ina ndearbhaítear go bhfuil cineálacha áirithe cabhrach comhoiriúnach leis an margadh inmheánach i gcur i bhfeidhm Airteagal 107 agus Airteagal 108 den Chonradh (IO L. Is oth liom. AE L 187/1 an 26.06.2014) (Irish)
Soláthraíonn an teicneolaíocht atá ag fás go tapa ar ionstraimí leathsheoltóra chomhdhúile sileacain (SiC) eilimintí le voltais níos airde agus sruthanna rátáilte. Faoi láthair, is féidir córais leictreonacha cumhachta a thógáil le haghaidh cumhacht roinnt dosaen-roinnt céad kW ag baint úsáide as trasraitheoirí agus dé-óidí cumhachta le voltais aschuir 1200V agus 1700V ar fáil ar an margadh. Tá na heilimintí seo mar chuid de mhodúil chumhachta a bhfuil a dteicneolaíocht ar aon dul leis an teicneolaíocht a úsáidtear le haghaidh trasraitheoirí sileacain IGBT agus tá ionduchtais shuntasacha seadánacha acu. Dá bhrí sin, ní féidir airíonna dinimiciúla den scoth na gcomhpháirteanna SiC a shaothrú go hiomlán faoi láthair, is gá modúil chumhachta íseal-impedance a thabhairt isteach le haghaidh comhpháirteanna SiC ar an margadh. Ina theannta sin, is gá freisin rialaitheoirí geata cuí, ciorcaid chumhachta a fhorbairt, chomh maith le hionduchtú íseal chomh maith le córais fuaraithe iomchuí. Dá bhrí sin, is é aidhm an tionscadail bloc uilíoch feidhme leictreonach cumhachta/bloc cumhachta feidhmiúil (FBM) a fhorbairt agus a chur chun feidhme, ar cuid de chórais leictreonacha chumhachta chaighdeánacha (inverter droichead, inverter trí phas, inverter il-leibhéil) é bunaithe ar mhodúil chumhachta íseal-impedance. Ar an mbealach seo, beidh an bloc feidhme forbartha in ann an fhorbairt shimplí seo a úsáid i gcóras leictreonach lánchumhachta ag brath ar riachtanais an chustaiméara in iarratas ar leith. Airteagal 25 de Rialachán (CE) Uimh. 651/2014 an 17 Meitheamh 2014 ina ndearbhaítear go bhfuil catagóirí áirithe cabhrach comhoiriúnach leis an margadh inmheánach i gcur i bhfeidhm Airteagail 107 agus 108 den Chonradh Sin é. AE L 187/1 an 26.6.2014) (Irish)
Property / summaryProperty / summary
Tehnologija hitro rastočega polprevodniškega silicijevega karbida (SiC) zagotavlja vedno višje napetosti in nazivne tokove. Zdaj je mogoče zgraditi energetsko-elektronske sisteme za moč več deset sto kW z uporabo tranzistorjev in močnih diod z napetostmi 1200V in 1700V, ki so na voljo na trgu. Ti elementi so del napajalnih modulov, katerih tehnologija je podobna tisti, ki se uporablja za silicijeve tranzistorje IGBT in ima pomembne parazitske indukcije. Zato trenutno ni mogoče v celoti izkoristiti odličnih dinamičnih lastnosti SK elementov, zato je treba vstopiti na trg z moduli z nizko impedanco, ki so zasnovani za elemente SK. Poleg tega je treba razviti tudi ustrezne krmilnike vrat, električna vezja, tudi z nizko indukcijo in ustreznimi hladilnimi sistemi. Zato je cilj projekta razvoj in izvajanje za proizvodnjo univerzalnega energetsko-elektronskega funkcionalnega/funkcionalnega bloka moči (FBM), ki je podsklop standardnih energetskih sistemov (mostovni val, trifazni razsmernik, večstopenjski razsmernik), ki temelji na nizkoimpedantnih napajalnih modulih. Na ta način, bo funkcionalni blok lahko uporabite ta preprost razvoj v polno energijo-elektronski sistem, odvisno od potreb naročnika v aplikaciji. Člen 25 Uredbe ES št. 651/2014 z dne 17. junija 2014 o razglasitvi nekaterih vrst pomoči za združljive z notranjim trgom pri uporabi členov 107 in 108 Pogodbe (UL L. EU L 187/1 z dne 26. junija 2014) (Slovenian)
Hitro rastoča tehnologija polprevodniških instrumentov silicijevega karbida (SiC) zagotavlja elemente z vedno višjimi napetostmi in nazivnimi tokovi. Trenutno je mogoče zgraditi močne elektronske sisteme za moč več ducat-več sto kW z uporabo tranzistorjev in močnih diod z izhodnimi napetostmi 1200V in 1700V, ki so na voljo na trgu. Ti elementi so del elektroenergijskih modulov, katerih tehnologija je podobna tisti, ki se uporablja za silikonske tranzistorje IGBT, in ima pomembne parazitske induktivnosti. Zato trenutno ni mogoče v celoti izkoristiti odličnih dinamičnih lastnosti komponent SiC, na trgu je treba uvesti nizko impedance za komponente SiC. Poleg tega je treba razviti tudi ustrezne krmilnike vrat, napajalne tokokroge, tudi z nizko induktivnostjo in ustreznimi hladilnimi sistemi. Zato je cilj projekta razvoj in izvajanje univerzalnega elektronskega funkcionalnega bloka/funkcionalnega bloka (FBM), ki je sestavni del standardnih močnostnih elektronskih sistemov (mostovni inverter, trifazni pretvornik, večstopenjski inverter), ki temelji na modulih z nizko impedanco. Na ta način bo razvit funkcionalni blok lahko uporabil ta preprost razvoj v elektronski sistem polne moči, odvisno od potreb stranke v dani aplikaciji. Člen 25 Uredbe (ES) št. 651/2014 z dne 17. junija 2014 o razglasitvi nekaterih vrst pomoči za združljive z notranjim trgom pri uporabi členov 107 in 108 Pogodbe To je vse. EU L 187/1, 26.6.2014) (Slovenian)
Property / summaryProperty / summary
Бързоразвиващата се полупроводникова технология на силициев карбид (SiC) осигурява все по-високи напрежения и номинални токове. Сега е възможно да се изгради енергийно-електронни системи за мощност от няколко десетки-няколко стотин kW с помощта на транзистори и силови диоди с 1200V и 1700V пренапрежения на пазара. Тези елементи са част от захранващи модули, чиято технология е аналогична на използваната за силициеви транзистори IGBT и има значителни паразитни индукции. Поради това понастоящем не е възможно да се използват напълно отличните динамични свойства на SiC елементи, необходимо е да се навлезе на пазара с модули с малък импеданс, предназначени за SiC елементи. В допълнение, също така е необходимо да се разработят подходящи порта контролери, електрически вериги, също така с ниска индукция и правилни охладителни системи. Следователно целта на проекта е да се разработи и внедри за производството на универсален енергийно-електронен функционален/функционален захранващ блок (FBM), който е подкомплект от стандартни енергийни системи (мостова вълна, трифазен инвертор, многостепенен инвертор), базиран на модули за захранване с ниско ниво. По този начин функционалният блок ще може да използва тази проста разработка в пълна енергийно-електронна система в зависимост от нуждите на клиента в приложението. Член 25 от Регламент (ЕС) № 651/2014 на Съвета от 17 юни 2014 г. за обявяване на някои видове помощи за съвместими с вътрешния пазар в приложение на членове 107 и 108 от Договора (ОВ L., стр. 1). ЕС L 187/1 от 26.6.2014 г.) (Bulgarian)
Бързоразвиващата се технология на силициев карбид (SiC) полупроводникови инструменти осигурява елементи с все по-високо напрежение и номинален ток. В момента е възможно да се изградят силови електронни системи за мощност от няколко десетки няколкостотин kW с помощта на транзистори и силови диоди с изходни напрежения от 1200V и 1700V, налични на пазара. Тези елементи са част от силови модули, чиято технология е аналогична на тази, използвана за IGBT силициеви транзистори и има значителни паразитни индуктивност. Ето защо понастоящем не е възможно да се използват напълно отличните динамични свойства на компонентите на SiC, е необходимо на пазара да се въведат модули с нисък импеданс за компонентите на SiC. В допълнение, също така е необходимо да се разработят подходящи контролери на изхода, силови вериги, също с ниска индуктивност, както и подходящи системи за охлаждане. Ето защо, целта на проекта е да се разработи и внедри универсален силов електронен функционален блок/функционален силов блок (FBM), който е компонент на стандартните силови електронни системи (мостов инвертор, трифазен инвертор, многостепенен инвертор), базиран на енергийни модули с нисък импеданс. По този начин разработеният функционален блок ще може да използва тази проста разработка в електронна система с пълна мощност в зависимост от нуждите на клиента в дадено приложение. Член 25 от Регламент (ЕО) № 651/2014 от 17 юни 2014 г. за обявяване на някои категории помощи за съвместими с вътрешния пазар в приложение на членове 107 и 108 от Договора Това е всичко. EU L 187/1 от 26.6.2014 г.) (Bulgarian)
Property / summaryProperty / summary
