Innovative materials for advanced e-nose sensors (electronic nose) and e-language (electronic language) applied to the environment (Q3696866): Difference between revisions

From EU Knowledge Graph
Jump to navigation Jump to search
(‎Changed label, description and/or aliases in nl, and other parts: Adding Dutch translations)
(‎Changed label, description and/or aliases in pt)
 
(9 intermediate revisions by 2 users not shown)
label / itlabel / it
 
Materiali innovativi per sensori avanzati di naso elettronico (naso elettronico) e lingua elettronica (lingua elettronica) applicati all'ambiente
label / eslabel / es
 
Materiales innovadores para sensores avanzados de nariz electrónica (nariz electrónica) y lenguaje electrónico (lengua electrónica) aplicados al entorno
label / etlabel / et
 
Uuenduslikud materjalid täiustatud e-ninaandurite (elektrooniline nina) ja e-keele (elektrooniline keel) jaoks, mida kasutatakse keskkonnas
label / ltlabel / lt
 
Naujoviškos medžiagos pažangiesiems e. nosies jutikliams (elektroninei nosiai) ir elektroninei kalbai (elektroninei kalbai) taikomiems aplinkai
label / hrlabel / hr
 
Inovativni materijali za napredne senzore e-nose (elektronički nos) i e-jezik (elektronički jezik) koji se primjenjuju na okoliš
label / ellabel / el
 
Καινοτόμα υλικά για προηγμένους ηλεκτρονικούς αισθητήρες (ηλεκτρονική μύτη) και ηλεκτρονική γλώσσα (ηλεκτρονική γλώσσα) που εφαρμόζονται στο περιβάλλον
label / sklabel / sk
 
Inovatívne materiály pre moderné e-nosové senzory (elektronický nos) a e-jazyk (elektronický jazyk) aplikované na životné prostredie
label / filabel / fi
 
Innovatiiviset materiaalit kehittyneille e-nose-antureille (elektroninen nenä) ja e-kielelle (sähköinen kieli), joita käytetään ympäristöön
label / pllabel / pl
 
Innowacyjne materiały do zaawansowanych czujników e-nosów (elektroniczny nos) i e-języka (język elektroniczny) stosowane w środowisku
label / hulabel / hu
 
Innovatív anyagok a környezetre alkalmazott fejlett e-orrúd-érzékelők (elektronikus orr) és e-nyelv (elektronikus nyelv) számára
label / cslabel / cs
 
Inovativní materiály pro pokročilé snímače e-nosů (elektronický nos) a e-jazyk (elektronický jazyk) aplikované na životní prostředí
label / lvlabel / lv
 
Videi piemēroti inovatīvi materiāli progresīviem e-deguna sensoriem (elektroniskais deguns) un e-valoda (elektroniskā valoda)
label / galabel / ga
 
Ábhair nuálacha le haghaidh ardbhraiteoirí ríomh-srón (an tsrón leictreonach) agus le haghaidh ríomhtheanga (ríomhtheanga) a chuirtear i bhfeidhm ar an gcomhshaol
label / sllabel / sl
 
Inovativni materiali za napredne senzorje e-nose (elektronski nos) in e-jezik (elektronski jezik), ki se uporabljajo v okolju
label / bglabel / bg
 
Иновативни материали за усъвършенствани сензори за е-нос (електронен нос) и електронен език (електронен език), прилагани към околната среда
label / mtlabel / mt
 
Materjali innovattivi għal sensuri avvanzati tal-e-nose (imnieħer elettroniku) u l-lingwa elettronika (lingwa elettronika) applikati għall-ambjent
label / ptlabel / pt
 
Materiais inovadores para sensores avançados de nariz eletrónico (nariz eletrónico) e linguagem eletrónica (linguagem eletrónica) aplicados ao ambiente
label / dalabel / da
 
Innovative materialer til avancerede e-næsesensorer (elektronisk næse) og e-sprog (elektronisk sprog) anvendt på miljøet
label / rolabel / ro
 
Materiale inovatoare pentru senzorii avansați ai nasului electronic (nasul electronic) și limbajul electronic (limba electronică) aplicați mediului
label / svlabel / sv
 
Innovativa material för avancerade e-nässensorer (elektronisk näsa) och e-språk (elektroniskt språk) som används i miljön
description / bgdescription / bg
 
Проект Q3696866 във Франция
description / hrdescription / hr
 
Projekt Q3696866 u Francuskoj
description / hudescription / hu
 
Projekt Q3696866 Franciaországban
description / csdescription / cs
 
Projekt Q3696866 ve Francii
description / dadescription / da
 
Projekt Q3696866 i Frankrig
description / nldescription / nl
 
Project Q3696866 in Frankrijk
description / etdescription / et
 
Projekt Q3696866 Prantsusmaal
description / fidescription / fi
 
Projekti Q3696866 Ranskassa
description / frdescription / fr
 
Projet Q3696866 en France
description / dedescription / de
 
Projekt Q3696866 in Frankreich
description / eldescription / el
 
Έργο Q3696866 στη Γαλλία
description / gadescription / ga
 
Tionscadal Q3696866 sa Fhrainc
description / itdescription / it
 
Progetto Q3696866 in Francia
description / lvdescription / lv
 
Projekts Q3696866 Francijā
description / ltdescription / lt
 
Projektas Q3696866 Prancūzijoje
description / mtdescription / mt
 
Proġett Q3696866 fi Franza
description / pldescription / pl
 
Projekt Q3696866 we Francji
description / ptdescription / pt
 
Projeto Q3696866 na França
description / rodescription / ro
 
Proiectul Q3696866 în Franța
description / skdescription / sk
 
Projekt Q3696866 vo Francúzsku
description / sldescription / sl
 
Projekt Q3696866 v Franciji
description / esdescription / es
 
Proyecto Q3696866 en Francia
description / svdescription / sv
 
Projekt Q3696866 i Frankrike
Property / end time
31 December 2017
Timestamp+2017-12-31T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
 
