Innovative materials for advanced e-nose sensors (electronic nose) and e-language (electronic language) applied to the environment (Q3696866): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Changed an Item) |
(Added qualifier: readability score (P590521): 0.0272252608996697) |
||||||
| Property / summary: This project aims to create a new type of electronic nose and electronic language, based on large-area nano-interaction sensors, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), which in turn is based on nanoscale growth of nitrides materials, carried out by the team of Georgia Tech Lorraine (as part of the UMI) and on the functionalisation of the sensor surface carried out by the LIST team. (English) / qualifier | |||||||
readability score: 0.0272252608996697
| |||||||
Revision as of 14:13, 23 March 2024
Project Q3696866 in France
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Innovative materials for advanced e-nose sensors (electronic nose) and e-language (electronic language) applied to the environment |
Project Q3696866 in France |
Statements
190,466.76 Euro
0 references
476,166.9 Euro
0 references
40.0 percent
0 references
1 September 2015
0 references
31 December 2019
0 references
GEORGIA TECH LORRAINE
0 references
Ce projet a pour objectif la création d'un nouveau type de nez électronique et de langue électronique, basée sur des capteurs nanométriques à grande surface d’interaction, nano-HEMT (transistor à électrons à haute mobilité), qui est basé à son tour sur la croissance à l’échelle nanométrique des matériaux nitrures, réalisée par l’équipe de Georgia Tech Lorraine (dans le cadre de l’UMI) et sur la fonctionnalisation de la surface du capteur effectuée par l’équipe de LIST. (French)
0 references
This project aims to create a new type of electronic nose and electronic language, based on large-area nano-interaction sensors, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), which in turn is based on nanoscale growth of nitrides materials, carried out by the team of Georgia Tech Lorraine (as part of the UMI) and on the functionalisation of the sensor surface carried out by the LIST team. (English)
22 November 2021
0.0272252608996697
0 references
Ziel des Projekts ist die Entwicklung eines neuen Typs elektronischer Nase und elektronischer Sprache, der auf Nanometer-Sensoren mit großer Interaktionsfläche, Nano-HEMT (hochbeweglicher Elektronentransistor) basiert, der wiederum auf dem nanometrischen Wachstum von Nitridmaterialien basiert, das vom Team von Georgia Tech Lorraine (im Rahmen der UMI) durchgeführt wurde, und auf der Funktionalisierung der Sensoroberfläche durch das LIST-Team. (German)
1 December 2021
0 references
Dit project heeft tot doel een nieuw type elektronische neus en elektronische taal te creëren, gebaseerd op nano-interactiesensoren op grote schaal, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), die op zijn beurt gebaseerd is op nanoschaalgroei van nitridesmaterialen, uitgevoerd door het team van Georgia Tech Lorraine (als onderdeel van de UMI) en op de functionalisatie van het sensoroppervlak door het LIST-team. (Dutch)
6 December 2021
0 references
Questo progetto mira a creare un nuovo tipo di naso elettronico e linguaggio elettronico, basato su sensori nano-interazione di grande area, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), che a sua volta si basa sulla crescita nanoscala dei materiali nitruri, effettuata dal team di Georgia Tech Lorraine (come parte dell'UMI) e sulla funzionalizzazione della superficie del sensore effettuata dal team LIST. (Italian)
13 January 2022
0 references
Este proyecto tiene como objetivo crear un nuevo tipo de nariz electrónica y lenguaje electrónico, basado en sensores nanointeracción de gran área, nano-HEMT (Transistor de Electrones de Alta Movilidad), que a su vez se basa en el crecimiento de nanoescala de materiales de nitruros, llevado a cabo por el equipo de Georgia Tech Lorraine (como parte de la UMI) y en la funcionalización de la superficie del sensor llevada a cabo por el equipo LIST. (Spanish)