It-teknoloġija tal-qawwa tal-karbur tas-silikon semikonduttur (SiC) li qed tikber b’rata mgħaġġla tipprovdi vultaġġi dejjem aktar għoljin u kurrenti kklassifikati. Issa huwa possibbli li jinbnew sistemi elettroniċi tal-enerġija għall-enerġija ta’ diversi mijiet ta’ mijiet ta’ kW bl-użu ta’ tranżisters u dijodi tal-enerġija b’vultaġġi ta’ żieda ta’ 1200V u 1700V disponibbli fis-suq. Dawn l-elementi huma parti mill-moduli tal-enerġija li t-teknoloġija tagħhom hija analoga għal dik użata għat-transisters tas-silikon IGBT u għandha induzzjonijiet parassitiċi sinifikanti. Għalhekk, bħalissa mhuwiex possibbli li jiġu sfruttati bis-sħiħ il-proprjetajiet dinamiċi eċċellenti tal-elementi SiC, huwa meħtieġ li wieħed jidħol fis-suq b’moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa ddisinjati għall-elementi SiC. Barra minn hekk, huwa wkoll meħtieġ li jiġu żviluppati kontrolluri gate xierqa, ċirkwiti enerġija, ukoll b’sistemi ta ‘induzzjoni baxxa u tkessiħ xierqa. Għalhekk, l-għan tal-proġett huwa li jiżviluppa u jimplimenta għall-produzzjoni ta’ blokka tal-enerġija funzjonali/funzjonali universali elettronika tal-enerġija (FBM), li hija subassemblaġġ ta’ sistemi standard tal-enerġija (bridge wave, inverter bi tliet fażijiet, inverter b’diversi livelli) ibbażati fuq moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa. B’dan il-mod, il-blokk funzjonali se jkunu jistgħu jużaw dan l-iżvilupp sempliċi f’sistema sħiħa ta ‘enerġija elettronika skont il-ħtiġijiet clientâ EUR fl-applikazzjoni. L-Artikolu 25 tar-Regolament tal-KE Nru 651/2014 tas-17 ta’ Ġunju 2014 li jiddikjara li ċerti tipi ta’ għajnuna huma kompatibbli mas-suq intern fl-applikazzjoni tal-Artikoli 107 u 108 tat-Trattat (ĠU L. I’m sorry. UE L 187/1 tas-26.06.2014) (Maltese)
It-teknoloġija li qed tikber malajr ta ‘strumenti ta’ enerġija semikondutturi tal-karbur tas-silikon (SiC) tipprovdi elementi b’vultaġġi dejjem ogħla u kurrenti nominali. Bħalissa, huwa possibbli li jinbnew sistemi elettroniċi tal-enerġija għall-enerġija ta’ diversi tużżana mitt kW li jużaw transisters u dijodi tal-enerġija b’vultaġġi tal-output ta’ 1200V u 1700V disponibbli fis-suq. Dawn l-elementi huma parti minn moduli tal-enerġija li t-teknoloġija tagħhom hija analoga għal dik użata għat-transisters tas-siliċju IGBT u għandha inductances parasitiċi sinifikanti. Għalhekk, bħalissa mhuwiex possibbli li jiġu sfruttati bis-sħiħ il-proprjetajiet dinamiċi eċċellenti tal-komponenti tas-SiC, huwa meħtieġ li jiġu introdotti moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa għall-komponenti tas-SiC fis-suq. Barra minn hekk, huwa meħtieġ ukoll li jiġu żviluppati kontrolluri tal-gate xierqa, ċirkwiti tal-enerġija, anke b’induttanza baxxa kif ukoll sistemi ta’ tkessiħ xierqa. Għalhekk, l-għan tal-proġett huwa li jiżviluppa u jimplimenta blokk funzjonali funzjonali tal-potenza universali/blokk funzjonali tal-potenza (FBM), li huwa komponent tas-sistemi elettroniċi tal-enerġija standard (bridge inverter, inverter bi tliet fażijiet, invertitur b’diversi livelli) ibbażat fuq moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa. B’dan il-mod, il-blokk funzjonali żviluppat se jkun jista’ juża dan l-iżvilupp sempliċi f’sistema elettronika tal-enerġija sħiħa skont il-ħtiġijiet tal-klijent f’applikazzjoni partikolari. L-Artikolu 25 tar-Regolament (KE) Nru 651/2014 tas-17 ta’ Ġunju 2014 li jiddikjara ċerti kategoriji ta’ għajnuna bħala kompatibbli mas-suq intern skont l-Artikoli 107 u 108 tat-Trattat Li huwa. UE L 187/1 tas-26.6.2014) (Maltese)
Property / summaryProperty / summary
A tecnologia de energia de carboneto de silício semicondutor de crescimento rápido (SiC) fornece tensões cada vez mais altas e correntes nominais. Agora é possível construir sistemas de energia-eletrônicos para potência de várias dúzias — várias centenas de kW usando transistores e diodos de potência com tensões de onda 1200V e 1700V disponíveis no mercado. Estes elementos fazem parte de módulos de potência cuja tecnologia é análoga à utilizada para transistores de silício IGBT e tem induções parasitas significativas. Portanto, atualmente não é possível explorar plenamente as excelentes propriedades dinâmicas dos elementos SiC, é necessário entrar no mercado com módulos de potência de baixa impedância projetados para elementos SiC. Além disso, também é necessário desenvolver controladores de portão apropriados, circuitos de energia, também com baixa indução e sistemas de refrigeração adequados. Portanto, o objetivo do projeto é desenvolver e implementar para a produção de um bloco de potência funcional/funcional energia-eletrônico universal (FBM), que é um subconjunto de sistemas de energia padrão (onda ponte, inversor trifásico, inversor multinível) ganza em módulos de potência de baixa impedante. Desta forma, o bloco funcional será capaz de usar este simples desenvolvimento em um sistema de energia-eletrônico completo, dependendo das necessidades do cliente na aplicação. Artigo 25.º do Regulamento (UE) n.º 651/2014 do Conselho, de 17 de junho de 2014, que declara certos tipos de auxílios compatíveis com o mercado interno na aplicação dos artigos 107.º e 108.º do Tratado (JO L. UE L 187/1 de 26.6.2014) (Portuguese)
A tecnologia de potência de carboneto de silício (SiC) semicondutor de rápido crescimento fornece tensões cada vez mais altas e correntes nominais. Agora é possível construir sistemas eletrônicos de energia para potência de várias dezenas de centenas de kW usando transístores e díodos de potência com tensões de sobretensão de 1200V e 1700V disponíveis no mercado. Estes elementos fazem parte de módulos de potência cuja tecnologia é análoga à utilizada para os transístores de silício IGBT e tem induções parasitárias significativas. Portanto, atualmente não é possível explorar plenamente as excelentes propriedades dinâmicas dos elementos SiC, é necessário entrar no mercado com módulos de potência de baixa impedância projetados para elementos SiC. Além disso, também é necessário desenvolver controladores de porta apropriados, circuitos de potência, também com baixa indução e sistemas de arrefecimento adequados. Por conseguinte, o objetivo do projeto é desenvolver e implementar para a produção de um bloco de energia universal eletrónico funcional/funcional (FBM), que é um subconjunto de sistemas energéticos normalizados (onda de ponte, inversor trifásico, inversor multinível) com base em módulos de potência de baixo impacto. Desta forma, o bloco funcional poderá utilizar esta simples evolução para um sistema totalmente eletrónico do ponto de vista energético, em função das necessidades do cliente na aplicação. Artigo 25.o do Regulamento (CE) n.o 651/2014, de 17 de junho de 2014, que declara certos tipos de auxílio compatíveis com o mercado interno, em aplicação dos artigos 107.o e 108.o do Tratado (JO L UE L 187/1 de 26.6.2014) (Portuguese)
Property / summaryProperty / summary
Den hurtigt voksende halvleder siliciumcarbid effekt (SiC) teknologi giver stigende høje spændinger og nominelle strømme. Det er nu muligt at bygge energi-elektroniske systemer til effekt på flere dusin-flere hundrede kW ved hjælp af transistorer og effektdioder med 1200V og 1700V bølgespændinger til rådighed på markedet. Disse elementer er en del af kraftmoduler, hvis teknologi svarer til den, der anvendes til siliciumtransistorer IGBT og har betydelige parasitiske induktioner. Derfor er det på nuværende tidspunkt ikke muligt fuldt ud at udnytte de fremragende dynamiske egenskaber ved SiC-elementer, og det er nødvendigt at komme ind på markedet med lavimpedans-kraftværker, der er designet til SiC-elementer. Derudover er det også nødvendigt at udvikle passende gate controllere, strømkredse, også med lav induktion og ordentlige kølesystemer. Formålet med projektet er derfor at udvikle og implementere med henblik på produktion af en universel energielektronisk funktionel/funktionel effektblok (FBM), som er en underenhed af standardenergisystemer (brobølge, trefaset inverter, multiniveau inverter) baseret på lavimpederende kraftværker. På denne måde vil den funktionelle blok være i stand til at bruge denne enkle udvikling til et fuldt energi-elektronisk system afhængigt af kundens behov i applikationen. Artikel 25 i forordning (EF) nr. 651/2014 af 17. juni 2014 om visse former for støttes forenelighed med det indre marked i henhold til traktatens artikel 107 og 108 (EUT L. EU L 187/1 af 26.6.2014) (Danish)