Property / end time: 31 December 2017 / rank
Normal rank
 
Property / summary: This project aims to create a new type of electronic nose and electronic language, based on large-area nano-interaction sensors, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), which in turn is based on nanoscale growth of nitrides materials, carried out by the team of Georgia Tech Lorraine (as part of the UMI) and on the functionalisation of the sensor surface carried out by the LIST team. (English) / qualifier
 
readability score: 0.0272252608996697
Amount0.0272252608996697
Unit1
Property / contained in Local Administrative Unit
 
Property / contained in Local Administrative Unit: Metz / rank
 
Normal rank
Property / summary
 
Questo progetto mira a creare un nuovo tipo di naso elettronico e linguaggio elettronico, basato su sensori nano-interazione di grande area, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), che a sua volta si basa sulla crescita nanoscala dei materiali nitruri, effettuata dal team di Georgia Tech Lorraine (come parte dell'UMI) e sulla funzionalizzazione della superficie del sensore effettuata dal team LIST. (Italian)
Property / summary: Questo progetto mira a creare un nuovo tipo di naso elettronico e linguaggio elettronico, basato su sensori nano-interazione di grande area, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), che a sua volta si basa sulla crescita nanoscala dei materiali nitruri, effettuata dal team di Georgia Tech Lorraine (come parte dell'UMI) e sulla funzionalizzazione della superficie del sensore effettuata dal team LIST. (Italian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Questo progetto mira a creare un nuovo tipo di naso elettronico e linguaggio elettronico, basato su sensori nano-interazione di grande area, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), che a sua volta si basa sulla crescita nanoscala dei materiali nitruri, effettuata dal team di Georgia Tech Lorraine (come parte dell'UMI) e sulla funzionalizzazione della superficie del sensore effettuata dal team LIST. (Italian) / qualifier
 
point in time: 13 January 2022
Timestamp+2022-01-13T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Este proyecto tiene como objetivo crear un nuevo tipo de nariz electrónica y lenguaje electrónico, basado en sensores nanointeracción de gran área, nano-HEMT (Transistor de Electrones de Alta Movilidad), que a su vez se basa en el crecimiento de nanoescala de materiales de nitruros, llevado a cabo por el equipo de Georgia Tech Lorraine (como parte de la UMI) y en la funcionalización de la superficie del sensor llevada a cabo por el equipo LIST. (Spanish)
Property / summary: Este proyecto tiene como objetivo crear un nuevo tipo de nariz electrónica y lenguaje electrónico, basado en sensores nanointeracción de gran área, nano-HEMT (Transistor de Electrones de Alta Movilidad), que a su vez se basa en el crecimiento de nanoescala de materiales de nitruros, llevado a cabo por el equipo de Georgia Tech Lorraine (como parte de la UMI) y en la funcionalización de la superficie del sensor llevada a cabo por el equipo LIST. (Spanish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Este proyecto tiene como objetivo crear un nuevo tipo de nariz electrónica y lenguaje electrónico, basado en sensores nanointeracción de gran área, nano-HEMT (Transistor de Electrones de Alta Movilidad), que a su vez se basa en el crecimiento de nanoescala de materiales de nitruros, llevado a cabo por el equipo de Georgia Tech Lorraine (como parte de la UMI) y en la funcionalización de la superficie del sensor llevada a cabo por el equipo LIST. (Spanish) / qualifier
 
