Innovative materials for advanced e-nose sensors (electronic nose) and e-language (electronic language) applied to the environment (Q3696866): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Created claim: summary (P836): This project aims to create a new type of electronic nose and electronic language, based on large-area nano-interaction sensors, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), which in turn is based on nanoscale growth of nitrides materials, carried out by the team of Georgia Tech Lorraine (as part of the UMI) and on the functionalisation of the sensor surface carried out by the LIST team., translated_summary) |
(Changed label, description and/or aliases in pt) |
||||||||||||||
| (16 intermediate revisions by 2 users not shown) | |||||||||||||||
| label / en | label / en | ||||||||||||||
Innovative materials for advanced e-nose sensors (electronic nose) and e-language (electronic language) applied to the environment | |||||||||||||||
| label / de | label / de | ||||||||||||||
Innovative Materialien für fortschrittliche e-Nose-Sensoren (elektronische Nase) und E-Sprache (elektronische Sprache) für die Umwelt | |||||||||||||||
| label / nl | label / nl | ||||||||||||||
Innovatieve materialen voor geavanceerde e-neussensoren (elektronische neus) en e-taal (elektronische taal) toegepast op het milieu | |||||||||||||||
| label / it | label / it | ||||||||||||||
Materiali innovativi per sensori avanzati di naso elettronico (naso elettronico) e lingua elettronica (lingua elettronica) applicati all'ambiente | |||||||||||||||
| label / es | label / es | ||||||||||||||
Materiales innovadores para sensores avanzados de nariz electrónica (nariz electrónica) y lenguaje electrónico (lengua electrónica) aplicados al entorno | |||||||||||||||
| label / et | label / et | ||||||||||||||
Uuenduslikud materjalid täiustatud e-ninaandurite (elektrooniline nina) ja e-keele (elektrooniline keel) jaoks, mida kasutatakse keskkonnas | |||||||||||||||
| label / lt | label / lt | ||||||||||||||
Naujoviškos medžiagos pažangiesiems e. nosies jutikliams (elektroninei nosiai) ir elektroninei kalbai (elektroninei kalbai) taikomiems aplinkai | |||||||||||||||
| label / hr | label / hr | ||||||||||||||
Inovativni materijali za napredne senzore e-nose (elektronički nos) i e-jezik (elektronički jezik) koji se primjenjuju na okoliš | |||||||||||||||
| label / el | label / el | ||||||||||||||
Καινοτόμα υλικά για προηγμένους ηλεκτρονικούς αισθητήρες (ηλεκτρονική μύτη) και ηλεκτρονική γλώσσα (ηλεκτρονική γλώσσα) που εφαρμόζονται στο περιβάλλον | |||||||||||||||
| label / sk | label / sk | ||||||||||||||
Inovatívne materiály pre moderné e-nosové senzory (elektronický nos) a e-jazyk (elektronický jazyk) aplikované na životné prostredie | |||||||||||||||
| label / fi | label / fi | ||||||||||||||
Innovatiiviset materiaalit kehittyneille e-nose-antureille (elektroninen nenä) ja e-kielelle (sähköinen kieli), joita käytetään ympäristöön | |||||||||||||||
| label / pl | label / pl | ||||||||||||||
Innowacyjne materiały do zaawansowanych czujników e-nosów (elektroniczny nos) i e-języka (język elektroniczny) stosowane w środowisku | |||||||||||||||
| label / hu | label / hu | ||||||||||||||
Innovatív anyagok a környezetre alkalmazott fejlett e-orrúd-érzékelők (elektronikus orr) és e-nyelv (elektronikus nyelv) számára | |||||||||||||||
| label / cs | label / cs | ||||||||||||||
Inovativní materiály pro pokročilé snímače e-nosů (elektronický nos) a e-jazyk (elektronický jazyk) aplikované na životní prostředí | |||||||||||||||
| label / lv | label / lv | ||||||||||||||
Videi piemēroti inovatīvi materiāli progresīviem e-deguna sensoriem (elektroniskais deguns) un e-valoda (elektroniskā valoda) | |||||||||||||||
| label / ga | label / ga | ||||||||||||||
Ábhair nuálacha le haghaidh ardbhraiteoirí ríomh-srón (an tsrón leictreonach) agus le haghaidh ríomhtheanga (ríomhtheanga) a chuirtear i bhfeidhm ar an gcomhshaol | |||||||||||||||
| label / sl | label / sl | ||||||||||||||
Inovativni materiali za napredne senzorje e-nose (elektronski nos) in e-jezik (elektronski jezik), ki se uporabljajo v okolju | |||||||||||||||
| label / bg | label / bg | ||||||||||||||
Иновативни материали за усъвършенствани сензори за е-нос (електронен нос) и електронен език (електронен език), прилагани към околната среда | |||||||||||||||
| label / mt | label / mt | ||||||||||||||
Materjali innovattivi għal sensuri avvanzati tal-e-nose (imnieħer elettroniku) u l-lingwa elettronika (lingwa elettronika) applikati għall-ambjent | |||||||||||||||
| label / pt | label / pt | ||||||||||||||
Materiais inovadores para sensores avançados de nariz eletrónico (nariz eletrónico) e linguagem eletrónica (linguagem eletrónica) aplicados ao ambiente | |||||||||||||||
| label / da | label / da | ||||||||||||||
Innovative materialer til avancerede e-næsesensorer (elektronisk næse) og e-sprog (elektronisk sprog) anvendt på miljøet | |||||||||||||||
| label / ro | label / ro | ||||||||||||||
Materiale inovatoare pentru senzorii avansați ai nasului electronic (nasul electronic) și limbajul electronic (limba electronică) aplicați mediului | |||||||||||||||
| label / sv | label / sv | ||||||||||||||
Innovativa material för avancerade e-nässensorer (elektronisk näsa) och e-språk (elektroniskt språk) som används i miljön | |||||||||||||||
| description / bg | description / bg | ||||||||||||||
Проект Q3696866 във Франция | |||||||||||||||
| description / hr | description / hr | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 u Francuskoj | |||||||||||||||
| description / hu | description / hu | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 Franciaországban | |||||||||||||||
| description / cs | description / cs | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 ve Francii | |||||||||||||||
| description / da | description / da | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 i Frankrig | |||||||||||||||
| description / nl | description / nl | ||||||||||||||
Project Q3696866 in Frankrijk | |||||||||||||||
| description / et | description / et | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 Prantsusmaal | |||||||||||||||
| description / fi | description / fi | ||||||||||||||
Projekti Q3696866 Ranskassa | |||||||||||||||
| description / fr | description / fr | ||||||||||||||
Projet Q3696866 en France | |||||||||||||||