Den hurtigt voksende teknologi af siliciumcarbid (SiC) halvledereffektinstrumenter giver elementer med stadig højere spændinger og nominelle strømme. I øjeblikket er det muligt at opbygge elektriske elektroniske systemer til effekt på flere dusin-flere hundrede kW ved hjælp af transistorer og power dioder med udgangsspændinger på 1200V og 1700V tilgængelige på markedet. Disse elementer er en del af el-moduler, hvis teknologi er analog med den, der anvendes til IGBT silicium transistorer og har betydelige parasitære induktans. Derfor er det i øjeblikket ikke muligt fuldt ud at udnytte de fremragende dynamiske egenskaber ved SiC-komponenter, det er nødvendigt at indføre lavimpedans-effektmoduler til SiC-komponenter på markedet. Derudover er det også nødvendigt at udvikle passende gate controllere, strømkredse, også med lav induktans samt passende kølesystemer. Formålet med projektet er derfor at udvikle og gennemføre en universel elektronisk funktionsblok/funktionel blok (FBM), som er en del af standardelektroniksystemer (broomformer, trefaset inverter, multi-level inverter) baseret på lavimpedans-effektmoduler. På denne måde vil den udviklede funktionelle blok kunne bruge denne enkle udvikling til et fuldt el-elektronisk system afhængigt af kundens behov i en given applikation. Artikel 25 i forordning (EF) nr. 651/2014 af 17. juni 2014 om visse former for støttes forenelighed med det indre marked i henhold til traktatens artikel 107 og 108 Det er det. EU L 187/1 af 26.6.2014) (Danish)
Property / summaryProperty / summary
Tehnologia cu creștere rapidă a carburii de siliciu semiconductori (SiC) oferă din ce în ce mai multe tensiuni și curenți nominali. Acum este posibil să se construiască sisteme energetice-electronice pentru o putere de mai multe zeci de sute de kW folosind tranzistoare și diode de putere cu tensiuni de creștere 1200V și 1700V disponibile pe piață. Aceste elemente fac parte din module de putere a căror tehnologie este analogă celei utilizate pentru tranzistorii de siliciu IGBT și are inducții parazitare semnificative. Prin urmare, în prezent nu este posibil să se exploateze pe deplin proprietățile dinamice excelente ale elementelor SiC, este necesar să se intre pe piață cu module de putere cu impedanță redusă concepute pentru elemente SiC. În plus, este, de asemenea, necesar să se dezvolte controlere de poartă adecvate, circuite de alimentare, de asemenea, cu inducție scăzută și sisteme de răcire adecvate. Prin urmare, scopul proiectului este de a dezvolta și de a pune în aplicare pentru producerea unui bloc de putere universal funcțional/funcțional energetic-electronic (FBM), care este un subansamblu de sisteme energetice standard (val punte, invertor trifazat, invertor pe mai multe niveluri) bazat pe module de putere cu impact redus. În acest fel, blocul funcțional va fi capabil să utilizeze această dezvoltare simplă într-un sistem energetic-electronic complet în funcție de nevoile clientului în aplicație. Articolul 25 din Regulamentul (UE) nr. 651/2014 din 17 iunie 2014 de declarare a anumitor tipuri de ajutoare compatibile cu piața internă în aplicarea articolelor 107 și 108 din tratat (JO L. Îmi pare rău. UE L 187/1 din 26.6.2014) (Romanian)
Tehnologia cu creștere rapidă a instrumentelor de putere semiconductoare din carbură de siliciu (SiC) oferă elemente cu tensiuni tot mai mari și curenți nominali. În prezent, este posibil să se construiască sisteme electronice de putere pentru puterea de câteva zeci-mai multe sute kW folosind tranzistoare și diode de putere cu tensiuni de ieșire de 1200V și 1700V disponibile pe piață. Aceste elemente fac parte din modulele de putere a căror tehnologie este similară cu cea utilizată pentru tranzistoarele de siliciu IGBT și are inductanțe parazitare semnificative. Prin urmare, în prezent nu este posibil să se exploateze pe deplin proprietățile dinamice excelente ale componentelor SiC, este necesar să se introducă pe piață module electrice cu impedanță redusă pentru componentele SiC. În plus, este, de asemenea, necesar să se dezvolte controlere de poartă adecvate, circuite de putere, de asemenea, cu inductanță scăzută, precum și sisteme de răcire adecvate. Prin urmare, scopul proiectului este de a dezvolta și implementa un bloc funcțional electronic de putere universală (FBM), care este o componentă a sistemelor electronice standard de putere (invertor de punte, invertor trifazat, invertor multi-nivel) bazat pe module de putere cu impedanță redusă. În acest fel, blocul funcțional dezvoltat va putea utiliza această simplă dezvoltare într-un sistem electronic de putere maximă, în funcție de nevoile clientului într-o anumită aplicație. Articolul 25 din Regulamentul (CE) nr. 651/2014 din 17 iunie 2014 de declarare a anumitor categorii de ajutoare compatibile cu piața internă în aplicarea articolelor 107 și 108 din tratat Asta e tot. UE L 187/1 din 26.6.2014) (Romanian)
Property / summaryProperty / summary
Den snabbväxande kiselkarbidtekniken (SiC) ger allt högre spänningar och märkströmmar. Det är nu möjligt att bygga energielektroniska system för effekt på flera dussintals hundra kW med hjälp av transistorer och kraftdioder med 1200V och 1700V överspänningsspänningar tillgängliga på marknaden. Dessa element är en del av kraftmoduler vars teknik är analog med den som används för kiseltransistorer IGBT och har betydande parasitinduktioner. Därför är det för närvarande inte möjligt att fullt ut utnyttja de utmärkta dynamiska egenskaperna hos SiC-element, det är nödvändigt att komma in på marknaden med lågimpedans kraftmoduler utformade för SiC-element. Dessutom är det också nödvändigt att utveckla lämpliga grindkontroller, strömkretsar, även med låg induktion och ordentliga kylsystem. Syftet med projektet är därför att utveckla och genomföra för produktion av ett universellt energielektroniskt funktionellt/funktionellt kraftblock (FBM), som är en delenhet av standardenergisystem (brovåg, trefas inverterare, multi-level inverter) baserade på lågimpedanta kraftmoduler. På så sätt kommer det funktionella blocket att kunna använda denna enkla utveckling till ett komplett energielektroniskt system beroende på kundens behov i applikationen. Artikel 25 i förordning (EU) nr 651/2014 av den 17 juni 2014 genom vilken vissa typer av stöd förklaras förenliga med den inre marknaden vid tillämpningen av artiklarna 107 och 108 i fördraget (EUT L. EU L 187/1 av den 26 juni 2014) (Swedish)
Den snabbväxande tekniken för kiselkarbid (SiC) halvledareffektinstrument ger element med allt högre spänningar och märkströmmar. För närvarande är det möjligt att bygga kraftelektroniska system för kraften i flera dussintals hundra kW med transistorer och effektdioder med utgångsspänningar på 1200V och 1700V som finns på marknaden. Dessa element är en del av kraftmoduler vars teknik är analog med den som används för IGBT kiseltransistorer och har betydande parasitiska induktanser. Därför är det för närvarande inte möjligt att fullt ut utnyttja de utmärkta dynamiska egenskaperna hos SiC-komponenter, det är nödvändigt att införa lågimpedans kraftmoduler för SiC-komponenter på marknaden. Dessutom är det också nödvändigt att utveckla lämpliga grindregulatorer, strömkretsar, även med låg induktans samt lämpliga kylsystem. Därför är syftet med projektet att utveckla och genomföra ett universellt kraftelektroniskt funktionellt block/funktionellt kraftblock (FBM), som är en komponent i standardeffektelektroniska system (broomriktare, trefasomriktare, multi-level inverter) baserad på lågimpedans kraftmoduler. På så sätt kommer det utvecklade funktionsblocket att kunna använda denna enkla utveckling till ett komplett elektroniskt system beroende på kundens behov i en viss applikation. Artikel 25 i förordning (EG) nr 651/2014 av den 17 juni 2014 genom vilken vissa kategorier av stöd förklaras förenliga med den inre marknaden vid tillämpningen av artiklarna 107 och 108 i fördraget Det är allt. EU L 187/1 av den 26 juni 26.6.2014) (Swedish)
Property / coordinate location: 52°4'28.9"N, 21°1'37.6"E / qualifier
 