point in time: 14 January 2022
Timestamp+2022-01-14T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projekti eesmärk on luua uut tüüpi elektrooniline nina ja elektrooniline keel, mis põhineb suurtel nanokoostoime anduritel nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), mis omakorda põhineb nitriidimaterjalide nanotasandi kasvul, mida viib läbi Georgia Tech Lorraine’i meeskond (UMI osana) ja anduripinna funktsionaliseerumisel LISTi meeskonna poolt. (Estonian)
Property / summary: Projekti eesmärk on luua uut tüüpi elektrooniline nina ja elektrooniline keel, mis põhineb suurtel nanokoostoime anduritel nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), mis omakorda põhineb nitriidimaterjalide nanotasandi kasvul, mida viib läbi Georgia Tech Lorraine’i meeskond (UMI osana) ja anduripinna funktsionaliseerumisel LISTi meeskonna poolt. (Estonian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projekti eesmärk on luua uut tüüpi elektrooniline nina ja elektrooniline keel, mis põhineb suurtel nanokoostoime anduritel nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), mis omakorda põhineb nitriidimaterjalide nanotasandi kasvul, mida viib läbi Georgia Tech Lorraine’i meeskond (UMI osana) ja anduripinna funktsionaliseerumisel LISTi meeskonna poolt. (Estonian) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Šio projekto tikslas – sukurti naujo tipo elektroninę nosį ir elektroninę kalbą, pagrįstą didelio ploto nanosąveikos jutikliais, nano-HEMT (didelio mobilumo elektronų tranzistoriumi), kuris savo ruožtu grindžiamas nitridų medžiagų nanoskalės augimu, kurį atlieka Georgia Tech Lorraine komanda (kaip UMI dalis) ir LIST komandos atliekama jutiklio paviršiaus funkcionalizacija. (Lithuanian)
Property / summary: Šio projekto tikslas – sukurti naujo tipo elektroninę nosį ir elektroninę kalbą, pagrįstą didelio ploto nanosąveikos jutikliais, nano-HEMT (didelio mobilumo elektronų tranzistoriumi), kuris savo ruožtu grindžiamas nitridų medžiagų nanoskalės augimu, kurį atlieka Georgia Tech Lorraine komanda (kaip UMI dalis) ir LIST komandos atliekama jutiklio paviršiaus funkcionalizacija. (Lithuanian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Šio projekto tikslas – sukurti naujo tipo elektroninę nosį ir elektroninę kalbą, pagrįstą didelio ploto nanosąveikos jutikliais, nano-HEMT (didelio mobilumo elektronų tranzistoriumi), kuris savo ruožtu grindžiamas nitridų medžiagų nanoskalės augimu, kurį atlieka Georgia Tech Lorraine komanda (kaip UMI dalis) ir LIST komandos atliekama jutiklio paviršiaus funkcionalizacija. (Lithuanian) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Cilj je ovog projekta stvoriti novu vrstu elektroničkog nosa i elektroničkog jezika, na temelju velikih senzora za nanointerakciju, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), koji se pak temelji na nanorazinskom rastu nitridnih materijala, koji provodi tim Georgia Tech Lorraine (kao dio UMI-ja) i na funkcionalnosti površine senzora koju provodi LIST tim. (Croatian)
Property / summary: Cilj je ovog projekta stvoriti novu vrstu elektroničkog nosa i elektroničkog jezika, na temelju velikih senzora za nanointerakciju, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), koji se pak temelji na nanorazinskom rastu nitridnih materijala, koji provodi tim Georgia Tech Lorraine (kao dio UMI-ja) i na funkcionalnosti površine senzora koju provodi LIST tim. (Croatian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Cilj je ovog projekta stvoriti novu vrstu elektroničkog nosa i elektroničkog jezika, na temelju velikih senzora za nanointerakciju, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), koji se pak temelji na nanorazinskom rastu nitridnih materijala, koji provodi tim Georgia Tech Lorraine (kao dio UMI-ja) i na funkcionalnosti površine senzora koju provodi LIST tim. (Croatian) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Το έργο αυτό αποσκοπεί στη δημιουργία ενός νέου τύπου ηλεκτρονικής μύτης και ηλεκτρονικής γλώσσας, με βάση αισθητήρες νανο-αλληλεπίδρασης μεγάλης περιοχής, το nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), το οποίο με τη σειρά του βασίζεται στην ανάπτυξη νανοκλίμακας των υλικών νιτριδίων, που πραγματοποιείται από την ομάδα της Georgia Tech Lorraine (ως μέρος της UMI) και στη λειτουργία της επιφάνειας των αισθητήρων που πραγματοποιείται από την ομάδα LIST. (Greek)
Property / summary: Το έργο αυτό αποσκοπεί στη δημιουργία ενός νέου τύπου ηλεκτρονικής μύτης και ηλεκτρονικής γλώσσας, με βάση αισθητήρες νανο-αλληλεπίδρασης μεγάλης περιοχής, το nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), το οποίο με τη σειρά του βασίζεται στην ανάπτυξη νανοκλίμακας των υλικών νιτριδίων, που πραγματοποιείται από την ομάδα της Georgia Tech Lorraine (ως μέρος της UMI) και στη λειτουργία της επιφάνειας των αισθητήρων που πραγματοποιείται από την ομάδα LIST. (Greek) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Το έργο αυτό αποσκοπεί στη δημιουργία ενός νέου τύπου ηλεκτρονικής μύτης και ηλεκτρονικής γλώσσας, με βάση αισθητήρες νανο-αλληλεπίδρασης μεγάλης περιοχής, το nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), το οποίο με τη σειρά του βασίζεται στην ανάπτυξη νανοκλίμακας των υλικών νιτριδίων, που πραγματοποιείται από την ομάδα της Georgia Tech Lorraine (ως μέρος της UMI) και στη λειτουργία της επιφάνειας των αισθητήρων που πραγματοποιείται από την ομάδα LIST. (Greek) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Cieľom tohto projektu je vytvoriť nový typ elektronického nosa a elektronického jazyka, založený na veľkoplošných nano-interakčných snímačoch, nano-HEMT (vysokomobilný elektrónový tranzistor), ktorý je založený na nanorozmernom raste nitridových materiálov, ktorý vykonáva tím Georgia Tech Lorraine (ako súčasť UMI) a na funkcionalizácii povrchu snímača vykonanej tímom LIST. (Slovak)
Property / summary: Cieľom tohto projektu je vytvoriť nový typ elektronického nosa a elektronického jazyka, založený na veľkoplošných nano-interakčných snímačoch, nano-HEMT (vysokomobilný elektrónový tranzistor), ktorý je založený na nanorozmernom raste nitridových materiálov, ktorý vykonáva tím Georgia Tech Lorraine (ako súčasť UMI) a na funkcionalizácii povrchu snímača vykonanej tímom LIST. (Slovak) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Cieľom tohto projektu je vytvoriť nový typ elektronického nosa a elektronického jazyka, založený na veľkoplošných nano-interakčných snímačoch, nano-HEMT (vysokomobilný elektrónový tranzistor), ktorý je založený na nanorozmernom raste nitridových materiálov, ktorý vykonáva tím Georgia Tech Lorraine (ako súčasť UMI) a na funkcionalizácii povrchu snímača vykonanej tímom LIST. (Slovak) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Hankkeen tavoitteena on luoda uudenlainen elektroninen nenä- ja elektroninen kieli, joka perustuu suuriin nanoyhteentoimivuusantureihin, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), joka puolestaan perustuu nitridimateriaalien nanomittakaavaan perustuvaan kasvuun, jonka toteuttaa Georgia Tech Lorraine -ryhmä (osana UMI:tä) ja LIST-ryhmän suorittama anturipinnan funktionalisointi. (Finnish)