| description / de | description / de | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 in Frankreich | |||||||||||||||
| description / el | description / el | ||||||||||||||
Έργο Q3696866 στη Γαλλία | |||||||||||||||
| description / ga | description / ga | ||||||||||||||
Tionscadal Q3696866 sa Fhrainc | |||||||||||||||
| description / it | description / it | ||||||||||||||
Progetto Q3696866 in Francia | |||||||||||||||
| description / lv | description / lv | ||||||||||||||
Projekts Q3696866 Francijā | |||||||||||||||
| description / lt | description / lt | ||||||||||||||
Projektas Q3696866 Prancūzijoje | |||||||||||||||
| description / mt | description / mt | ||||||||||||||
Proġett Q3696866 fi Franza | |||||||||||||||
| description / pl | description / pl | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 we Francji | |||||||||||||||
| description / pt | description / pt | ||||||||||||||
Projeto Q3696866 na França | |||||||||||||||
| description / ro | description / ro | ||||||||||||||
Proiectul Q3696866 în Franța | |||||||||||||||
| description / sk | description / sk | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 vo Francúzsku | |||||||||||||||
| description / sl | description / sl | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 v Franciji | |||||||||||||||
| description / es | description / es | ||||||||||||||
Proyecto Q3696866 en Francia | |||||||||||||||
| description / sv | description / sv | ||||||||||||||
Projekt Q3696866 i Frankrike | |||||||||||||||
| Property / end time | |||||||||||||||
| |||||||||||||||
| Property / end time: 31 December 2017 / rank | |||||||||||||||
| Property / summary: This project aims to create a new type of electronic nose and electronic language, based on large-area nano-interaction sensors, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), which in turn is based on nanoscale growth of nitrides materials, carried out by the team of Georgia Tech Lorraine (as part of the UMI) and on the functionalisation of the sensor surface carried out by the LIST team. (English) / qualifier | |||||||||||||||
readability score: 0.0272252608996697
| |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit | |||||||||||||||
| Property / contained in Local Administrative Unit: Metz / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines neuen Typs elektronischer Nase und elektronischer Sprache, der auf Nanometer-Sensoren mit großer Interaktionsfläche, Nano-HEMT (hochbeweglicher Elektronentransistor) basiert, der wiederum auf dem nanometrischen Wachstum von Nitridmaterialien basiert, das vom Team von Georgia Tech Lorraine (im Rahmen der UMI) durchgeführt wurde, und auf der Funktionalisierung der Sensoroberfläche durch das LIST-Team. (German) | |||||||||||||||
| Property / summary: Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines neuen Typs elektronischer Nase und elektronischer Sprache, der auf Nanometer-Sensoren mit großer Interaktionsfläche, Nano-HEMT (hochbeweglicher Elektronentransistor) basiert, der wiederum auf dem nanometrischen Wachstum von Nitridmaterialien basiert, das vom Team von Georgia Tech Lorraine (im Rahmen der UMI) durchgeführt wurde, und auf der Funktionalisierung der Sensoroberfläche durch das LIST-Team. (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines neuen Typs elektronischer Nase und elektronischer Sprache, der auf Nanometer-Sensoren mit großer Interaktionsfläche, Nano-HEMT (hochbeweglicher Elektronentransistor) basiert, der wiederum auf dem nanometrischen Wachstum von Nitridmaterialien basiert, das vom Team von Georgia Tech Lorraine (im Rahmen der UMI) durchgeführt wurde, und auf der Funktionalisierung der Sensoroberfläche durch das LIST-Team. (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 1 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Dit project heeft tot doel een nieuw type elektronische neus en elektronische taal te creëren, gebaseerd op nano-interactiesensoren op grote schaal, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), die op zijn beurt gebaseerd is op nanoschaalgroei van nitridesmaterialen, uitgevoerd door het team van Georgia Tech Lorraine (als onderdeel van de UMI) en op de functionalisatie van het sensoroppervlak door het LIST-team. (Dutch) | |||||||||||||||
| Property / summary: Dit project heeft tot doel een nieuw type elektronische neus en elektronische taal te creëren, gebaseerd op nano-interactiesensoren op grote schaal, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), die op zijn beurt gebaseerd is op nanoschaalgroei van nitridesmaterialen, uitgevoerd door het team van Georgia Tech Lorraine (als onderdeel van de UMI) en op de functionalisatie van het sensoroppervlak door het LIST-team. (Dutch) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Dit project heeft tot doel een nieuw type elektronische neus en elektronische taal te creëren, gebaseerd op nano-interactiesensoren op grote schaal, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), die op zijn beurt gebaseerd is op nanoschaalgroei van nitridesmaterialen, uitgevoerd door het team van Georgia Tech Lorraine (als onderdeel van de UMI) en op de functionalisatie van het sensoroppervlak door het LIST-team. (Dutch) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 6 December 2021
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Questo progetto mira a creare un nuovo tipo di naso elettronico e linguaggio elettronico, basato su sensori nano-interazione di grande area, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), che a sua volta si basa sulla crescita nanoscala dei materiali nitruri, effettuata dal team di Georgia Tech Lorraine (come parte dell'UMI) e sulla funzionalizzazione della superficie del sensore effettuata dal team LIST. (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Questo progetto mira a creare un nuovo tipo di naso elettronico e linguaggio elettronico, basato su sensori nano-interazione di grande area, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), che a sua volta si basa sulla crescita nanoscala dei materiali nitruri, effettuata dal team di Georgia Tech Lorraine (come parte dell'UMI) e sulla funzionalizzazione della superficie del sensore effettuata dal team LIST. (Italian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Questo progetto mira a creare un nuovo tipo di naso elettronico e linguaggio elettronico, basato su sensori nano-interazione di grande area, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), che