Property / contained in NUTS: Warszawski zachodni / qualifier
 
Property / contained in Local Administrative Unit
 
Property / contained in Local Administrative Unit: Piaseczno / rank
 
Normal rank
Property / contained in Local Administrative Unit: Piaseczno / qualifier
 
Property / coordinate location
 
52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E
Latitude52.0160584
Longitude21.014159386883
Precision1.0E-5
Globehttp://www.wikidata.org/entity/Q2
Property / coordinate location: 52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E / rank
 
Normal rank
Property / coordinate location: 52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E / qualifier
 
Property / thematic objective
 
Property / thematic objective: Research and innovation / rank
 
Normal rank
Property / date of last update
 
24 May 2023
Timestamp+2023-05-24T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / date of last update: 24 May 2023 / rank
 
Normal rank

Latest revision as of 21:43, 12 October 2024

Project Q78761 in Poland
Language Label Description Also known as
English
Energy-electronic functional blocks based on low induction modules with silicon carbide power devices
Project Q78761 in Poland

    Statements

    country
    Poland
    0 references
    EU contribution
    2,102,287.62 zloty
    0 references
    467,338.54 Euro
    exchange rate to Euro
    0.24 Euro
    point in time
    13 January 2020
    0 references
    budget
    2,849,316.73 zloty
    0 references
    633,403.11 Euro
    exchange rate to Euro
    0.24 Euro
    point in time
    13 January 2020
    0 references
    co-financing rate
    73.78 percent
    0 references
    start time
    1 June 2016
    0 references
    end time
    30 April 2018
    0 references
    beneficiary name (string)
    MARKEL SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ
    0 references
    beneficiary
    Q2510648
    0 references
    coordinate location