Property / summary: Hankkeen tavoitteena on luoda uudenlainen elektroninen nenä- ja elektroninen kieli, joka perustuu suuriin nanoyhteentoimivuusantureihin, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), joka puolestaan perustuu nitridimateriaalien nanomittakaavaan perustuvaan kasvuun, jonka toteuttaa Georgia Tech Lorraine -ryhmä (osana UMI:tä) ja LIST-ryhmän suorittama anturipinnan funktionalisointi. (Finnish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Hankkeen tavoitteena on luoda uudenlainen elektroninen nenä- ja elektroninen kieli, joka perustuu suuriin nanoyhteentoimivuusantureihin, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), joka puolestaan perustuu nitridimateriaalien nanomittakaavaan perustuvaan kasvuun, jonka toteuttaa Georgia Tech Lorraine -ryhmä (osana UMI:tä) ja LIST-ryhmän suorittama anturipinnan funktionalisointi. (Finnish) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Projekt ten ma na celu stworzenie nowego rodzaju elektronicznego nosa i języka elektronicznego, opartego na czujnikach nanointerakcyjnych o dużej powierzchni, nano-HEMT (tranzystor elektronowy o wysokiej mobilności), który z kolei opiera się na nanoskali wzrostu materiałów azotków, realizowanej przez zespół Georgia Tech Lorraine (w ramach UMI) oraz na funkcjonalności powierzchni czujnika realizowanej przez zespół LIST. (Polish)
Property / summary: Projekt ten ma na celu stworzenie nowego rodzaju elektronicznego nosa i języka elektronicznego, opartego na czujnikach nanointerakcyjnych o dużej powierzchni, nano-HEMT (tranzystor elektronowy o wysokiej mobilności), który z kolei opiera się na nanoskali wzrostu materiałów azotków, realizowanej przez zespół Georgia Tech Lorraine (w ramach UMI) oraz na funkcjonalności powierzchni czujnika realizowanej przez zespół LIST. (Polish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Projekt ten ma na celu stworzenie nowego rodzaju elektronicznego nosa i języka elektronicznego, opartego na czujnikach nanointerakcyjnych o dużej powierzchni, nano-HEMT (tranzystor elektronowy o wysokiej mobilności), który z kolei opiera się na nanoskali wzrostu materiałów azotków, realizowanej przez zespół Georgia Tech Lorraine (w ramach UMI) oraz na funkcjonalności powierzchni czujnika realizowanej przez zespół LIST. (Polish) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
A projekt célja egy új típusú elektronikus orr és elektronikus nyelv létrehozása, amely nagy hatótávolságú nanointerakciós érzékelőkön, nano-HEMT-n (High Mobility Electron Transistor) alapul, amely a nitridanyagok nanoméretű növekedésén alapul, amelyet a Georgia Tech Lorraine csapata végez (az UMI részeként), valamint az érzékelő felületének a LIST csapata által végzett működésén. (Hungarian)
Property / summary: A projekt célja egy új típusú elektronikus orr és elektronikus nyelv létrehozása, amely nagy hatótávolságú nanointerakciós érzékelőkön, nano-HEMT-n (High Mobility Electron Transistor) alapul, amely a nitridanyagok nanoméretű növekedésén alapul, amelyet a Georgia Tech Lorraine csapata végez (az UMI részeként), valamint az érzékelő felületének a LIST csapata által végzett működésén. (Hungarian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: A projekt célja egy új típusú elektronikus orr és elektronikus nyelv létrehozása, amely nagy hatótávolságú nanointerakciós érzékelőkön, nano-HEMT-n (High Mobility Electron Transistor) alapul, amely a nitridanyagok nanoméretű növekedésén alapul, amelyet a Georgia Tech Lorraine csapata végez (az UMI részeként), valamint az érzékelő felületének a LIST csapata által végzett működésén. (Hungarian) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Cílem tohoto projektu je vytvořit nový typ elektronického nosu a elektronického jazyka, založený na velkoplošných nanointerakčních senzorech, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), který je založen na nanoměřítkovém růstu nitridových materiálů, prováděném týmem Georgia Tech Lorraine (jako součást UMI) a na funkcionalizaci povrchu snímače, kterou provádí tým LIST. (Czech)
Property / summary: Cílem tohoto projektu je vytvořit nový typ elektronického nosu a elektronického jazyka, založený na velkoplošných nanointerakčních senzorech, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), který je založen na nanoměřítkovém růstu nitridových materiálů, prováděném týmem Georgia Tech Lorraine (jako součást UMI) a na funkcionalizaci povrchu snímače, kterou provádí tým LIST. (Czech) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Cílem tohoto projektu je vytvořit nový typ elektronického nosu a elektronického jazyka, založený na velkoplošných nanointerakčních senzorech, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), který je založen na nanoměřítkovém růstu nitridových materiálů, prováděném týmem Georgia Tech Lorraine (jako součást UMI) a na funkcionalizaci povrchu snímače, kterou provádí tým LIST. (Czech) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Šā projekta mērķis ir radīt jauna veida elektronisko degunu un elektronisko valodu, kuras pamatā ir liela mēroga nano mijiedarbības sensori, nano-HEMT (augstas mobilitātes elektronu tranzistors), kura pamatā savukārt ir nitrīdu materiālu nanomēroga pieaugums, ko veic Georgia Tech Lorraine (UMI) komanda, un uz sensora virsmas funkcionalizāciju, ko veic LIST komanda. (Latvian)
Property / summary: Šā projekta mērķis ir radīt jauna veida elektronisko degunu un elektronisko valodu, kuras pamatā ir liela mēroga nano mijiedarbības sensori, nano-HEMT (augstas mobilitātes elektronu tranzistors), kura pamatā savukārt ir nitrīdu materiālu nanomēroga pieaugums, ko veic Georgia Tech Lorraine (UMI) komanda, un uz sensora virsmas funkcionalizāciju, ko veic LIST komanda. (Latvian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Šā projekta mērķis ir radīt jauna veida elektronisko degunu un elektronisko valodu, kuras pamatā ir liela mēroga nano mijiedarbības sensori, nano-HEMT (augstas mobilitātes elektronu tranzistors), kura pamatā savukārt ir nitrīdu materiālu nanomēroga pieaugums, ko veic Georgia Tech Lorraine (UMI) komanda, un uz sensora virsmas funkcionalizāciju, ko veic LIST komanda. (Latvian) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Tá sé mar aidhm ag an tionscadal seo cineál nua srón leictreonach agus teanga leictreonach a chruthú, bunaithe ar bhraiteoirí nana-idirghníomhaíochta móra, nana-HEMT (Leictreon Trasraitheoir Ard-Soghluaisteachta), atá bunaithe ar fhás nanascála ábhar nítríde, arna ndéanamh ag foireann Georgia Tech Lorraine (mar chuid den UMI) agus ar fheidhmiú an dromchla braiteora a dhéanann foireann LIST. (Irish)
Property / summary: Tá sé mar aidhm ag an tionscadal seo cineál nua srón leictreonach agus teanga leictreonach a chruthú, bunaithe ar bhraiteoirí nana-idirghníomhaíochta móra, nana-HEMT (Leictreon Trasraitheoir Ard-Soghluaisteachta), atá bunaithe ar fhás nanascála ábhar nítríde, arna ndéanamh ag foireann Georgia Tech Lorraine (mar chuid den UMI) agus ar fheidhmiú an dromchla braiteora a dhéanann foireann LIST. (Irish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Tá sé mar aidhm ag an tionscadal seo cineál nua srón leictreonach agus teanga leictreonach a chruthú, bunaithe ar bhraiteoirí nana-idirghníomhaíochta móra, nana-HEMT (Leictreon Trasraitheoir Ard-Soghluaisteachta), atá bunaithe ar fhás nanascála ábhar nítríde, arna ndéanamh ag foireann Georgia Tech Lorraine (mar chuid den UMI) agus ar fheidhmiú an dromchla braiteora a dhéanann foireann LIST. (Irish) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Cilj projekta je ustvariti novo vrsto elektronskega nosu in elektronskega jezika, ki temelji na velikih senzorjih nano-interakcije, nano-HEMT (visoka mobilnost elektronski tranzistor), ki temelji na nanoravni rasti nitridov, ki jo izvaja ekipa Georgia Tech Lorraine (kot del UMI) in na funkcionalizaciji senzorske površine, ki jo izvaja ekipa LIST. (Slovenian)