14 January 2022
0 references
Projekti eesmärk on luua uut tüüpi elektrooniline nina ja elektrooniline keel, mis põhineb suurtel nanokoostoime anduritel nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), mis omakorda põhineb nitriidimaterjalide nanotasandi kasvul, mida viib läbi Georgia Tech Lorraine’i meeskond (UMI osana) ja anduripinna funktsionaliseerumisel LISTi meeskonna poolt. (Estonian)
11 August 2022
0 references
Šio projekto tikslas – sukurti naujo tipo elektroninę nosį ir elektroninę kalbą, pagrįstą didelio ploto nanosąveikos jutikliais, nano-HEMT (didelio mobilumo elektronų tranzistoriumi), kuris savo ruožtu grindžiamas nitridų medžiagų nanoskalės augimu, kurį atlieka Georgia Tech Lorraine komanda (kaip UMI dalis) ir LIST komandos atliekama jutiklio paviršiaus funkcionalizacija. (Lithuanian)
11 August 2022
0 references
Cilj je ovog projekta stvoriti novu vrstu elektroničkog nosa i elektroničkog jezika, na temelju velikih senzora za nanointerakciju, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), koji se pak temelji na nanorazinskom rastu nitridnih materijala, koji provodi tim Georgia Tech Lorraine (kao dio UMI-ja) i na funkcionalnosti površine senzora koju provodi LIST tim. (Croatian)
11 August 2022
0 references
Το έργο αυτό αποσκοπεί στη δημιουργία ενός νέου τύπου ηλεκτρονικής μύτης και ηλεκτρονικής γλώσσας, με βάση αισθητήρες νανο-αλληλεπίδρασης μεγάλης περιοχής, το nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), το οποίο με τη σειρά του βασίζεται στην ανάπτυξη νανοκλίμακας των υλικών νιτριδίων, που πραγματοποιείται από την ομάδα της Georgia Tech Lorraine (ως μέρος της UMI) και στη λειτουργία της επιφάνειας των αισθητήρων που πραγματοποιείται από την ομάδα LIST. (Greek)
11 August 2022
0 references
Cieľom tohto projektu je vytvoriť nový typ elektronického nosa a elektronického jazyka, založený na veľkoplošných nano-interakčných snímačoch, nano-HEMT (vysokomobilný elektrónový tranzistor), ktorý je založený na nanorozmernom raste nitridových materiálov, ktorý vykonáva tím Georgia Tech Lorraine (ako súčasť UMI) a na funkcionalizácii povrchu snímača vykonanej tímom LIST. (Slovak)
11 August 2022
0 references
Hankkeen tavoitteena on luoda uudenlainen elektroninen nenä- ja elektroninen kieli, joka perustuu suuriin nanoyhteentoimivuusantureihin, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), joka puolestaan perustuu nitridimateriaalien nanomittakaavaan perustuvaan kasvuun, jonka toteuttaa Georgia Tech Lorraine -ryhmä (osana UMI:tä) ja LIST-ryhmän suorittama anturipinnan funktionalisointi. (Finnish)
11 August 2022
0 references
Projekt ten ma na celu stworzenie nowego rodzaju elektronicznego nosa i języka elektronicznego, opartego na czujnikach nanointerakcyjnych o dużej powierzchni, nano-HEMT (tranzystor elektronowy o wysokiej mobilności), który z kolei opiera się na nanoskali wzrostu materiałów azotków, realizowanej przez zespół Georgia Tech Lorraine (w ramach UMI) oraz na funkcjonalności powierzchni czujnika realizowanej przez zespół LIST. (Polish)
11 August 2022
0 references
A projekt célja egy új típusú elektronikus orr és elektronikus nyelv létrehozása, amely nagy hatótávolságú nanointerakciós érzékelőkön, nano-HEMT-n (High Mobility Electron Transistor) alapul, amely a nitridanyagok nanoméretű növekedésén alapul, amelyet a Georgia Tech Lorraine csapata végez (az UMI részeként), valamint az érzékelő felületének a LIST csapata által végzett működésén. (Hungarian)
11 August 2022
0 references
Cílem tohoto projektu je vytvořit nový typ elektronického nosu a elektronického jazyka, založený na velkoplošných nanointerakčních senzorech, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), který je založen na nanoměřítkovém růstu nitridových materiálů, prováděném týmem Georgia Tech Lorraine (jako součást UMI) a na funkcionalizaci povrchu snímače, kterou provádí tým LIST. (Czech)