    52°4'28.9"N, 21°1'37.6"E
    inferred from
    location
    0 references

    52°0'57.82"N, 21°0'50.98"E
    inferred from
    location
    0 references
    summary
    Rozwijająca się w szybkim tempie technologia półprzewodnikowych przyrządów mocy z węglika krzemu (SiC) dostarcza elementów o coraz to wyższych napięciach i prądach znamionowych. Obecnie możliwe jest budowanie układów energoelektronicznych na moce rzędu kilkudziesięciu-kilkuset kW przy użyciu dostępnych na rynku tranzystorów i diod mocy o napięciach przebicia 1200V i 1700V. Elementy te wchodzą w skład modułów mocy, których technologia jest analogiczna z tą stosowaną w przypadku krzemowych tranzystorów IGBT i cechuje się znaczącymi indukcyjnościami pasożytniczymi. Dlatego obecnie nie jest możliwe pełne wykorzystanie doskonałych właściwości dynamicznych elementów SiC, konieczne jest pojawienie się na rynku niskoimpedancyjnych modułów mocy przeznaczonych dla elementów SiC. Ponadto niezbędne jest także opracowanie odpowiednich sterowników bramkowych, obwodów mocy, także o niskiej indukcyjności a także właściwych systemów chłodzenia. Dlatego celem projektu jest opracowanie i wdrożenie do produkcji uniwersalnego energoelektronicznego bloku funkcjonalnego/ funkcjonalnego bloku mocy (FBM), który jest podzespołem standardowych układów energoelektronicznych (falownik mostkowy, falownik trójfazowy, falownik wielopoziomowy) na bazie niskoimpedancyjnych modułów mocy. W ten sposób opracowany blok funkcjonalny będzie mógł być użyty to prostego rozwinięcia w pełny układ energoelektroniczny w zależności od potrzeb klienta w danej aplikacji. Art. 25 rozporządzenia KE nr 651/2014 z dnia 17 czerwca 2014 r. uznające niektóre rodzaje pomocy za zgodne z rynkiem wewnętrznym w stosowaniu art. 107 i 108 Traktatu (Dz. Urz. UE L 187/1 z 26.06.2014) (Polish)
    0 references
    The fast-growing semiconductor silicon carbide power (SiC) technology provides increasingly high voltages and rated currents. It is now possible to build energy-electronic systems for power of several dozen-several hundred kW using transistors and power diodes with 1200V and 1700V surge voltages available on the market. These elements are part of power modules whose technology is analogous to the one used for silicon transistors IGBT and has significant parasitic inductions. Therefore, it is currently not possible to fully exploit the excellent dynamic properties of SiC elements, it is necessary to enter the market with low-impedance power modules designed for SiC elements. In addition, it is also necessary to develop appropriate gate controllers, power circuits, also with low induction and proper cooling systems. Therefore, the aim of the project is to develop and implement for the production of a universal energy-electronic functional/functional power block (FBM), which is a subassembly of standard energy systems (bridge wave, three-phase inverter, multi-level inverter) based on low-impedant power modules. In this way, the functional block will be able to use this simple development into a full energy-electronic system depending on the client’s needs in the application. Article 25 of EC Regulation No 651/2014 of 17 June 2014 declaring certain types of aid compatible with the internal market in the application of Articles 107 and 108 of the Treaty (OJ L. I'm sorry. EU L 187/1 of 26.06.2014) (English)
    point in time
    14 October 2020
    readability score
    0.3865577364368664
    0 references
    La technologie à croissance rapide des instruments de puissance semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) fournit des éléments avec des tensions toujours plus élevées et des courants nominales. Actuellement, il est possible de construire des systèmes électroniques de puissance pour la puissance de plusieurs dizaines de centaines de kW en utilisant des transistors et des diodes de puissance avec des tensions de sortie de 1200V et 1700V disponibles sur le marché. Ces éléments font partie de modules de puissance dont la technologie est analogue à celle utilisée pour les transistors de silicium IGBT et présente d’importantes inductances parasitaires. Par conséquent, il n’est actuellement pas possible d’exploiter pleinement les excellentes propriétés dynamiques des composants SiC, il est nécessaire d’introduire des modules de puissance à faible impédance pour les composants SiC sur le marché. En outre, il est également nécessaire de développer des contrôleurs de porte appropriés, des circuits de puissance, également avec une faible inductance ainsi que des systèmes de refroidissement appropriés. Par conséquent, l’objectif du projet est de développer et de mettre en œuvre un bloc de puissance fonctionnel électronique universel (FBM), qui est un composant des systèmes électroniques de puissance standard (onduleur de pont, onduleur triphasé, onduleur multiniveau) basé sur des modules de puissance à faible impédance. De cette façon, le bloc fonctionnel développé sera en mesure d’utiliser ce développement simple dans un système électronique à pleine puissance en fonction des besoins du client dans une application donnée. Article 25 du règlement (CE) no 651/2014 du 17 juin 2014 déclarant certaines catégories d’aides compatibles avec le marché intérieur dans l’application des articles 107 et 108 du traité C’est tout. UE L 187/1 du 26.6.2014) (French)
    point in time
    30 November 2021
    0 references
    Die schnell wachsende Technologie von Siliziumcarbid (SiC) Halbleiter-Leistungsinstrumenten bietet Elemente mit immer höheren Spannungen und Nennströmen. Derzeit ist es möglich, leistungselektronische Systeme für die Leistung von mehreren Dutzend-mehrere hundert kW mit Transistoren und Leistungsdioden mit Ausgangsspannungen von 1200V und 1700V auf dem Markt verfügbar zu bauen. Diese Elemente sind Teil von Leistungsmodulen, deren Technologie analog zu IGBT-Siliziumtransistoren ist und signifikante parasitäre Induktivitäten aufweist. Daher ist es derzeit nicht möglich, die hervorragenden dynamischen Eigenschaften von SiC-Komponenten voll auszuschöpfen, es ist notwendig, Leistungsmodule mit niedriger Impedanz für SiC-Komponenten auf dem Markt einzuführen. Darüber hinaus ist es notwendig, geeignete Gate-Controller, Stromkreise, auch mit geringer Induktivität sowie geeignete Kühlsysteme zu entwickeln. Ziel des Projekts ist es daher, einen universellen Leistungselektronik-Funktionsblock (FBM) zu entwickeln und zu implementieren, der eine Komponente von Standardleistungselektroniksystemen (Brückenwechselrichter, Dreiphasen-Wechselrichter, Mehrebenen-Wechselrichter) auf Basis von Leistungsmodulen mit geringer Impedanz ist. Auf diese Weise wird der entwickelte Funktionsblock in der Lage sein, diese einfache Entwicklung zu einem vollleistungselektronischen System zu nutzen, abhängig von den Bedürfnissen des Kunden in einer bestimmten Anwendung. Artikel 25 der Verordnung (EG) Nr. 651/2014 vom 17. Juni 2014 zur Feststellung der Vereinbarkeit bestimmter Gruppen von Beihilfen mit dem Binnenmarkt in Anwendung der Artikel 107 und 108 AEUV Das war’s. EU L 187/1 vom 26.6.2014) (German)
    point in time
    7 December 2021
    0 references
    De snelgroeiende technologie van siliciumcarbide (SiC) halfgeleidervermogensinstrumenten biedt elementen met steeds hogere spanningen en nominale stromen. Momenteel is het mogelijk om stroomelektronische systemen te bouwen voor het vermogen van enkele tientallen-verschillende honderden kW met behulp van transistors en vermogensdioden met uitgangsspanningen van 1200V en 1700V beschikbaar op de markt. Deze elementen maken deel uit van power modules waarvan de technologie analoog is aan die gebruikt voor IGBT silicium transistors en heeft significante parasitaire inducties. Daarom is het momenteel niet mogelijk om de uitstekende dynamische eigenschappen van SiC-componenten volledig te benutten, het is noodzakelijk om vermogensmodules met lage impedantie voor SiC-componenten op de markt te introduceren. Daarnaast is het ook noodzakelijk om geschikte poortcontrollers, stroomcircuits, ook met lage inductie en geschikte koelsystemen te ontwikkelen. Daarom is het doel van het project het ontwikkelen en implementeren van een universele power electronic functional block/functional power block (FBM), dat een onderdeel is van standaard vermogenselektronische systemen (brugomvormer, driefasige omvormer, multi-level omvormer) op basis van vermogensmodules met lage impedantie. Op deze manier zal het ontwikkelde functionele blok deze eenvoudige ontwikkeling kunnen gebruiken tot een vol vermogen elektronisch systeem, afhankelijk van de behoeften van de klant in een bepaalde toepassing. Artikel 25 van Verordening (EG) nr. 651/2014 van 17 juni 2014 waarbij bepaalde categorieën steun op grond van de artikelen 107 en 108 van het Verdrag met de interne markt verenigbaar worden verklaard Dat is het. EU L 187/1 van 26.6.2014) (Dutch)
    point in time
    16 December 2021
    0 references
    La tecnologia in rapida crescita degli strumenti di potenza a semiconduttore in carburo di silicio (SiC) fornisce elementi con tensioni e correnti nominali sempre più elevate. Attualmente, è possibile costruire sistemi elettronici di potenza per la potenza di diverse decine di centinaia di kW utilizzando transistor e diodi di potenza con tensioni di uscita di 1200V e 1700V disponibili sul mercato. Questi elementi fanno parte di moduli di potenza la cui tecnologia è analoga a quella utilizzata per i transistor al silicio IGBT e presenta significative induttanze parassitarie. Pertanto, attualmente non è possibile sfruttare appieno le eccellenti proprietà dinamiche dei componenti SiC, è necessario introdurre sul mercato moduli di potenza a bassa impedenza per componenti SiC. Inoltre, è anche necessario sviluppare appositi controller gate, circuiti di potenza, anche con bassa induttanza e sistemi di raffreddamento appropriati. Pertanto, l'obiettivo del progetto è quello di sviluppare e implementare un blocco funzionale elettronico di potenza universale/blocco funzionale (FBM), che è un componente di sistemi elettronici di potenza standard (invertitore a ponte, inverter trifase, inverter multilivello) basato su moduli di potenza a bassa impedenza. In questo modo, il blocco funzionale sviluppato sarà in grado di utilizzare questo semplice sviluppo in un sistema elettronico a piena potenza a seconda delle esigenze del cliente in una determinata applicazione. Articolo 25 del regolamento (CE) n. 651/2014, del 17 giugno 2014, che dichiara talune categorie di aiuti compatibili con il mercato interno nell'applicazione degli articoli 107 e 108 del trattato È tutto qui. UE L 187/1 del 26.6.2014) (Italian)