Property / summary: Cilj projekta je ustvariti novo vrsto elektronskega nosu in elektronskega jezika, ki temelji na velikih senzorjih nano-interakcije, nano-HEMT (visoka mobilnost elektronski tranzistor), ki temelji na nanoravni rasti nitridov, ki jo izvaja ekipa Georgia Tech Lorraine (kot del UMI) in na funkcionalizaciji senzorske površine, ki jo izvaja ekipa LIST. (Slovenian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Cilj projekta je ustvariti novo vrsto elektronskega nosu in elektronskega jezika, ki temelji na velikih senzorjih nano-interakcije, nano-HEMT (visoka mobilnost elektronski tranzistor), ki temelji na nanoravni rasti nitridov, ki jo izvaja ekipa Georgia Tech Lorraine (kot del UMI) in na funkcionalizaciji senzorske površine, ki jo izvaja ekipa LIST. (Slovenian) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Този проект има за цел да създаде нов тип електронен език на носа и електронния език, основан на широкообхватни нано-взаимодействия сензори, нано-HEMT (High Mobility Electron Transistor), който от своя страна се основава на наномащабния растеж на нитридите, извършван от екипа на Georgia Tech Lorraine (като част от UMI), и на функционализацията на повърхността на сензора, извършвана от екипа на LIST. (Bulgarian)
Property / summary: Този проект има за цел да създаде нов тип електронен език на носа и електронния език, основан на широкообхватни нано-взаимодействия сензори, нано-HEMT (High Mobility Electron Transistor), който от своя страна се основава на наномащабния растеж на нитридите, извършван от екипа на Georgia Tech Lorraine (като част от UMI), и на функционализацията на повърхността на сензора, извършвана от екипа на LIST. (Bulgarian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Този проект има за цел да създаде нов тип електронен език на носа и електронния език, основан на широкообхватни нано-взаимодействия сензори, нано-HEMT (High Mobility Electron Transistor), който от своя страна се основава на наномащабния растеж на нитридите, извършван от екипа на Georgia Tech Lorraine (като част от UMI), и на функционализацията на повърхността на сензора, извършвана от екипа на LIST. (Bulgarian) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Dan il-proġett għandu l-għan li joħloq tip ġdid ta’ lingwa elettronika tal-imnieħer u elettronika, ibbażata fuq sensuri ta’ nano-interazzjoni ta’ żona kbira, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), li min-naħa tagħha hija bbażata fuq it-tkabbir nanoskala ta’ materjali ta’ nitruri, imwettqa mit-tim ta’ Georgia Tech Lorraine (bħala parti mill-UMI) u fuq il-funzjonalità tas-superfiċje tas-sensur imwettqa mit-tim tal-LIST. (Maltese)
Property / summary: Dan il-proġett għandu l-għan li joħloq tip ġdid ta’ lingwa elettronika tal-imnieħer u elettronika, ibbażata fuq sensuri ta’ nano-interazzjoni ta’ żona kbira, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), li min-naħa tagħha hija bbażata fuq it-tkabbir nanoskala ta’ materjali ta’ nitruri, imwettqa mit-tim ta’ Georgia Tech Lorraine (bħala parti mill-UMI) u fuq il-funzjonalità tas-superfiċje tas-sensur imwettqa mit-tim tal-LIST. (Maltese) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Dan il-proġett għandu l-għan li joħloq tip ġdid ta’ lingwa elettronika tal-imnieħer u elettronika, ibbażata fuq sensuri ta’ nano-interazzjoni ta’ żona kbira, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), li min-naħa tagħha hija bbażata fuq it-tkabbir nanoskala ta’ materjali ta’ nitruri, imwettqa mit-tim ta’ Georgia Tech Lorraine (bħala parti mill-UMI) u fuq il-funzjonalità tas-superfiċje tas-sensur imwettqa mit-tim tal-LIST. (Maltese) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Este projeto visa criar um novo tipo de nariz eletrónico e linguagem eletrónica, baseado em sensores de nanointeração de grande área, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), que por sua vez se baseia no crescimento em nanoescala de materiais nitretados, realizado pela equipa da Georgia Tech Lorraine (como parte da UMI) e na funcionalização da superfície do sensor realizada pela equipa LIST. (Portuguese)
Property / summary: Este projeto visa criar um novo tipo de nariz eletrónico e linguagem eletrónica, baseado em sensores de nanointeração de grande área, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), que por sua vez se baseia no crescimento em nanoescala de materiais nitretados, realizado pela equipa da Georgia Tech Lorraine (como parte da UMI) e na funcionalização da superfície do sensor realizada pela equipa LIST. (Portuguese) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Este projeto visa criar um novo tipo de nariz eletrónico e linguagem eletrónica, baseado em sensores de nanointeração de grande área, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), que por sua vez se baseia no crescimento em nanoescala de materiais nitretados, realizado pela equipa da Georgia Tech Lorraine (como parte da UMI) e na funcionalização da superfície do sensor realizada pela equipa LIST. (Portuguese) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Dette projekt har til formål at skabe en ny type elektronisk næse og elektronisk sprog baseret på nanointeraktionssensorer i store områder, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som igen er baseret på nanoskala vækst af nitrider materialer, der udføres af teamet Georgia Tech Lorraine (som en del af UMI) og på funktionaliteten af sensoroverfladen udført af LIST-teamet. (Danish)
Property / summary: Dette projekt har til formål at skabe en ny type elektronisk næse og elektronisk sprog baseret på nanointeraktionssensorer i store områder, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som igen er baseret på nanoskala vækst af nitrider materialer, der udføres af teamet Georgia Tech Lorraine (som en del af UMI) og på funktionaliteten af sensoroverfladen udført af LIST-teamet. (Danish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Dette projekt har til formål at skabe en ny type elektronisk næse og elektronisk sprog baseret på nanointeraktionssensorer i store områder, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som igen er baseret på nanoskala vækst af nitrider materialer, der udføres af teamet Georgia Tech Lorraine (som en del af UMI) og på funktionaliteten af sensoroverfladen udført af LIST-teamet. (Danish) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Acest proiect își propune să creeze un nou tip de nas electronic și limbaj electronic, bazat pe senzori de nano-interacție de mare suprafață, nano-HEMT (Tranzitor Electron de înaltă mobilitate), care, la rândul său, se bazează pe creșterea nanoscară a materialelor nitride, realizată de echipa Georgia Tech Lorraine (ca parte a UMI) și pe funcționalizarea suprafeței senzorului efectuată de echipa LIST. (Romanian)
Property / summary: Acest proiect își propune să creeze un nou tip de nas electronic și limbaj electronic, bazat pe senzori de nano-interacție de mare suprafață, nano-HEMT (Tranzitor Electron de înaltă mobilitate), care, la rândul său, se bazează pe creșterea nanoscară a materialelor nitride, realizată de echipa Georgia Tech Lorraine (ca parte a UMI) și pe funcționalizarea suprafeței senzorului efectuată de echipa LIST. (Romanian) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Acest proiect își propune să creeze un nou tip de nas electronic și limbaj electronic, bazat pe senzori de nano-interacție de mare suprafață, nano-HEMT (Tranzitor Electron de înaltă mobilitate), care, la rândul său, se bazează pe creșterea nanoscară a materialelor nitride, realizată de echipa Georgia Tech Lorraine (ca parte a UMI) și pe funcționalizarea suprafeței senzorului efectuată de echipa LIST. (Romanian) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / summary
 