a sua volta si basa sulla crescita nanoscala dei materiali nitruri, effettuata dal team di Georgia Tech Lorraine (come parte dell'UMI) e sulla funzionalizzazione della superficie del sensore effettuata dal team LIST. (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 13 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Este proyecto tiene como objetivo crear un nuevo tipo de nariz electrónica y lenguaje electrónico, basado en sensores nanointeracción de gran área, nano-HEMT (Transistor de Electrones de Alta Movilidad), que a su vez se basa en el crecimiento de nanoescala de materiales de nitruros, llevado a cabo por el equipo de Georgia Tech Lorraine (como parte de la UMI) y en la funcionalización de la superficie del sensor llevada a cabo por el equipo LIST. (Spanish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Este proyecto tiene como objetivo crear un nuevo tipo de nariz electrónica y lenguaje electrónico, basado en sensores nanointeracción de gran área, nano-HEMT (Transistor de Electrones de Alta Movilidad), que a su vez se basa en el crecimiento de nanoescala de materiales de nitruros, llevado a cabo por el equipo de Georgia Tech Lorraine (como parte de la UMI) y en la funcionalización de la superficie del sensor llevada a cabo por el equipo LIST. (Spanish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Este proyecto tiene como objetivo crear un nuevo tipo de nariz electrónica y lenguaje electrónico, basado en sensores nanointeracción de gran área, nano-HEMT (Transistor de Electrones de Alta Movilidad), que a su vez se basa en el crecimiento de nanoescala de materiales de nitruros, llevado a cabo por el equipo de Georgia Tech Lorraine (como parte de la UMI) y en la funcionalización de la superficie del sensor llevada a cabo por el equipo LIST. (Spanish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 14 January 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekti eesmärk on luua uut tüüpi elektrooniline nina ja elektrooniline keel, mis põhineb suurtel nanokoostoime anduritel nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), mis omakorda põhineb nitriidimaterjalide nanotasandi kasvul, mida viib läbi Georgia Tech Lorraine’i meeskond (UMI osana) ja anduripinna funktsionaliseerumisel LISTi meeskonna poolt. (Estonian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekti eesmärk on luua uut tüüpi elektrooniline nina ja elektrooniline keel, mis põhineb suurtel nanokoostoime anduritel nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), mis omakorda põhineb nitriidimaterjalide nanotasandi kasvul, mida viib läbi Georgia Tech Lorraine’i meeskond (UMI osana) ja anduripinna funktsionaliseerumisel LISTi meeskonna poolt. (Estonian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekti eesmärk on luua uut tüüpi elektrooniline nina ja elektrooniline keel, mis põhineb suurtel nanokoostoime anduritel nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), mis omakorda põhineb nitriidimaterjalide nanotasandi kasvul, mida viib läbi Georgia Tech Lorraine’i meeskond (UMI osana) ja anduripinna funktsionaliseerumisel LISTi meeskonna poolt. (Estonian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Šio projekto tikslas – sukurti naujo tipo elektroninę nosį ir elektroninę kalbą, pagrįstą didelio ploto nanosąveikos jutikliais, nano-HEMT (didelio mobilumo elektronų tranzistoriumi), kuris savo ruožtu grindžiamas nitridų medžiagų nanoskalės augimu, kurį atlieka Georgia Tech Lorraine komanda (kaip UMI dalis) ir LIST komandos atliekama jutiklio paviršiaus funkcionalizacija. (Lithuanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Šio projekto tikslas – sukurti naujo tipo elektroninę nosį ir elektroninę kalbą, pagrįstą didelio ploto nanosąveikos jutikliais, nano-HEMT (didelio mobilumo elektronų tranzistoriumi), kuris savo ruožtu grindžiamas nitridų medžiagų nanoskalės augimu, kurį atlieka Georgia Tech Lorraine komanda (kaip UMI dalis) ir LIST komandos atliekama jutiklio paviršiaus funkcionalizacija. (Lithuanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Šio projekto tikslas – sukurti naujo tipo elektroninę nosį ir elektroninę kalbą, pagrįstą didelio ploto nanosąveikos jutikliais, nano-HEMT (didelio mobilumo elektronų tranzistoriumi), kuris savo ruožtu grindžiamas nitridų medžiagų nanoskalės augimu, kurį atlieka Georgia Tech Lorraine komanda (kaip UMI dalis) ir LIST komandos atliekama jutiklio paviršiaus funkcionalizacija. (Lithuanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Cilj je ovog projekta stvoriti novu vrstu elektroničkog nosa i elektroničkog jezika, na temelju velikih senzora za nanointerakciju, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), koji se pak temelji na nanorazinskom rastu nitridnih materijala, koji provodi tim Georgia Tech Lorraine (kao dio UMI-ja) i na funkcionalnosti površine senzora koju provodi LIST tim. (Croatian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Cilj je ovog projekta stvoriti novu vrstu elektroničkog nosa i elektroničkog jezika, na temelju velikih senzora za nanointerakciju, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), koji se pak temelji na nanorazinskom rastu nitridnih materijala, koji provodi tim Georgia Tech Lorraine (kao dio UMI-ja) i na funkcionalnosti površine senzora koju provodi LIST tim. (Croatian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Cilj je ovog projekta stvoriti novu vrstu elektroničkog nosa i elektroničkog jezika, na temelju velikih senzora za nanointerakciju, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), koji se pak temelji na nanorazinskom rastu nitridnih materijala, koji provodi tim Georgia Tech Lorraine (kao dio UMI-ja) i na funkcionalnosti površine senzora koju provodi LIST tim. (Croatian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Το έργο αυτό αποσκοπεί στη δημιουργία ενός νέου τύπου ηλεκτρονικής μύτης και ηλεκτρονικής γλώσσας, με βάση αισθητήρες νανο-αλληλεπίδρασης μεγάλης περιοχής, το nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), το οποίο με τη σειρά του βασίζεται στην ανάπτυξη νανοκλίμακας των υλικών νιτριδίων, που πραγματοποιείται από την ομάδα της Georgia Tech Lorraine (ως μέρος της UMI) και στη λειτουργία της επιφάνειας των αισθητήρων που πραγματοποιείται από την ομάδα LIST. (Greek) | |||||||||||||||