    point in time
    15 January 2022
    0 references
    La tecnología de rápido crecimiento de los instrumentos de potencia de semiconductores de carburo de silicio (SiC) proporciona elementos con voltajes cada vez más altos y corrientes nominales. Actualmente, es posible construir sistemas electrónicos de potencia para la potencia de varias docenas de cientos de kW utilizando transistores y diodos de potencia con voltajes de salida de 1200V y 1700V disponibles en el mercado. Estos elementos forman parte de módulos de potencia cuya tecnología es análoga a la utilizada para los transistores de silicio IGBT y tiene importantes inductancias parasitarias. Por lo tanto, actualmente no es posible explotar plenamente las excelentes propiedades dinámicas de los componentes SiC, es necesario introducir módulos de potencia de baja impedancia para componentes SiC en el mercado. Además, también es necesario desarrollar controladores de compuerta adecuados, circuitos de potencia, también con baja inductancia, así como sistemas de refrigeración apropiados. Por lo tanto, el objetivo del proyecto es desarrollar e implementar un bloque funcional electrónico de potencia universal/bloque de potencia funcional (FBM), que es un componente de los sistemas electrónicos de potencia estándar (inversor de puente, inversor trifásico, inversor multinivel) basado en módulos de potencia de baja impedancia. De esta manera, el bloque funcional desarrollado podrá utilizar este simple desarrollo en un sistema electrónico de potencia completa dependiendo de las necesidades del cliente en una aplicación determinada. Artículo 25 del Reglamento (CE) n.º 651/2014, de 17 de junio de 2014, por el que se declaran determinadas categorías de ayudas compatibles con el mercado interior en la aplicación de los artículos 107 y 108 del Tratado Eso es todo. UE L 187/1 de 26.6.2014) (Spanish)
    point in time
    19 January 2022
    0 references
    Ränikarbiidi (SiC) pooljuhtseadmete kiiresti kasvav tehnoloogia pakub elemente, millel on üha kõrgem pinge ja nimivool. Praegu on võimalik ehitada jõuelektroonilisi süsteeme mitme tosinada kW võimsusega transistoride ja võimsusdioodidega, mille väljundpinge on 1200V ja 1700V. Need elemendid on osa jõumoodulitest, mille tehnoloogia on analoogne IGBT ränitransistorite tehnoloogiaga ja millel on märkimisväärsed parasiitsed induktiivsused. Seetõttu ei ole praegu võimalik täielikult ära kasutada ränikarbiidi komponentide suurepäraseid dünaamilisi omadusi, on vaja turule tuua vähese takistusega jõumoodulid ränikarbiidi komponentide jaoks. Lisaks on vaja välja töötada ka sobivad lüüsikontrollerid, toiteahelad, samuti madala induktiivsusega ja sobivad jahutussüsteemid. Seetõttu on projekti eesmärk arendada ja rakendada universaalset elektroonilist funktsionaalset blokki/funktsionaalset toiteplokki (FBM), mis on standardsete elektrooniliste jõusüsteemide (silla inverter, kolmefaasiline inverter, mitmetasandiline inverter) komponent, mis põhineb väikese takistusega toitemoodulitel. Sel viisil saab välja töötatud funktsionaalne plokk kasutada seda lihtsat arendust täisvõimsusega elektrooniliseks süsteemiks, sõltuvalt kliendi vajadustest antud rakenduses. Euroopa Liidu toimimise lepingu artiklite 107 ja 108 kohaldamise kohta 17. juuni 2014. aasta määruse (EL) nr 651/2014 (millega teatavat liiki abi tunnistatakse siseturuga kokkusobivaks) artikkel 25 See on kõik. EL L 187/1, 26.6.2014) (Estonian)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Sparčiai auganti silicio karbido (SiC) puslaidininkių galios instrumentų technologija suteikia elementams vis aukštesnę įtampą ir vardines sroves. Šiuo metu galima sukurti galios elektronines sistemas, skirtas kelių dešimčių kelių šimtų kW galiai, naudojant tranzistorius ir galios diodus, kurių išėjimo įtampa yra 1200V ir 1700V. Šie elementai yra dalis galios modulių, kurių technologija yra analogiška IGBT silicio tranzistoriams ir turi didelį parazitinį induktyvumą. Todėl šiuo metu neįmanoma visiškai išnaudoti puikių dinamiškų SiC komponentų savybių, todėl rinkoje būtina įdiegti mažos varžos galios modulius SiC komponentams. Be to, taip pat būtina sukurti tinkamus vartų valdiklius, galios grandines, taip pat mažo induktyvumo ir atitinkamas aušinimo sistemas. Todėl projekto tikslas – sukurti ir įgyvendinti universalų galios elektroninį funkcinį bloką/funkcinį galios bloką (FBM), kuris yra standartinių galios elektroninių sistemų (tiltų keitiklio, trifazio inverterio, daugiapakopio inverterio) komponentas, pagrįstas mažos varžos galios moduliais. Tokiu būdu sukurtas funkcinis blokas galės naudoti šią paprastą plėtrą į pilnos galios elektroninę sistemą, priklausomai nuo kliento poreikių konkrečioje programoje. 2014 m. birželio 17 d. Reglamento (EB) Nr. 651/2014, kuriuo tam tikrų kategorijų pagalba skelbiama suderinama su vidaus rinka taikant Sutarties 107 ir 108 straipsnius, 25 straipsnis Štai ir viskas. EU L 187/1, 2014 6 26) (Lithuanian)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Brzorastuća tehnologija poluvodičkih instrumenata silicijeva karbida (SiC) pruža elemente sa sve većim naponima i nazivnim strujama. Trenutno je moguće izgraditi električne elektroničke sustave za snagu nekoliko desetaka-nekoliko stotina kW pomoću tranzistora i dioda snage s izlaznim naponima od 1200V i 1700V dostupnih na tržištu. Ovi elementi su dio električnih modula čija je tehnologija analogna onoj koja se koristi za IGBT silicijske tranzistora i ima značajne parazitske induktivnosti. Stoga trenutno nije moguće u potpunosti iskoristiti izvrsna dinamička svojstva SiC komponenti, potrebno je uvesti module snage niske impedancije za SiC komponente na tržištu. Osim toga, također je potrebno razviti odgovarajuće kontrolere, strujne krugove, također s niskom induktivnošću, kao i odgovarajuće sustave hlađenja. Stoga je cilj projekta razviti i implementirati univerzalni elektronički funkcionalni blok/funkcionalni blok napajanja (FBM), koji je sastavni dio standardnih energetskih elektroničkih sustava (inverter mostova, trofazni pretvarač, višerazinski pretvarač) na temelju modula snage niske impedancije. Na taj će način razvijeni funkcionalni blok moći koristiti ovaj jednostavan razvoj u elektronički sustav pune snage ovisno o potrebama kupca u određenoj aplikaciji. Članak 25. Uredbe (EZ) br. 651/2014 od 17. lipnja 2014. o ocjenjivanju određenih kategorija potpora spojivima s unutarnjim tržištem u primjeni članaka 107. i 108. Ugovora To je sve. EU L 187/1 od 26.6.2014.) (Croatian)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Η ταχέως αναπτυσσόμενη τεχνολογία των οργάνων ισχύος ημιαγωγών καρβιδίου του πυριτίου (SiC) παρέχει στοιχεία με όλο και υψηλότερες τάσεις και εκτιμημένα ρεύματα. Επί του παρόντος, είναι δυνατή η κατασκευή ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος για την ισχύ αρκετών δεκάδων εκατοντάδων kW χρησιμοποιώντας τρανζίστορ και δίοδο ισχύος με τάσεις εξόδου 1200V και 1700V διαθέσιμες στην αγορά. Αυτά τα στοιχεία αποτελούν μέρος μονάδων ισχύος των οποίων η τεχνολογία είναι ανάλογη με εκείνη που χρησιμοποιείται για τα τρανζίστορ πυριτίου IGBT και έχει σημαντικές παρασιτικές επαγωγές. Ως εκ τούτου, επί του παρόντος δεν είναι δυνατόν να αξιοποιηθούν πλήρως οι εξαιρετικές δυναμικές ιδιότητες των εξαρτημάτων SiC, είναι απαραίτητο να εισαχθούν στην αγορά μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης για τα εξαρτήματα SiC. Επιπλέον, είναι επίσης απαραίτητο να αναπτυχθούν κατάλληλοι ελεγκτές πύλης, κυκλώματα ισχύος, επίσης με χαμηλή επαγωγή, καθώς και κατάλληλα συστήματα ψύξης. Ως εκ τούτου, ο στόχος του έργου είναι η ανάπτυξη και εφαρμογή ενός ηλεκτρονικού λειτουργικού μπλοκ/λειτουργικού μπλοκ (FBM), το οποίο είναι ένα συστατικό των τυποποιημένων ηλεκτρονικών συστημάτων ισχύος (inverter γέφυρας, τριφασικός inverter, πολυεπίπεδος inverter) που βασίζεται σε μονάδες ισχύος χαμηλής αντίστασης. Με αυτόν τον τρόπο, το αναπτυγμένο λειτουργικό μπλοκ θα είναι σε θέση να χρησιμοποιήσει αυτή την απλή εξέλιξη σε ένα ηλεκτρονικό σύστημα πλήρους ισχύος ανάλογα με τις ανάγκες του πελάτη σε μια δεδομένη εφαρμογή. Άρθρο 25 του κανονισμού (ΕΚ) αριθ. 651/2014, της 17ης Ιουνίου 2014, για την κήρυξη ορισμένων κατηγοριών ενισχύσεων ως συμβατών με την εσωτερική αγορά κατ’ εφαρμογή των άρθρων 107 και 108 της Συνθήκης Αυτό είναι όλο. ΕΕ L 187/1 της 26.6.2014) (Greek)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Rýchlo rastúca technológia polovodičových nástrojov karbidu kremíka (SiC) poskytuje prvky s čoraz vyšším napätím a menovitým prúdom. V súčasnosti je možné vybudovať elektrické elektronické systémy pre výkon niekoľkých desiatok stoviek kW pomocou tranzistorov a výkonových diód s výstupným napätím 1200V a 1700V dostupnými na trhu. Tieto prvky sú súčasťou výkonových modulov, ktorých technológia je podobná technológii používanej pre kremíkové tranzistory IGBT a má významné parazitické indukcie. Preto v súčasnosti nie je možné plne využiť vynikajúce dynamické vlastnosti komponentov SiC, je potrebné zaviesť nízko impedančné napájacie moduly pre komponenty SiC na trhu. Okrem toho je tiež potrebné vyvinúť vhodné regulátory brány, výkonové obvody, a to aj s nízkou indukčnosťou, ako aj vhodné chladiace systémy. Cieľom projektu je preto vyvinúť a implementovať univerzálny výkonový elektronický funkčný blok/funkčný napájací blok (FBM), ktorý je súčasťou štandardných výkonových elektronických systémov (mostový menič, trojfázový menič, viacúrovňový invertor) na báze nízko impedančných energetických jednotiek. Takto vyvinutý funkčný blok bude môcť využiť tento jednoduchý vývoj do plne napájacieho elektronického systému v závislosti od potrieb