Detta projekt syftar till att skapa en ny typ av elektronisk näsa och elektroniskt språk, baserat på nano-interaktionssensorer med stor räckvidd, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som i sin tur bygger på nanoskala tillväxt av nitridermaterial, som utförs av Georgia Tech Lorraine (som en del av UMI) och på funktionalisering av sensorytan som utförs av LIST-teamet. (Swedish)
Property / summary: Detta projekt syftar till att skapa en ny typ av elektronisk näsa och elektroniskt språk, baserat på nano-interaktionssensorer med stor räckvidd, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som i sin tur bygger på nanoskala tillväxt av nitridermaterial, som utförs av Georgia Tech Lorraine (som en del av UMI) och på funktionalisering av sensorytan som utförs av LIST-teamet. (Swedish) / rank
 
Normal rank
Property / summary: Detta projekt syftar till att skapa en ny typ av elektronisk näsa och elektroniskt språk, baserat på nano-interaktionssensorer med stor räckvidd, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som i sin tur bygger på nanoskala tillväxt av nitridermaterial, som utförs av Georgia Tech Lorraine (som en del av UMI) och på funktionalisering av sensorytan som utförs av LIST-teamet. (Swedish) / qualifier
 
point in time: 11 August 2022
Timestamp+2022-08-11T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / end time
 
31 December 2019
Timestamp+2019-12-31T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / end time: 31 December 2019 / rank
 
Normal rank
Property / date of last update
 
8 June 2023
Timestamp+2023-06-08T00:00:00Z
Timezone+00:00
CalendarGregorian
Precision1 day
Before0
After0
Property / date of last update: 8 June 2023 / rank
 
Normal rank
Property / location (string)
 
Metz
Property / location (string): Metz / rank
 
Normal rank
Property / coordinate location
 
49°7'10.92"N, 6°10'34.90"E
Latitude49.1196964
Longitude6.1763552
Precision1.0E-5
Globehttp://www.wikidata.org/entity/Q2
Property / coordinate location: 49°7'10.92"N, 6°10'34.90"E / rank
 
Normal rank
Property / coordinate location: 49°7'10.92"N, 6°10'34.90"E / qualifier
 
Property / contained in NUTS
 
Property / contained in NUTS: Moselle / rank
 
Normal rank
Property / contained in NUTS: Moselle / qualifier
 

Latest revision as of 11:39, 10 October 2024

Project Q3696866 in France
Language Label Description Also known as
English
Innovative materials for advanced e-nose sensors (electronic nose) and e-language (electronic language) applied to the environment
Project Q3696866 in France