| Property / summary: Το έργο αυτό αποσκοπεί στη δημιουργία ενός νέου τύπου ηλεκτρονικής μύτης και ηλεκτρονικής γλώσσας, με βάση αισθητήρες νανο-αλληλεπίδρασης μεγάλης περιοχής, το nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), το οποίο με τη σειρά του βασίζεται στην ανάπτυξη νανοκλίμακας των υλικών νιτριδίων, που πραγματοποιείται από την ομάδα της Georgia Tech Lorraine (ως μέρος της UMI) και στη λειτουργία της επιφάνειας των αισθητήρων που πραγματοποιείται από την ομάδα LIST. (Greek) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Το έργο αυτό αποσκοπεί στη δημιουργία ενός νέου τύπου ηλεκτρονικής μύτης και ηλεκτρονικής γλώσσας, με βάση αισθητήρες νανο-αλληλεπίδρασης μεγάλης περιοχής, το nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), το οποίο με τη σειρά του βασίζεται στην ανάπτυξη νανοκλίμακας των υλικών νιτριδίων, που πραγματοποιείται από την ομάδα της Georgia Tech Lorraine (ως μέρος της UMI) και στη λειτουργία της επιφάνειας των αισθητήρων που πραγματοποιείται από την ομάδα LIST. (Greek) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Cieľom tohto projektu je vytvoriť nový typ elektronického nosa a elektronického jazyka, založený na veľkoplošných nano-interakčných snímačoch, nano-HEMT (vysokomobilný elektrónový tranzistor), ktorý je založený na nanorozmernom raste nitridových materiálov, ktorý vykonáva tím Georgia Tech Lorraine (ako súčasť UMI) a na funkcionalizácii povrchu snímača vykonanej tímom LIST. (Slovak) | |||||||||||||||
| Property / summary: Cieľom tohto projektu je vytvoriť nový typ elektronického nosa a elektronického jazyka, založený na veľkoplošných nano-interakčných snímačoch, nano-HEMT (vysokomobilný elektrónový tranzistor), ktorý je založený na nanorozmernom raste nitridových materiálov, ktorý vykonáva tím Georgia Tech Lorraine (ako súčasť UMI) a na funkcionalizácii povrchu snímača vykonanej tímom LIST. (Slovak) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Cieľom tohto projektu je vytvoriť nový typ elektronického nosa a elektronického jazyka, založený na veľkoplošných nano-interakčných snímačoch, nano-HEMT (vysokomobilný elektrónový tranzistor), ktorý je založený na nanorozmernom raste nitridových materiálov, ktorý vykonáva tím Georgia Tech Lorraine (ako súčasť UMI) a na funkcionalizácii povrchu snímača vykonanej tímom LIST. (Slovak) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Hankkeen tavoitteena on luoda uudenlainen elektroninen nenä- ja elektroninen kieli, joka perustuu suuriin nanoyhteentoimivuusantureihin, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), joka puolestaan perustuu nitridimateriaalien nanomittakaavaan perustuvaan kasvuun, jonka toteuttaa Georgia Tech Lorraine -ryhmä (osana UMI:tä) ja LIST-ryhmän suorittama anturipinnan funktionalisointi. (Finnish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeen tavoitteena on luoda uudenlainen elektroninen nenä- ja elektroninen kieli, joka perustuu suuriin nanoyhteentoimivuusantureihin, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), joka puolestaan perustuu nitridimateriaalien nanomittakaavaan perustuvaan kasvuun, jonka toteuttaa Georgia Tech Lorraine -ryhmä (osana UMI:tä) ja LIST-ryhmän suorittama anturipinnan funktionalisointi. (Finnish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Hankkeen tavoitteena on luoda uudenlainen elektroninen nenä- ja elektroninen kieli, joka perustuu suuriin nanoyhteentoimivuusantureihin, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), joka puolestaan perustuu nitridimateriaalien nanomittakaavaan perustuvaan kasvuun, jonka toteuttaa Georgia Tech Lorraine -ryhmä (osana UMI:tä) ja LIST-ryhmän suorittama anturipinnan funktionalisointi. (Finnish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Projekt ten ma na celu stworzenie nowego rodzaju elektronicznego nosa i języka elektronicznego, opartego na czujnikach nanointerakcyjnych o dużej powierzchni, nano-HEMT (tranzystor elektronowy o wysokiej mobilności), który z kolei opiera się na nanoskali wzrostu materiałów azotków, realizowanej przez zespół Georgia Tech Lorraine (w ramach UMI) oraz na funkcjonalności powierzchni czujnika realizowanej przez zespół LIST. (Polish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt ten ma na celu stworzenie nowego rodzaju elektronicznego nosa i języka elektronicznego, opartego na czujnikach nanointerakcyjnych o dużej powierzchni, nano-HEMT (tranzystor elektronowy o wysokiej mobilności), który z kolei opiera się na nanoskali wzrostu materiałów azotków, realizowanej przez zespół Georgia Tech Lorraine (w ramach UMI) oraz na funkcjonalności powierzchni czujnika realizowanej przez zespół LIST. (Polish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Projekt ten ma na celu stworzenie nowego rodzaju elektronicznego nosa i języka elektronicznego, opartego na czujnikach nanointerakcyjnych o dużej powierzchni, nano-HEMT (tranzystor elektronowy o wysokiej mobilności), który z kolei opiera się na nanoskali wzrostu materiałów azotków, realizowanej przez zespół Georgia Tech Lorraine (w ramach UMI) oraz na funkcjonalności powierzchni czujnika realizowanej przez zespół LIST. (Polish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
A projekt célja egy új típusú elektronikus orr és elektronikus nyelv létrehozása, amely nagy hatótávolságú nanointerakciós érzékelőkön, nano-HEMT-n (High Mobility Electron Transistor) alapul, amely a nitridanyagok nanoméretű növekedésén alapul, amelyet a Georgia Tech Lorraine csapata végez (az UMI részeként), valamint az érzékelő felületének a LIST csapata által végzett működésén. (Hungarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: A projekt célja egy új típusú elektronikus orr és elektronikus nyelv létrehozása, amely nagy hatótávolságú nanointerakciós érzékelőkön, nano-HEMT-n (High Mobility Electron Transistor) alapul, amely a nitridanyagok nanoméretű növekedésén alapul, amelyet a Georgia Tech Lorraine csapata végez (az UMI részeként), valamint az érzékelő felületének a LIST csapata által végzett működésén. (Hungarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: A projekt célja egy új típusú elektronikus orr és elektronikus nyelv létrehozása, amely nagy hatótávolságú nanointerakciós érzékelőkön, nano-HEMT-n (High Mobility Electron Transistor) alapul, amely a nitridanyagok nanoméretű növekedésén alapul, amelyet a Georgia Tech Lorraine csapata végez (az UMI részeként), valamint az érzékelő felületének a LIST csapata által végzett működésén. (Hungarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Cílem tohoto projektu je vytvořit nový typ elektronického nosu a elektronického jazyka, založený na velkoplošných nanointerakčních senzorech, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), který je založen na nanoměřítkovém růstu nitridových materiálů, prováděném týmem Georgia Tech Lorraine (jako součást UMI) a na funkcionalizaci povrchu snímače, kterou provádí tým LIST. (Czech) | |||||||||||||||