zákazníka v danej aplikácii. Článok 25 nariadenia (ES) č. 651/2014 zo 17. júna 2014 o vyhlásení určitých kategórií pomoci za zlučiteľné s vnútorným trhom pri uplatňovaní článkov 107 a 108 zmluvy To je všetko. EÚ L 187/1 z 26.6.2014) (Slovak)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Piikarbidin (SiC) puolijohdelaitteiden nopeasti kasvava teknologia tarjoaa elementtejä, joilla on yhä suurempia jännitteitä ja nimellisvirtoja. Tällä hetkellä on mahdollista rakentaa tehoelektronisia järjestelmiä useiden kymmenien satojen kW: n teholle käyttäen transistoreja ja tehodiodeja, joiden lähtöjännitteet ovat 1200 V ja 1700V. Nämä elementit ovat osa tehomoduuleja, joiden tekniikka vastaa IGBT-piitransistoreissa käytettyä tekniikkaa ja jolla on merkittävät loisinduktanssit. Siksi tällä hetkellä ei ole mahdollista täysin hyödyntää SiC-komponenttien erinomaisia dynaamisia ominaisuuksia, on tarpeen tuoda markkinoille pieniimpedanssivoimamoduuleja SiC-komponenteille. Lisäksi on tarpeen kehittää asianmukaisia portinsäätimiä, virtapiirejä, myös alhaisen induktanssin sekä asianmukaisia jäähdytysjärjestelmiä. Siksi hankkeen tavoitteena on kehittää ja toteuttaa yleiskäyttöinen elektroninen toiminnallinen lohko/toiminnallinen teholohko (FBM), joka on osa vakiotehoelektronisia järjestelmiä (silta-invertteri, kolmivaiheinen invertteri, monitasoinen invertteri), joka perustuu matalaimpedanssitehomoduuleihin. Tällä tavoin kehitetty toiminnallinen lohko pystyy käyttämään tätä yksinkertaista kehitystä täysitehoiseksi sähköiseksi järjestelmäksi riippuen asiakkaan tarpeista tietyssä sovelluksessa. Tiettyjen tukimuotojen toteamisesta sisämarkkinoille soveltuviksi perussopimuksen 107 ja 108 artiklan mukaisesti 17 päivänä kesäkuuta 2014 annetun asetuksen (EY) N:o 651/2014 25 artikla Se on siinä. EU L 187/1, 26.6.2014) (Finnish)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    A szilícium-karbid (SiC) félvezető elektromos műszerek gyorsan növekvő technológiája egyre nagyobb feszültséggel és névleges árammal rendelkezik. Jelenleg a piacon elérhető tranzisztorokkal és teljesítménydiódákkal, 1200 V és 1700V kimeneti feszültséggel rendelkező, több tucat-több száz kW teljesítményű elektronikus rendszereket lehet építeni. Ezek az elemek olyan energiamodulok részét képezik, amelyek technológiája hasonló az IGBT szilícium tranzisztorokhoz használt technológiához, és jelentős parazita induktivitással rendelkeznek. Ezért jelenleg nem lehet teljes mértékben kihasználni a SiC-alkatrészek kiváló dinamikus tulajdonságait, ezért kis impedanciájú erőműveket kell bevezetni a piacon. Ezenkívül megfelelő kapuvezérlőket, tápáramköröket, alacsony induktivitású és megfelelő hűtőrendszereket is ki kell fejleszteni. Ezért a projekt célja egy univerzális elektronikus funkcionális blokk/funkcionális teljesítményblokk (FBM) kifejlesztése és megvalósítása, amely a szabványos teljesítményelektronikus rendszerek (hídinverter, háromfázisú inverter, többszintű inverter) komponense, amely alacsony impedanciás teljesítménymodulokon alapul. Ily módon a kifejlesztett funkcionális blokk képes lesz ezt az egyszerű fejlesztést egy teljes teljesítményű elektronikus rendszerré használni, az adott alkalmazásban az ügyfél igényeitől függően. A Szerződés 107. és 108. cikkének alkalmazásában bizonyos támogatási kategóriáknak a belső piaccal összeegyeztethetőnek nyilvánításáról szóló, 2014. június 17-i 651/2014/EK rendelet 25. cikke Ez az. – Ez az. EU L 187/1, 2014.6.26.) (Hungarian)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Rychle rostoucí technologie polovodičových nástrojů z karbidu křemíku (SiC) poskytuje prvky se stále vyšším napětím a jmenovitými proudy. V současné době je možné vybudovat výkonové elektronické systémy pro výkon několika desítek set kW pomocí tranzistorů a výkonových diod s výstupním napětím 1200V a 1700V, které jsou k dispozici na trhu. Tyto prvky jsou součástí energetických modulů, jejichž technologie je podobná technologii používané pro IGBT křemíkové tranzistory a má významnou parazitní indukčnost. Proto v současné době není možné plně využít vynikající dynamické vlastnosti komponentů SiC, je nutné zavést nízkoimpedanční výkonové moduly pro komponenty SiC na trhu. Kromě toho je také nutné vyvinout vhodné regulátory brány, napájecí obvody, také s nízkou indukčností, jakož i vhodné chladicí systémy. Cílem projektu je proto vyvinout a implementovat univerzální výkonový elektronický funkční blok/funkční blok (FBM), který je součástí standardních výkonových elektronických systémů (mostový měnič, třífázový měnič, víceúrovňový měnič) založený na nízkoimpedančních výkonových modulech. Tímto způsobem bude vyvinutý funkční blok schopen tento jednoduchý vývoj využít do plně výkonného elektronického systému v závislosti na potřebách zákazníka v dané aplikaci. Článek 25 nařízení (ES) č. 651/2014 ze dne 17. června 2014, kterým se v souladu s články 107 a 108 Smlouvy prohlašují určité kategorie podpory za slučitelné s vnitřním trhem To je všechno. EU L 187/1 ze dne 26.6.2014) (Czech)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Strauji augošā silīcija karbīda (SiC) pusvadītāju spēka instrumentu tehnoloģija nodrošina elementus ar arvien lielāku spriegumu un nominālo strāvu. Pašlaik ir iespējams būvēt elektroniskās sistēmas vairāku desmitu simtu kW jaudai, izmantojot tranzistorus un jaudas diodes ar izejas spriegumu 1200V un 1700V, kas pieejami tirgū. Šie elementi ir daļa no elektroenerģijas moduļiem, kuru tehnoloģija ir analoga tai, ko izmanto IGBT silīcija tranzistoriem, un tiem ir ievērojamas parazītu indukcijas. Tāpēc pašlaik nav iespējams pilnībā izmantot SiC komponentu lieliskās dinamiskās īpašības, tirgū ir jāievieš zemas pretestības jaudas moduļi SiC komponentiem. Turklāt ir nepieciešams arī izstrādāt atbilstošus vārtu kontrollerus, strāvas ķēdes, arī ar zemu induktivitāti, kā arī atbilstošas dzesēšanas sistēmas. Tāpēc projekta mērķis ir izstrādāt un ieviest universālu jaudas elektronisko bloku/funkcionālo barošanas bloku (FBM), kas ir standarta jaudas elektronisko sistēmu (tilts pārveidotājs, trīsfāžu invertors, daudzlīmeņu invertors) sastāvdaļa, pamatojoties uz zemas pretestības jaudas moduļiem. Šādā veidā izstrādātais funkcionālais bloks varēs izmantot šo vienkāršo izstrādi par pilnas jaudas elektronisko sistēmu atkarībā no klienta vajadzībām konkrētajā lietojumprogrammā. 25. pants 2014. gada 17. jūnija Regulā (EK) Nr. 651/2014, ar ko noteiktas atbalsta kategorijas atzīst par saderīgām ar iekšējo tirgu, piemērojot Līguma 107. un 108. pantu Tas ir viss. EU L 187/1, 26.6.2014.) (Latvian)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Soláthraíonn an teicneolaíocht atá ag fás go tapa ar ionstraimí leathsheoltóra chomhdhúile sileacain (SiC) eilimintí le voltais níos airde agus sruthanna rátáilte. Faoi láthair, is féidir córais leictreonacha cumhachta a thógáil le haghaidh cumhacht roinnt dosaen-roinnt céad kW ag baint úsáide as trasraitheoirí agus dé-óidí cumhachta le voltais aschuir 1200V agus 1700V ar fáil ar an margadh. Tá na heilimintí seo mar chuid de mhodúil chumhachta a bhfuil a dteicneolaíocht ar aon dul leis an teicneolaíocht a úsáidtear le haghaidh trasraitheoirí sileacain IGBT agus tá ionduchtais shuntasacha seadánacha acu. Dá bhrí sin, ní féidir airíonna dinimiciúla den scoth na gcomhpháirteanna SiC a shaothrú go hiomlán faoi láthair, is gá modúil chumhachta íseal-impedance a thabhairt isteach le haghaidh comhpháirteanna SiC ar an margadh. Ina theannta sin, is gá freisin rialaitheoirí geata cuí, ciorcaid chumhachta a fhorbairt, chomh maith le hionduchtú íseal chomh maith le córais fuaraithe iomchuí. Dá bhrí sin, is é aidhm an tionscadail bloc uilíoch feidhme leictreonach cumhachta/bloc cumhachta feidhmiúil (FBM) a fhorbairt agus a chur chun feidhme, ar cuid de chórais leictreonacha chumhachta chaighdeánacha (inverter droichead, inverter trí phas, inverter il-leibhéil) é bunaithe ar mhodúil chumhachta íseal-impedance. Ar an mbealach seo, beidh an bloc feidhme forbartha in ann an fhorbairt shimplí seo a úsáid i gcóras leictreonach lánchumhachta ag brath ar riachtanais an chustaiméara in iarratas ar leith. Airteagal 25 de Rialachán (CE) Uimh. 651/2014 an 17 Meitheamh 2014 ina ndearbhaítear go bhfuil catagóirí áirithe cabhrach comhoiriúnach leis an margadh inmheánach i gcur i bhfeidhm Airteagail 107 agus 108 den Chonradh Sin é. AE L 187/1 an 26.6.2014) (Irish)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Hitro rastoča tehnologija polprevodniških instrumentov silicijevega karbida (SiC) zagotavlja elemente z vedno višjimi napetostmi in nazivnimi tokovi. Trenutno je mogoče zgraditi močne elektronske sisteme za moč več ducat-več sto kW z uporabo tranzistorjev in močnih diod z izhodnimi napetostmi 1200V in 1700V, ki so na voljo na trgu. Ti elementi so del elektroenergijskih modulov, katerih tehnologija je podobna tisti, ki se uporablja za silikonske tranzistorje IGBT, in ima pomembne parazitske induktivnosti. Zato trenutno ni mogoče v celoti izkoristiti odličnih dinamičnih lastnosti komponent SiC, na trgu je treba uvesti nizko impedance za komponente SiC. Poleg tega je treba razviti tudi ustrezne krmilnike vrat, napajalne tokokroge, tudi z nizko induktivnostjo in ustreznimi hladilnimi sistemi. Zato je cilj projekta razvoj in izvajanje univerzalnega elektronskega funkcionalnega bloka/funkcionalnega bloka (FBM), ki je sestavni del standardnih močnostnih elektronskih sistemov (mostovni inverter, trifazni pretvornik, večstopenjski inverter), ki temelji na modulih z nizko impedanco. Na ta način bo razvit funkcionalni blok lahko uporabil ta preprost razvoj v elektronski sistem polne moči, odvisno od potreb stranke v dani aplikaciji. Člen 25 Uredbe (ES) št. 651/2014 z dne 17. junija 2014 o razglasitvi nekaterih vrst pomoči za združljive z notranjim trgom pri uporabi členov 107 in 108 Pogodbe To je vse. EU L 187/1, 26.6.2014) (Slovenian)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Бързоразвиващата се технология на силициев карбид (SiC) полупроводникови инструменти осигурява елементи с все по-високо напрежение и номинален ток. В момента е възможно да се изградят силови електронни системи за мощност от