    Statements

    0 references
    190,466.76 Euro
    0 references
    476,166.9 Euro
    0 references
    40.0 percent
    0 references
    1 September 2015
    0 references
    31 December 2019
    0 references
    GEORGIA TECH LORRAINE
    0 references
    0 references

    49°7'10.92"N, 6°10'34.90"E
    0 references
    Ce projet a pour objectif la création d'un nouveau type de nez électronique et de langue électronique, basée sur des capteurs nanométriques à grande surface d’interaction, nano-HEMT (transistor à électrons à haute mobilité), qui est basé à son tour sur la croissance à l’échelle nanométrique des matériaux nitrures, réalisée par l’équipe de Georgia Tech Lorraine (dans le cadre de l’UMI) et sur la fonctionnalisation de la surface du capteur effectuée par l’équipe de LIST. (French)
    0 references
    This project aims to create a new type of electronic nose and electronic language, based on large-area nano-interaction sensors, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), which in turn is based on nanoscale growth of nitrides materials, carried out by the team of Georgia Tech Lorraine (as part of the UMI) and on the functionalisation of the sensor surface carried out by the LIST team. (English)
    22 November 2021
    0.0272252608996697
    0 references
    Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines neuen Typs elektronischer Nase und elektronischer Sprache, der auf Nanometer-Sensoren mit großer Interaktionsfläche, Nano-HEMT (hochbeweglicher Elektronentransistor) basiert, der wiederum auf dem nanometrischen Wachstum von Nitridmaterialien basiert, das vom Team von Georgia Tech Lorraine (im Rahmen der UMI) durchgeführt wurde, und auf der Funktionalisierung der Sensoroberfläche durch das LIST-Team. (German)
    1 December 2021
    0 references
    Dit project heeft tot doel een nieuw type elektronische neus en elektronische taal te creëren, gebaseerd op nano-interactiesensoren op grote schaal, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), die op zijn beurt gebaseerd is op nanoschaalgroei van nitridesmaterialen, uitgevoerd door het team van Georgia Tech Lorraine (als onderdeel van de UMI) en op de functionalisatie van het sensoroppervlak door het LIST-team. (Dutch)
    6 December 2021
    0 references
    Questo progetto mira a creare un nuovo tipo di naso elettronico e linguaggio elettronico, basato su sensori nano-interazione di grande area, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), che a sua volta si basa sulla crescita nanoscala dei materiali nitruri, effettuata dal team di Georgia Tech Lorraine (come parte dell'UMI) e sulla funzionalizzazione della superficie del sensore effettuata dal team LIST. (Italian)
    13 January 2022
    0 references
    Este proyecto tiene como objetivo crear un nuevo tipo de nariz electrónica y lenguaje electrónico, basado en sensores nanointeracción de gran área, nano-HEMT (Transistor de Electrones de Alta Movilidad), que a su vez se basa en el crecimiento de nanoescala de materiales de nitruros, llevado a cabo por el equipo de Georgia Tech Lorraine (como parte de la UMI) y en la funcionalización de la superficie del sensor llevada a cabo por el equipo LIST. (Spanish)
    14 January 2022
    0 references
    Projekti eesmärk on luua uut tüüpi elektrooniline nina ja elektrooniline keel, mis põhineb suurtel nanokoostoime anduritel nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), mis omakorda põhineb nitriidimaterjalide nanotasandi kasvul, mida viib läbi Georgia Tech Lorraine’i meeskond (UMI osana) ja anduripinna funktsionaliseerumisel LISTi meeskonna poolt. (Estonian)
    11 August 2022
    0 references
    Šio projekto tikslas – sukurti naujo tipo elektroninę nosį ir elektroninę kalbą, pagrįstą didelio ploto nanosąveikos jutikliais, nano-HEMT (didelio mobilumo elektronų tranzistoriumi), kuris savo ruožtu grindžiamas nitridų medžiagų nanoskalės augimu, kurį atlieka Georgia Tech Lorraine komanda (kaip UMI dalis) ir LIST komandos atliekama jutiklio paviršiaus funkcionalizacija. (Lithuanian)
    11 August 2022
    0 references
    Cilj je ovog projekta stvoriti novu vrstu elektroničkog nosa i elektroničkog jezika, na temelju velikih senzora za nanointerakciju, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), koji se pak temelji na nanorazinskom rastu nitridnih materijala, koji provodi tim Georgia Tech Lorraine (kao dio UMI-ja) i na funkcionalnosti površine senzora koju provodi LIST tim. (Croatian)
    11 August 2022
    0 references
    Το έργο αυτό αποσκοπεί στη δημιουργία ενός νέου τύπου ηλεκτρονικής μύτης και ηλεκτρονικής γλώσσας, με βάση αισθητήρες νανο-αλληλεπίδρασης μεγάλης περιοχής, το nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), το οποίο με τη σειρά του βασίζεται στην ανάπτυξη νανοκλίμακας των υλικών νιτριδίων, που πραγματοποιείται από την ομάδα της Georgia Tech Lorraine (ως μέρος της UMI) και στη λειτουργία της επιφάνειας των αισθητήρων που πραγματοποιείται από την ομάδα LIST. (Greek)
    11 August 2022
    0 references
    Cieľom tohto projektu je vytvoriť nový typ elektronického nosa a elektronického jazyka, založený na veľkoplošných nano-interakčných snímačoch, nano-HEMT (vysokomobilný elektrónový tranzistor), ktorý je založený na nanorozmernom raste nitridových materiálov, ktorý vykonáva tím Georgia Tech Lorraine (ako súčasť UMI) a na funkcionalizácii povrchu snímača vykonanej tímom LIST. (Slovak)
    11 August 2022
    0 references
    Hankkeen tavoitteena on luoda uudenlainen elektroninen nenä- ja elektroninen kieli, joka perustuu suuriin nanoyhteentoimivuusantureihin, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), joka puolestaan perustuu nitridimateriaalien nanomittakaavaan perustuvaan kasvuun, jonka toteuttaa Georgia Tech Lorraine -ryhmä (osana UMI:tä) ja LIST-ryhmän suorittama anturipinnan funktionalisointi. (Finnish)