| Property / summary: Cílem tohoto projektu je vytvořit nový typ elektronického nosu a elektronického jazyka, založený na velkoplošných nanointerakčních senzorech, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), který je založen na nanoměřítkovém růstu nitridových materiálů, prováděném týmem Georgia Tech Lorraine (jako součást UMI) a na funkcionalizaci povrchu snímače, kterou provádí tým LIST. (Czech) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Cílem tohoto projektu je vytvořit nový typ elektronického nosu a elektronického jazyka, založený na velkoplošných nanointerakčních senzorech, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), který je založen na nanoměřítkovém růstu nitridových materiálů, prováděném týmem Georgia Tech Lorraine (jako součást UMI) a na funkcionalizaci povrchu snímače, kterou provádí tým LIST. (Czech) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Šā projekta mērķis ir radīt jauna veida elektronisko degunu un elektronisko valodu, kuras pamatā ir liela mēroga nano mijiedarbības sensori, nano-HEMT (augstas mobilitātes elektronu tranzistors), kura pamatā savukārt ir nitrīdu materiālu nanomēroga pieaugums, ko veic Georgia Tech Lorraine (UMI) komanda, un uz sensora virsmas funkcionalizāciju, ko veic LIST komanda. (Latvian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Šā projekta mērķis ir radīt jauna veida elektronisko degunu un elektronisko valodu, kuras pamatā ir liela mēroga nano mijiedarbības sensori, nano-HEMT (augstas mobilitātes elektronu tranzistors), kura pamatā savukārt ir nitrīdu materiālu nanomēroga pieaugums, ko veic Georgia Tech Lorraine (UMI) komanda, un uz sensora virsmas funkcionalizāciju, ko veic LIST komanda. (Latvian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Šā projekta mērķis ir radīt jauna veida elektronisko degunu un elektronisko valodu, kuras pamatā ir liela mēroga nano mijiedarbības sensori, nano-HEMT (augstas mobilitātes elektronu tranzistors), kura pamatā savukārt ir nitrīdu materiālu nanomēroga pieaugums, ko veic Georgia Tech Lorraine (UMI) komanda, un uz sensora virsmas funkcionalizāciju, ko veic LIST komanda. (Latvian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Tá sé mar aidhm ag an tionscadal seo cineál nua srón leictreonach agus teanga leictreonach a chruthú, bunaithe ar bhraiteoirí nana-idirghníomhaíochta móra, nana-HEMT (Leictreon Trasraitheoir Ard-Soghluaisteachta), atá bunaithe ar fhás nanascála ábhar nítríde, arna ndéanamh ag foireann Georgia Tech Lorraine (mar chuid den UMI) agus ar fheidhmiú an dromchla braiteora a dhéanann foireann LIST. (Irish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Tá sé mar aidhm ag an tionscadal seo cineál nua srón leictreonach agus teanga leictreonach a chruthú, bunaithe ar bhraiteoirí nana-idirghníomhaíochta móra, nana-HEMT (Leictreon Trasraitheoir Ard-Soghluaisteachta), atá bunaithe ar fhás nanascála ábhar nítríde, arna ndéanamh ag foireann Georgia Tech Lorraine (mar chuid den UMI) agus ar fheidhmiú an dromchla braiteora a dhéanann foireann LIST. (Irish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Tá sé mar aidhm ag an tionscadal seo cineál nua srón leictreonach agus teanga leictreonach a chruthú, bunaithe ar bhraiteoirí nana-idirghníomhaíochta móra, nana-HEMT (Leictreon Trasraitheoir Ard-Soghluaisteachta), atá bunaithe ar fhás nanascála ábhar nítríde, arna ndéanamh ag foireann Georgia Tech Lorraine (mar chuid den UMI) agus ar fheidhmiú an dromchla braiteora a dhéanann foireann LIST. (Irish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Cilj projekta je ustvariti novo vrsto elektronskega nosu in elektronskega jezika, ki temelji na velikih senzorjih nano-interakcije, nano-HEMT (visoka mobilnost elektronski tranzistor), ki temelji na nanoravni rasti nitridov, ki jo izvaja ekipa Georgia Tech Lorraine (kot del UMI) in na funkcionalizaciji senzorske površine, ki jo izvaja ekipa LIST. (Slovenian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Cilj projekta je ustvariti novo vrsto elektronskega nosu in elektronskega jezika, ki temelji na velikih senzorjih nano-interakcije, nano-HEMT (visoka mobilnost elektronski tranzistor), ki temelji na nanoravni rasti nitridov, ki jo izvaja ekipa Georgia Tech Lorraine (kot del UMI) in na funkcionalizaciji senzorske površine, ki jo izvaja ekipa LIST. (Slovenian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Cilj projekta je ustvariti novo vrsto elektronskega nosu in elektronskega jezika, ki temelji na velikih senzorjih nano-interakcije, nano-HEMT (visoka mobilnost elektronski tranzistor), ki temelji na nanoravni rasti nitridov, ki jo izvaja ekipa Georgia Tech Lorraine (kot del UMI) in na funkcionalizaciji senzorske površine, ki jo izvaja ekipa LIST. (Slovenian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Този проект има за цел да създаде нов тип електронен език на носа и електронния език, основан на широкообхватни нано-взаимодействия сензори, нано-HEMT (High Mobility Electron Transistor), който от своя страна се основава на наномащабния растеж на нитридите, извършван от екипа на Georgia Tech Lorraine (като част от UMI), и на функционализацията на повърхността на сензора, извършвана от екипа на LIST. (Bulgarian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Този проект има за цел да създаде нов тип електронен език на носа и електронния език, основан на широкообхватни нано-взаимодействия сензори, нано-HEMT (High Mobility Electron Transistor), който от своя страна се основава на наномащабния растеж на нитридите, извършван от екипа на Georgia Tech Lorraine (като част от UMI), и на функционализацията на повърхността на сензора, извършвана от екипа на LIST. (Bulgarian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Този проект има за цел да създаде нов тип електронен език на носа и електронния език, основан на широкообхватни нано-взаимодействия сензори, нано-HEMT (High Mobility Electron Transistor), който от своя страна се основава на наномащабния растеж на нитридите, извършван от екипа на Georgia Tech Lorraine (като част от UMI), и на функционализацията на повърхността на сензора, извършвана от екипа на LIST. (Bulgarian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Dan il-proġett għandu l-għan li joħloq tip ġdid ta’ lingwa elettronika tal-imnieħer u elettronika, ibbażata fuq sensuri ta’ nano-interazzjoni ta’ żona kbira, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), li min-naħa tagħha hija bbażata fuq it-tkabbir nanoskala ta’ materjali ta’ nitruri, imwettqa mit-tim ta’ Georgia Tech Lorraine (bħala parti mill-UMI) u fuq il-funzjonalità tas-superfiċje tas-sensur imwettqa mit-tim tal-LIST. (Maltese) | |||||||||||||||