няколко десетки няколкостотин kW с помощта на транзистори и силови диоди с изходни напрежения от 1200V и 1700V, налични на пазара. Тези елементи са част от силови модули, чиято технология е аналогична на тази, използвана за IGBT силициеви транзистори и има значителни паразитни индуктивност. Ето защо понастоящем не е възможно да се използват напълно отличните динамични свойства на компонентите на SiC, е необходимо на пазара да се въведат модули с нисък импеданс за компонентите на SiC. В допълнение, също така е необходимо да се разработят подходящи контролери на изхода, силови вериги, също с ниска индуктивност, както и подходящи системи за охлаждане. Ето защо, целта на проекта е да се разработи и внедри универсален силов електронен функционален блок/функционален силов блок (FBM), който е компонент на стандартните силови електронни системи (мостов инвертор, трифазен инвертор, многостепенен инвертор), базиран на енергийни модули с нисък импеданс. По този начин разработеният функционален блок ще може да използва тази проста разработка в електронна система с пълна мощност в зависимост от нуждите на клиента в дадено приложение. Член 25 от Регламент (ЕО) № 651/2014 от 17 юни 2014 г. за обявяване на някои категории помощи за съвместими с вътрешния пазар в приложение на членове 107 и 108 от Договора Това е всичко. EU L 187/1 от 26.6.2014 г.) (Bulgarian)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    It-teknoloġija li qed tikber malajr ta ‘strumenti ta’ enerġija semikondutturi tal-karbur tas-silikon (SiC) tipprovdi elementi b’vultaġġi dejjem ogħla u kurrenti nominali. Bħalissa, huwa possibbli li jinbnew sistemi elettroniċi tal-enerġija għall-enerġija ta’ diversi tużżana mitt kW li jużaw transisters u dijodi tal-enerġija b’vultaġġi tal-output ta’ 1200V u 1700V disponibbli fis-suq. Dawn l-elementi huma parti minn moduli tal-enerġija li t-teknoloġija tagħhom hija analoga għal dik użata għat-transisters tas-siliċju IGBT u għandha inductances parasitiċi sinifikanti. Għalhekk, bħalissa mhuwiex possibbli li jiġu sfruttati bis-sħiħ il-proprjetajiet dinamiċi eċċellenti tal-komponenti tas-SiC, huwa meħtieġ li jiġu introdotti moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa għall-komponenti tas-SiC fis-suq. Barra minn hekk, huwa meħtieġ ukoll li jiġu żviluppati kontrolluri tal-gate xierqa, ċirkwiti tal-enerġija, anke b’induttanza baxxa kif ukoll sistemi ta’ tkessiħ xierqa. Għalhekk, l-għan tal-proġett huwa li jiżviluppa u jimplimenta blokk funzjonali funzjonali tal-potenza universali/blokk funzjonali tal-potenza (FBM), li huwa komponent tas-sistemi elettroniċi tal-enerġija standard (bridge inverter, inverter bi tliet fażijiet, invertitur b’diversi livelli) ibbażat fuq moduli tal-enerġija b’impedenza baxxa. B’dan il-mod, il-blokk funzjonali żviluppat se jkun jista’ juża dan l-iżvilupp sempliċi f’sistema elettronika tal-enerġija sħiħa skont il-ħtiġijiet tal-klijent f’applikazzjoni partikolari. L-Artikolu 25 tar-Regolament (KE) Nru 651/2014 tas-17 ta’ Ġunju 2014 li jiddikjara ċerti kategoriji ta’ għajnuna bħala kompatibbli mas-suq intern skont l-Artikoli 107 u 108 tat-Trattat Li huwa. UE L 187/1 tas-26.6.2014) (Maltese)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    A tecnologia de potência de carboneto de silício (SiC) semicondutor de rápido crescimento fornece tensões cada vez mais altas e correntes nominais. Agora é possível construir sistemas eletrônicos de energia para potência de várias dezenas de centenas de kW usando transístores e díodos de potência com tensões de sobretensão de 1200V e 1700V disponíveis no mercado. Estes elementos fazem parte de módulos de potência cuja tecnologia é análoga à utilizada para os transístores de silício IGBT e tem induções parasitárias significativas. Portanto, atualmente não é possível explorar plenamente as excelentes propriedades dinâmicas dos elementos SiC, é necessário entrar no mercado com módulos de potência de baixa impedância projetados para elementos SiC. Além disso, também é necessário desenvolver controladores de porta apropriados, circuitos de potência, também com baixa indução e sistemas de arrefecimento adequados. Por conseguinte, o objetivo do projeto é desenvolver e implementar para a produção de um bloco de energia universal eletrónico funcional/funcional (FBM), que é um subconjunto de sistemas energéticos normalizados (onda de ponte, inversor trifásico, inversor multinível) com base em módulos de potência de baixo impacto. Desta forma, o bloco funcional poderá utilizar esta simples evolução para um sistema totalmente eletrónico do ponto de vista energético, em função das necessidades do cliente na aplicação. Artigo 25.o do Regulamento (CE) n.o 651/2014, de 17 de junho de 2014, que declara certos tipos de auxílio compatíveis com o mercado interno, em aplicação dos artigos 107.o e 108.o do Tratado (JO L UE L 187/1 de 26.6.2014) (Portuguese)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Den hurtigt voksende teknologi af siliciumcarbid (SiC) halvledereffektinstrumenter giver elementer med stadig højere spændinger og nominelle strømme. I øjeblikket er det muligt at opbygge elektriske elektroniske systemer til effekt på flere dusin-flere hundrede kW ved hjælp af transistorer og power dioder med udgangsspændinger på 1200V og 1700V tilgængelige på markedet. Disse elementer er en del af el-moduler, hvis teknologi er analog med den, der anvendes til IGBT silicium transistorer og har betydelige parasitære induktans. Derfor er det i øjeblikket ikke muligt fuldt ud at udnytte de fremragende dynamiske egenskaber ved SiC-komponenter, det er nødvendigt at indføre lavimpedans-effektmoduler til SiC-komponenter på markedet. Derudover er det også nødvendigt at udvikle passende gate controllere, strømkredse, også med lav induktans samt passende kølesystemer. Formålet med projektet er derfor at udvikle og gennemføre en universel elektronisk funktionsblok/funktionel blok (FBM), som er en del af standardelektroniksystemer (broomformer, trefaset inverter, multi-level inverter) baseret på lavimpedans-effektmoduler. På denne måde vil den udviklede funktionelle blok kunne bruge denne enkle udvikling til et fuldt el-elektronisk system afhængigt af kundens behov i en given applikation. Artikel 25 i forordning (EF) nr. 651/2014 af 17. juni 2014 om visse former for støttes forenelighed med det indre marked i henhold til traktatens artikel 107 og 108 Det er det. EU L 187/1 af 26.6.2014) (Danish)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Tehnologia cu creștere rapidă a instrumentelor de putere semiconductoare din carbură de siliciu (SiC) oferă elemente cu tensiuni tot mai mari și curenți nominali. În prezent, este posibil să se construiască sisteme electronice de putere pentru puterea de câteva zeci-mai multe sute kW folosind tranzistoare și diode de putere cu tensiuni de ieșire de 1200V și 1700V disponibile pe piață. Aceste elemente fac parte din modulele de putere a căror tehnologie este similară cu cea utilizată pentru tranzistoarele de siliciu IGBT și are inductanțe parazitare semnificative. Prin urmare, în prezent nu este posibil să se exploateze pe deplin proprietățile dinamice excelente ale componentelor SiC, este necesar să se introducă pe piață module electrice cu impedanță redusă pentru componentele SiC. În plus, este, de asemenea, necesar să se dezvolte controlere de poartă adecvate, circuite de putere, de asemenea, cu inductanță scăzută, precum și sisteme de răcire adecvate. Prin urmare, scopul proiectului este de a dezvolta și implementa un bloc funcțional electronic de putere universală (FBM), care este o componentă a sistemelor electronice standard de putere (invertor de punte, invertor trifazat, invertor multi-nivel) bazat pe module de putere cu impedanță redusă. În acest fel, blocul funcțional dezvoltat va putea utiliza această simplă dezvoltare într-un sistem electronic de putere maximă, în funcție de nevoile clientului într-o anumită aplicație. Articolul 25 din Regulamentul (CE) nr. 651/2014 din 17 iunie 2014 de declarare a anumitor categorii de ajutoare compatibile cu piața internă în aplicarea articolelor 107 și 108 din tratat Asta e tot. UE L 187/1 din 26.6.2014) (Romanian)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    Den snabbväxande tekniken för kiselkarbid (SiC) halvledareffektinstrument ger element med allt högre spänningar och märkströmmar. För närvarande är det möjligt att bygga kraftelektroniska system för kraften i flera dussintals hundra kW med transistorer och effektdioder med utgångsspänningar på 1200V och 1700V som finns på marknaden. Dessa element är en del av kraftmoduler vars teknik är analog med den som används för IGBT kiseltransistorer och har betydande parasitiska induktanser. Därför är det för närvarande inte möjligt att fullt ut utnyttja de utmärkta dynamiska egenskaperna hos SiC-komponenter, det är nödvändigt att införa lågimpedans kraftmoduler för SiC-komponenter på marknaden. Dessutom är det också nödvändigt att utveckla lämpliga grindregulatorer, strömkretsar, även med låg induktans samt lämpliga kylsystem. Därför är syftet med projektet att utveckla och genomföra ett universellt kraftelektroniskt funktionellt block/funktionellt kraftblock (FBM), som är en komponent i standardeffektelektroniska system (broomriktare, trefasomriktare, multi-level inverter) baserad på lågimpedans kraftmoduler. På så sätt kommer det utvecklade funktionsblocket att kunna använda denna enkla utveckling till ett komplett elektroniskt system beroende på kundens behov i en viss applikation. Artikel 25 i förordning (EG) nr 651/2014 av den 17 juni 2014 genom vilken vissa kategorier av stöd förklaras förenliga med den inre marknaden vid tillämpningen av artiklarna 107 och 108 i fördraget Det är allt. EU L 187/1 av den 26 juni 26.6.2014) (Swedish)
    point in time
    13 August 2022
    0 references
    location (string)
    WOJ.: MAZOWIECKIE, POW.: piaseczyński
    0 references
    date of last update
    24 May 2023
    0 references

    Identifiers

    Polish Kohesio ID
    POIR.01.01.01-00-1865/15
    0 references
     
    Retrieved from "https://linkedopendata.eu/w/index.php?title=Item:Q78761&oldid=44467941"