    11 August 2022
    0 references
    Projekt ten ma na celu stworzenie nowego rodzaju elektronicznego nosa i języka elektronicznego, opartego na czujnikach nanointerakcyjnych o dużej powierzchni, nano-HEMT (tranzystor elektronowy o wysokiej mobilności), który z kolei opiera się na nanoskali wzrostu materiałów azotków, realizowanej przez zespół Georgia Tech Lorraine (w ramach UMI) oraz na funkcjonalności powierzchni czujnika realizowanej przez zespół LIST. (Polish)
    11 August 2022
    0 references
    A projekt célja egy új típusú elektronikus orr és elektronikus nyelv létrehozása, amely nagy hatótávolságú nanointerakciós érzékelőkön, nano-HEMT-n (High Mobility Electron Transistor) alapul, amely a nitridanyagok nanoméretű növekedésén alapul, amelyet a Georgia Tech Lorraine csapata végez (az UMI részeként), valamint az érzékelő felületének a LIST csapata által végzett működésén. (Hungarian)
    11 August 2022
    0 references
    Cílem tohoto projektu je vytvořit nový typ elektronického nosu a elektronického jazyka, založený na velkoplošných nanointerakčních senzorech, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), který je založen na nanoměřítkovém růstu nitridových materiálů, prováděném týmem Georgia Tech Lorraine (jako součást UMI) a na funkcionalizaci povrchu snímače, kterou provádí tým LIST. (Czech)
    11 August 2022
    0 references
    Šā projekta mērķis ir radīt jauna veida elektronisko degunu un elektronisko valodu, kuras pamatā ir liela mēroga nano mijiedarbības sensori, nano-HEMT (augstas mobilitātes elektronu tranzistors), kura pamatā savukārt ir nitrīdu materiālu nanomēroga pieaugums, ko veic Georgia Tech Lorraine (UMI) komanda, un uz sensora virsmas funkcionalizāciju, ko veic LIST komanda. (Latvian)
    11 August 2022
    0 references
    Tá sé mar aidhm ag an tionscadal seo cineál nua srón leictreonach agus teanga leictreonach a chruthú, bunaithe ar bhraiteoirí nana-idirghníomhaíochta móra, nana-HEMT (Leictreon Trasraitheoir Ard-Soghluaisteachta), atá bunaithe ar fhás nanascála ábhar nítríde, arna ndéanamh ag foireann Georgia Tech Lorraine (mar chuid den UMI) agus ar fheidhmiú an dromchla braiteora a dhéanann foireann LIST. (Irish)
    11 August 2022
    0 references
    Cilj projekta je ustvariti novo vrsto elektronskega nosu in elektronskega jezika, ki temelji na velikih senzorjih nano-interakcije, nano-HEMT (visoka mobilnost elektronski tranzistor), ki temelji na nanoravni rasti nitridov, ki jo izvaja ekipa Georgia Tech Lorraine (kot del UMI) in na funkcionalizaciji senzorske površine, ki jo izvaja ekipa LIST. (Slovenian)
    11 August 2022
    0 references
    Този проект има за цел да създаде нов тип електронен език на носа и електронния език, основан на широкообхватни нано-взаимодействия сензори, нано-HEMT (High Mobility Electron Transistor), който от своя страна се основава на наномащабния растеж на нитридите, извършван от екипа на Georgia Tech Lorraine (като част от UMI), и на функционализацията на повърхността на сензора, извършвана от екипа на LIST. (Bulgarian)
    11 August 2022
    0 references
    Dan il-proġett għandu l-għan li joħloq tip ġdid ta’ lingwa elettronika tal-imnieħer u elettronika, ibbażata fuq sensuri ta’ nano-interazzjoni ta’ żona kbira, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), li min-naħa tagħha hija bbażata fuq it-tkabbir nanoskala ta’ materjali ta’ nitruri, imwettqa mit-tim ta’ Georgia Tech Lorraine (bħala parti mill-UMI) u fuq il-funzjonalità tas-superfiċje tas-sensur imwettqa mit-tim tal-LIST. (Maltese)
    11 August 2022
    0 references
    Este projeto visa criar um novo tipo de nariz eletrónico e linguagem eletrónica, baseado em sensores de nanointeração de grande área, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), que por sua vez se baseia no crescimento em nanoescala de materiais nitretados, realizado pela equipa da Georgia Tech Lorraine (como parte da UMI) e na funcionalização da superfície do sensor realizada pela equipa LIST. (Portuguese)
    11 August 2022
    0 references
    Dette projekt har til formål at skabe en ny type elektronisk næse og elektronisk sprog baseret på nanointeraktionssensorer i store områder, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som igen er baseret på nanoskala vækst af nitrider materialer, der udføres af teamet Georgia Tech Lorraine (som en del af UMI) og på funktionaliteten af sensoroverfladen udført af LIST-teamet. (Danish)
    11 August 2022
    0 references
    Acest proiect își propune să creeze un nou tip de nas electronic și limbaj electronic, bazat pe senzori de nano-interacție de mare suprafață, nano-HEMT (Tranzitor Electron de înaltă mobilitate), care, la rândul său, se bazează pe creșterea nanoscară a materialelor nitride, realizată de echipa Georgia Tech Lorraine (ca parte a UMI) și pe funcționalizarea suprafeței senzorului efectuată de echipa LIST. (Romanian)
    11 August 2022
    0 references
    Detta projekt syftar till att skapa en ny typ av elektronisk näsa och elektroniskt språk, baserat på nano-interaktionssensorer med stor räckvidd, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som i sin tur bygger på nanoskala tillväxt av nitridermaterial, som utförs av Georgia Tech Lorraine (som en del av UMI) och på funktionalisering av sensorytan som utförs av LIST-teamet. (Swedish)
    11 August 2022
    0 references
    8 June 2023
    0 references
    Metz
    0 references

    Identifiers

    LO0007545
    0 references