| Property / summary: Dan il-proġett għandu l-għan li joħloq tip ġdid ta’ lingwa elettronika tal-imnieħer u elettronika, ibbażata fuq sensuri ta’ nano-interazzjoni ta’ żona kbira, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), li min-naħa tagħha hija bbażata fuq it-tkabbir nanoskala ta’ materjali ta’ nitruri, imwettqa mit-tim ta’ Georgia Tech Lorraine (bħala parti mill-UMI) u fuq il-funzjonalità tas-superfiċje tas-sensur imwettqa mit-tim tal-LIST. (Maltese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Dan il-proġett għandu l-għan li joħloq tip ġdid ta’ lingwa elettronika tal-imnieħer u elettronika, ibbażata fuq sensuri ta’ nano-interazzjoni ta’ żona kbira, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), li min-naħa tagħha hija bbażata fuq it-tkabbir nanoskala ta’ materjali ta’ nitruri, imwettqa mit-tim ta’ Georgia Tech Lorraine (bħala parti mill-UMI) u fuq il-funzjonalità tas-superfiċje tas-sensur imwettqa mit-tim tal-LIST. (Maltese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Este projeto visa criar um novo tipo de nariz eletrónico e linguagem eletrónica, baseado em sensores de nanointeração de grande área, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), que por sua vez se baseia no crescimento em nanoescala de materiais nitretados, realizado pela equipa da Georgia Tech Lorraine (como parte da UMI) e na funcionalização da superfície do sensor realizada pela equipa LIST. (Portuguese) | |||||||||||||||
| Property / summary: Este projeto visa criar um novo tipo de nariz eletrónico e linguagem eletrónica, baseado em sensores de nanointeração de grande área, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), que por sua vez se baseia no crescimento em nanoescala de materiais nitretados, realizado pela equipa da Georgia Tech Lorraine (como parte da UMI) e na funcionalização da superfície do sensor realizada pela equipa LIST. (Portuguese) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Este projeto visa criar um novo tipo de nariz eletrónico e linguagem eletrónica, baseado em sensores de nanointeração de grande área, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), que por sua vez se baseia no crescimento em nanoescala de materiais nitretados, realizado pela equipa da Georgia Tech Lorraine (como parte da UMI) e na funcionalização da superfície do sensor realizada pela equipa LIST. (Portuguese) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Dette projekt har til formål at skabe en ny type elektronisk næse og elektronisk sprog baseret på nanointeraktionssensorer i store områder, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som igen er baseret på nanoskala vækst af nitrider materialer, der udføres af teamet Georgia Tech Lorraine (som en del af UMI) og på funktionaliteten af sensoroverfladen udført af LIST-teamet. (Danish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Dette projekt har til formål at skabe en ny type elektronisk næse og elektronisk sprog baseret på nanointeraktionssensorer i store områder, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som igen er baseret på nanoskala vækst af nitrider materialer, der udføres af teamet Georgia Tech Lorraine (som en del af UMI) og på funktionaliteten af sensoroverfladen udført af LIST-teamet. (Danish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Dette projekt har til formål at skabe en ny type elektronisk næse og elektronisk sprog baseret på nanointeraktionssensorer i store områder, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som igen er baseret på nanoskala vækst af nitrider materialer, der udføres af teamet Georgia Tech Lorraine (som en del af UMI) og på funktionaliteten af sensoroverfladen udført af LIST-teamet. (Danish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Acest proiect își propune să creeze un nou tip de nas electronic și limbaj electronic, bazat pe senzori de nano-interacție de mare suprafață, nano-HEMT (Tranzitor Electron de înaltă mobilitate), care, la rândul său, se bazează pe creșterea nanoscară a materialelor nitride, realizată de echipa Georgia Tech Lorraine (ca parte a UMI) și pe funcționalizarea suprafeței senzorului efectuată de echipa LIST. (Romanian) | |||||||||||||||
| Property / summary: Acest proiect își propune să creeze un nou tip de nas electronic și limbaj electronic, bazat pe senzori de nano-interacție de mare suprafață, nano-HEMT (Tranzitor Electron de înaltă mobilitate), care, la rândul său, se bazează pe creșterea nanoscară a materialelor nitride, realizată de echipa Georgia Tech Lorraine (ca parte a UMI) și pe funcționalizarea suprafeței senzorului efectuată de echipa LIST. (Romanian) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Acest proiect își propune să creeze un nou tip de nas electronic și limbaj electronic, bazat pe senzori de nano-interacție de mare suprafață, nano-HEMT (Tranzitor Electron de înaltă mobilitate), care, la rândul său, se bazează pe creșterea nanoscară a materialelor nitride, realizată de echipa Georgia Tech Lorraine (ca parte a UMI) și pe funcționalizarea suprafeței senzorului efectuată de echipa LIST. (Romanian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Detta projekt syftar till att skapa en ny typ av elektronisk näsa och elektroniskt språk, baserat på nano-interaktionssensorer med stor räckvidd, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som i sin tur bygger på nanoskala tillväxt av nitridermaterial, som utförs av Georgia Tech Lorraine (som en del av UMI) och på funktionalisering av sensorytan som utförs av LIST-teamet. (Swedish) | |||||||||||||||