11 August 2022
0 references
Šā projekta mērķis ir radīt jauna veida elektronisko degunu un elektronisko valodu, kuras pamatā ir liela mēroga nano mijiedarbības sensori, nano-HEMT (augstas mobilitātes elektronu tranzistors), kura pamatā savukārt ir nitrīdu materiālu nanomēroga pieaugums, ko veic Georgia Tech Lorraine (UMI) komanda, un uz sensora virsmas funkcionalizāciju, ko veic LIST komanda. (Latvian)
11 August 2022
0 references
Tá sé mar aidhm ag an tionscadal seo cineál nua srón leictreonach agus teanga leictreonach a chruthú, bunaithe ar bhraiteoirí nana-idirghníomhaíochta móra, nana-HEMT (Leictreon Trasraitheoir Ard-Soghluaisteachta), atá bunaithe ar fhás nanascála ábhar nítríde, arna ndéanamh ag foireann Georgia Tech Lorraine (mar chuid den UMI) agus ar fheidhmiú an dromchla braiteora a dhéanann foireann LIST. (Irish)
11 August 2022
0 references
Cilj projekta je ustvariti novo vrsto elektronskega nosu in elektronskega jezika, ki temelji na velikih senzorjih nano-interakcije, nano-HEMT (visoka mobilnost elektronski tranzistor), ki temelji na nanoravni rasti nitridov, ki jo izvaja ekipa Georgia Tech Lorraine (kot del UMI) in na funkcionalizaciji senzorske površine, ki jo izvaja ekipa LIST. (Slovenian)
11 August 2022
0 references
Този проект има за цел да създаде нов тип електронен език на носа и електронния език, основан на широкообхватни нано-взаимодействия сензори, нано-HEMT (High Mobility Electron Transistor), който от своя страна се основава на наномащабния растеж на нитридите, извършван от екипа на Georgia Tech Lorraine (като част от UMI), и на функционализацията на повърхността на сензора, извършвана от екипа на LIST. (Bulgarian)
11 August 2022
0 references
Dan il-proġett għandu l-għan li joħloq tip ġdid ta’ lingwa elettronika tal-imnieħer u elettronika, ibbażata fuq sensuri ta’ nano-interazzjoni ta’ żona kbira, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), li min-naħa tagħha hija bbażata fuq it-tkabbir nanoskala ta’ materjali ta’ nitruri, imwettqa mit-tim ta’ Georgia Tech Lorraine (bħala parti mill-UMI) u fuq il-funzjonalità tas-superfiċje tas-sensur imwettqa mit-tim tal-LIST. (Maltese)
11 August 2022
0 references
Este projeto visa criar um novo tipo de nariz eletrônico e linguagem eletrônica, ganza em sensores de nano-interação de grande área, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), que por sua vez se baseia no crescimento em nanoescala de materiais nitretos, realizado pela equipa da Georgia Tech Lorraine (como parte do UMI) e na funcionalização da superfície do sensor realizada pela equipa LIST. (Portuguese)
11 August 2022
0 references
Dette projekt har til formål at skabe en ny type elektronisk næse og elektronisk sprog baseret på nanointeraktionssensorer i store områder, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som igen er baseret på nanoskala vækst af nitrider materialer, der udføres af teamet Georgia Tech Lorraine (som en del af UMI) og på funktionaliteten af sensoroverfladen udført af LIST-teamet. (Danish)
11 August 2022
0 references
Acest proiect își propune să creeze un nou tip de nas electronic și limbaj electronic, bazat pe senzori de nano-interacție de mare suprafață, nano-HEMT (Tranzitor Electron de înaltă mobilitate), care, la rândul său, se bazează pe creșterea nanoscară a materialelor nitride, realizată de echipa Georgia Tech Lorraine (ca parte a UMI) și pe funcționalizarea suprafeței senzorului efectuată de echipa LIST. (Romanian)
11 August 2022
0 references
Detta projekt syftar till att skapa en ny typ av elektronisk näsa och elektroniskt språk, baserat på nano-interaktionssensorer med stor räckvidd, nano-HEMT (High Mobility Electron Transistor), som i sin tur bygger på nanoskala tillväxt av nitridermaterial, som utförs av Georgia Tech Lorraine (som en del av UMI) och på funktionalisering av sensorytan som utförs av LIST-teamet. (Swedish)
11 August 2022
0 references
8 June 2023
0 references
Metz
0 references
Identifiers
LO0007545
0 references