| Property / summary: Detta projekt syftar till att skapa en ny typ av elektronisk näsa och elektroniskt språk, baserat på nano-interaktionssensorer med stor räckvidd, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som i sin tur bygger på nanoskala tillväxt av nitridermaterial, som utförs av Georgia Tech Lorraine (som en del av UMI) och på funktionalisering av sensorytan som utförs av LIST-teamet. (Swedish) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Detta projekt syftar till att skapa en ny typ av elektronisk näsa och elektroniskt språk, baserat på nano-interaktionssensorer med stor räckvidd, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som i sin tur bygger på nanoskala tillväxt av nitridermaterial, som utförs av Georgia Tech Lorraine (som en del av UMI) och på funktionalisering av sensorytan som utförs av LIST-teamet. (Swedish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 11 August 2022
| |||||||||||||||
| Property / beneficiary | |||||||||||||||
| Property / beneficiary: Q3772655 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / end time | |||||||||||||||
31 December 2019
| |||||||||||||||
| Property / end time: 31 December 2019 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / date of last update | |||||||||||||||
8 June 2023
| |||||||||||||||
| Property / date of last update: 8 June 2023 / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||||||
Metz | |||||||||||||||
| Property / location (string): Metz / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location | |||||||||||||||
49°7'10.92"N, 6°10'34.90"E
| |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 49°7'10.92"N, 6°10'34.90"E / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / coordinate location: 49°7'10.92"N, 6°10'34.90"E / qualifier | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Moselle / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / contained in NUTS: Moselle / qualifier | |||||||||||||||
Latest revision as of 11:39, 10 October 2024
Project Q3696866 in France
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Innovative materials for advanced e-nose sensors (electronic nose) and e-language (electronic language) applied to the environment |
Project Q3696866 in France |
Statements
190,466.76 Euro
0 references
476,166.9 Euro
0 references
40.0 percent
0 references
1 September 2015
0 references
31 December 2019
0 references
GEORGIA TECH LORRAINE
0 references
Ce projet a pour objectif la création d'un nouveau type de nez électronique et de langue électronique, basée sur des capteurs nanométriques à grande surface d’interaction, nano-HEMT (transistor à électrons à haute mobilité), qui est basé à son tour sur la croissance à l’échelle nanométrique des matériaux nitrures, réalisée par l’équipe de Georgia Tech Lorraine (dans le cadre de l’UMI) et sur la fonctionnalisation de la surface du capteur effectuée par l’équipe de LIST. (French)
0 references
This project aims to create a new type of electronic nose and electronic language, based on large-area nano-interaction sensors, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), which in turn is based on nanoscale growth of nitrides materials, carried out by the team of Georgia Tech Lorraine (as part of the UMI) and on the functionalisation of the sensor surface carried out by the LIST team. (English)
22 November 2021
0.0272252608996697
0 references
Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines neuen Typs elektronischer Nase und elektronischer Sprache, der auf Nanometer-Sensoren mit großer Interaktionsfläche, Nano-HEMT (hochbeweglicher Elektronentransistor) basiert, der wiederum auf dem nanometrischen Wachstum von Nitridmaterialien basiert, das vom Team von Georgia Tech Lorraine (im Rahmen der UMI) durchgeführt wurde, und auf der Funktionalisierung der Sensoroberfläche durch das LIST-Team. (German)
1 December 2021
0 references
Dit project heeft tot doel een nieuw type elektronische neus en elektronische taal te creëren, gebaseerd op nano-interactiesensoren op grote schaal, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), die op zijn beurt gebaseerd is op nanoschaalgroei van nitridesmaterialen, uitgevoerd door het team van Georgia Tech Lorraine (als onderdeel van de UMI) en op de functionalisatie van het sensoroppervlak door het LIST-team. (Dutch)
6 December 2021
0 references
Questo progetto mira a creare un nuovo tipo di naso elettronico e linguaggio elettronico, basato su sensori nano-interazione di grande area, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), che a sua volta si basa sulla crescita nanoscala dei materiali nitruri, effettuata dal team di Georgia Tech Lorraine (come parte dell'UMI) e sulla funzionalizzazione della superficie del sensore effettuata dal team LIST. (Italian)
13 January 2022
0 references
Este proyecto tiene como objetivo crear un nuevo tipo de nariz electrónica y lenguaje electrónico, basado en sensores nanointeracción de gran área, nano-HEMT (Transistor de Electrones de Alta Movilidad), que a su vez se basa en el crecimiento de nanoescala de materiales de nitruros, llevado a cabo por el equipo de Georgia Tech Lorraine (como parte de la UMI) y en la funcionalización de la superficie del sensor llevada a cabo por el equipo LIST. (Spanish)
14 January 2022
0 references
Projekti eesmärk on luua uut tüüpi elektrooniline nina ja elektrooniline keel, mis põhineb suurtel nanokoostoime anduritel nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), mis omakorda põhineb nitriidimaterjalide nanotasandi kasvul, mida viib läbi Georgia Tech Lorraine’i meeskond (UMI osana) ja anduripinna funktsionaliseerumisel LISTi meeskonna poolt. (Estonian)
11 August 2022
0 references
Šio projekto tikslas – sukurti naujo tipo elektroninę nosį ir elektroninę kalbą, pagrįstą didelio ploto nanosąveikos jutikliais, nano-HEMT (didelio mobilumo elektronų tranzistoriumi), kuris savo ruožtu grindžiamas nitridų medžiagų nanoskalės augimu, kurį atlieka Georgia Tech Lorraine komanda (kaip UMI dalis) ir LIST komandos atliekama jutiklio paviršiaus funkcionalizacija. (Lithuanian)
11 August 2022
0 references
Cilj je ovog projekta stvoriti novu vrstu elektroničkog nosa i elektroničkog jezika, na temelju velikih senzora za nanointerakciju, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), koji se pak temelji na nanorazinskom rastu nitridnih materijala, koji provodi tim Georgia Tech Lorraine (kao dio UMI-ja) i na funkcionalnosti površine senzora koju provodi LIST tim. (Croatian)
11 August 2022
0 references
Το έργο αυτό αποσκοπεί στη δημιουργία ενός νέου τύπου ηλεκτρονικής μύτης και ηλεκτρονικής γλώσσας, με βάση αισθητήρες νανο-αλληλεπίδρασης μεγάλης περιοχής, το nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), το οποίο με τη σειρά του βασίζεται στην ανάπτυξη νανοκλίμακας των υλικών νιτριδίων, που πραγματοποιείται από την ομάδα της Georgia Tech Lorraine (ως μέρος της UMI) και στη λειτουργία της επιφάνειας των αισθητήρων που πραγματοποιείται από την ομάδα LIST. (Greek)
11 August 2022
0 references
Cieľom tohto projektu je vytvoriť nový typ elektronického nosa a elektronického jazyka, založený na veľkoplošných nano-interakčných snímačoch, nano-HEMT (vysokomobilný elektrónový tranzistor), ktorý je založený na nanorozmernom raste nitridových materiálov, ktorý vykonáva tím Georgia Tech Lorraine (ako súčasť UMI) a na funkcionalizácii povrchu snímača vykonanej tímom LIST. (Slovak)
11 August 2022
0 references
Hankkeen tavoitteena on luoda uudenlainen elektroninen nenä- ja elektroninen kieli, joka perustuu suuriin nanoyhteentoimivuusantureihin, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), joka puolestaan perustuu nitridimateriaalien nanomittakaavaan perustuvaan kasvuun, jonka toteuttaa Georgia Tech Lorraine -ryhmä (osana UMI:tä) ja LIST-ryhmän suorittama anturipinnan funktionalisointi. (Finnish)
11 August 2022
0 references
Projekt ten ma na celu stworzenie nowego rodzaju elektronicznego nosa i języka elektronicznego, opartego na czujnikach nanointerakcyjnych o dużej powierzchni, nano-HEMT (tranzystor elektronowy o wysokiej mobilności), który z kolei opiera się na nanoskali wzrostu materiałów azotków, realizowanej przez zespół Georgia Tech Lorraine (w ramach UMI) oraz na funkcjonalności powierzchni czujnika realizowanej przez zespół LIST. (Polish)
11 August 2022
0 references
A projekt célja egy új típusú elektronikus orr és elektronikus nyelv létrehozása, amely nagy hatótávolságú nanointerakciós érzékelőkön, nano-HEMT-n (High Mobility Electron Transistor) alapul, amely a nitridanyagok nanoméretű növekedésén alapul, amelyet a Georgia Tech Lorraine csapata végez (az UMI részeként), valamint az érzékelő felületének a LIST csapata által végzett működésén. (Hungarian)
11 August 2022
0 references
Cílem tohoto projektu je vytvořit nový typ elektronického nosu a elektronického jazyka, založený na velkoplošných nanointerakčních senzorech, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), který je založen na nanoměřítkovém růstu nitridových materiálů, prováděném týmem Georgia Tech Lorraine (jako součást UMI) a na funkcionalizaci povrchu snímače, kterou provádí tým LIST. (Czech)
11 August 2022
0 references
Šā projekta mērķis ir radīt jauna veida elektronisko degunu un elektronisko valodu, kuras pamatā ir liela mēroga nano mijiedarbības sensori, nano-HEMT (augstas mobilitātes elektronu tranzistors), kura pamatā savukārt ir nitrīdu materiālu nanomēroga pieaugums, ko veic Georgia Tech Lorraine (UMI) komanda, un uz sensora virsmas funkcionalizāciju, ko veic LIST komanda. (Latvian)
11 August 2022
0 references
Tá sé mar aidhm ag an tionscadal seo cineál nua srón leictreonach agus teanga leictreonach a chruthú, bunaithe ar bhraiteoirí nana-idirghníomhaíochta móra, nana-HEMT (Leictreon Trasraitheoir Ard-Soghluaisteachta), atá bunaithe ar fhás nanascála ábhar nítríde, arna ndéanamh ag foireann Georgia Tech Lorraine (mar chuid den UMI) agus ar fheidhmiú an dromchla braiteora a dhéanann foireann LIST. (Irish)
11 August 2022
0 references
Cilj projekta je ustvariti novo vrsto elektronskega nosu in elektronskega jezika, ki temelji na velikih senzorjih nano-interakcije, nano-HEMT (visoka mobilnost elektronski tranzistor), ki temelji na nanoravni rasti nitridov, ki jo izvaja ekipa Georgia Tech Lorraine (kot del UMI) in na funkcionalizaciji senzorske površine, ki jo izvaja ekipa LIST. (Slovenian)
11 August 2022
0 references
Този проект има за цел да създаде нов тип електронен език на носа и електронния език, основан на широкообхватни нано-взаимодействия сензори, нано-HEMT (High Mobility Electron Transistor), който от своя страна се основава на наномащабния растеж на нитридите, извършван от екипа на Georgia Tech Lorraine (като част от UMI), и на функционализацията на повърхността на сензора, извършвана от екипа на LIST. (Bulgarian)
11 August 2022
0 references
Dan il-proġett għandu l-għan li joħloq tip ġdid ta’ lingwa elettronika tal-imnieħer u elettronika, ibbażata fuq sensuri ta’ nano-interazzjoni ta’ żona kbira, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), li min-naħa tagħha hija bbażata fuq it-tkabbir nanoskala ta’ materjali ta’ nitruri, imwettqa mit-tim ta’ Georgia Tech Lorraine (bħala parti mill-UMI) u fuq il-funzjonalità tas-superfiċje tas-sensur imwettqa mit-tim tal-LIST. (Maltese)
11 August 2022
0 references
Este projeto visa criar um novo tipo de nariz eletrónico e linguagem eletrónica, baseado em sensores de nanointeração de grande área, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), que por sua vez se baseia no crescimento em nanoescala de materiais nitretados, realizado pela equipa da Georgia Tech Lorraine (como parte da UMI) e na funcionalização da superfície do sensor realizada pela equipa LIST. (Portuguese)
11 August 2022
0 references
Dette projekt har til formål at skabe en ny type elektronisk næse og elektronisk sprog baseret på nanointeraktionssensorer i store områder, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som igen er baseret på nanoskala vækst af nitrider materialer, der udføres af teamet Georgia Tech Lorraine (som en del af UMI) og på funktionaliteten af sensoroverfladen udført af LIST-teamet. (Danish)
11 August 2022
0 references
Acest proiect își propune să creeze un nou tip de nas electronic și limbaj electronic, bazat pe senzori de nano-interacție de mare suprafață, nano-HEMT (Tranzitor Electron de înaltă mobilitate), care, la rândul său, se bazează pe creșterea nanoscară a materialelor nitride, realizată de echipa Georgia Tech Lorraine (ca parte a UMI) și pe funcționalizarea suprafeței senzorului efectuată de echipa LIST. (Romanian)
11 August 2022
0 references
Detta projekt syftar till att skapa en ny typ av elektronisk näsa och elektroniskt språk, baserat på nano-interaktionssensorer med stor räckvidd, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som i sin tur bygger på nanoskala tillväxt av nitridermaterial, som utförs av Georgia Tech Lorraine (som en del av UMI) och på funktionalisering av sensorytan som utförs av LIST-teamet. (Swedish)
11 August 2022
0 references
8 June 2023
0 references
Metz
0 references
Identifiers
LO0007545
0 references