A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase (Q84341): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Removed claim: co-financing rate (P837): 100.0 percentage) |
(Changed an Item: Import item from Poland) |
||||||||||
| Property / EU contribution | Property / EU contribution | ||||||||||
| 3,442,573.65 zloty
| ||||||||||
| Property / EU contribution | Property / EU contribution | ||||||||||
| 765,284.12 Euro
| ||||||||||
| Property / budget | Property / budget | ||||||||||
| 3,442,573.65 zloty
| ||||||||||
| Property / budget | Property / budget | ||||||||||
| 765,284.12 Euro
| ||||||||||
| Property / location (string) | |||||||||||
Cały Kraj | |||||||||||
| Property / location (string): Cały Kraj / rank | |||||||||||
Normal rank | |||||||||||
| Property / priority axis | |||||||||||
| Property / priority axis: INCREASING RESEARCH CAPACITY / rank | |||||||||||
Normal rank | |||||||||||
| Property / co-financing rate | |||||||||||
100.0 percent
| |||||||||||
| Property / co-financing rate: 100.0 percent / rank | |||||||||||
Normal rank | |||||||||||
Revision as of 10:58, 21 October 2022
Project Q84341 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | A universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in crystal growth from the vapor phase |
Project Q84341 in Poland |
Statements
3,442,573.65 zloty
0 references
3,442,573.65 zloty
0 references
100.0 percent
0 references
1 October 2018
0 references
30 September 2021
0 references
INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
0 references
The goal of this project is to develop a universal process for overcoming the equilibrium crystal shape in gallium nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of crystallized GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallization process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimized, while the growth facet (c-facet) will be stabilized and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (Polish)
0 references
The goal of this project is to develop a universal process for Overcoming the equilibrium crystal shape in gallium Nitride (GaN) crystal growth from the vapor phase. Currently, the diameter of Crystallised GaN decreases in time. Results of the project should allow deposition of thick single crystalline GaN boules with a uniform or expanding diameter. Crystallisation process will be carried out on c-plane of native GaN seed. For this purpose, precise control of supersaturation on the crystal’s growing surface is necessary. The supersaturation should be reduced on the edges and sidewalls of the growing crystal. This way adsorption of the growth species on the sidewalls will be minimised, while the growth guy (c-facet) will be stabilised and grown out for an arbitrary time period. Such conditions will be achieved by controlling the thermal field around the growing crystal. The boule will reach its final shape by adapting to the thermal field and not take its equilibrium habit. (English)
14 October 2020
0 references
L’objectif de ce projet est de développer un processus universel pour surmonter la forme cristalline d’équilibre dans la croissance cristalline du nitrure de gallium (GaN) à partir de la phase vapeur. Actuellement, le diamètre du GaN cristallisé diminue dans le temps. Les résultats du projet devraient permettre le dépôt de boules de GaN cristallines épaisses d’un diamètre uniforme ou en expansion. Le processus de cristallisation sera effectué sur le plan c des graines de GaN indigènes. À cet effet, un contrôle précis de la supersaturation sur la surface de croissance du cristal est nécessaire. La supersaturation doit être réduite sur les bords et les parois latérales du cristal en croissance. De cette façon, l’adsorption de l’espèce de croissance sur les flancs sera réduite au minimum, tandis que le type de croissance (c-facet) sera stabilisé et développé pendant une période arbitraire. De telles conditions seront réalisées en contrôlant le champ thermique autour du cristal en croissance. La boule atteindra sa forme finale en s’adaptant au champ thermique et ne prendra pas son habitude d’équilibre. (French)
30 November 2021
0 references
Ziel dieses Projekts ist es, einen universellen Prozess zur Überwindung der Gleichgewichtskristallform in Galliumnitrid (GaN) Kristallwachstum aus der Dampfphase zu entwickeln. Derzeit nimmt der Durchmesser des kristallisierten GaN in der Zeit ab. Die Ergebnisse des Projekts sollten die Ablagerung von dicken einkristallinen GaN-Boule mit einem gleichmäßigen oder ausdehnenden Durchmesser ermöglichen. Der Kristallisationsprozess wird auf c-Ebene des einheimischen GaN-Samens durchgeführt. Dazu ist eine präzise Kontrolle der Übersättigung auf der wachsenden Oberfläche des Kristalls erforderlich. Die Übersättigung sollte an den Kanten und Seitenwänden des wachsenden Kristalls reduziert werden. Auf diese Weise wird die Adsorption der Wachstumsart an den Sidewalls minimiert, während der Wachstumstyp (c-Facet) für einen beliebigen Zeitraum stabilisiert und ausgewachsen wird. Solche Bedingungen werden durch die Steuerung des thermischen Feldes um den wachsenden Kristall erreicht. Die Boule wird ihre endgültige Form erreichen, indem sie sich an das thermische Feld anpasst und seine Gleichgewichtsgewohnheit nicht nimmt. (German)
7 December 2021
0 references
Het doel van dit project is om een universeel proces te ontwikkelen voor het overwinnen van de evenwichtskristalvorm in gallium Nitride (GaN) kristalgroei vanuit de dampfase. Momenteel neemt de diameter van gekristalliseerde GaN af in de tijd. De resultaten van het project moeten depositie van dikke enkele kristallijne GaN boules met een uniforme of uitdijende diameter mogelijk maken. Kristallisatieproces zal worden uitgevoerd op c-vliegtuig van inheemse GaN zaad. Hiervoor is een nauwkeurige controle van de oververzadiging op het groeioppervlak van het kristal noodzakelijk. De oververzadiging moet worden verminderd op de randen en zijwanden van het groeiende kristal. Op deze manier zal de adsorptie van de groeisoort op de Sidewalls worden geminimaliseerd, terwijl de groeiman (c-facet) zal worden gestabiliseerd en uitgegroeid voor een willekeurige periode. Dergelijke voorwaarden zullen worden bereikt door het thermische veld rond het groeiende kristal te regelen. De boule zal zijn uiteindelijke vorm bereiken door zich aan te passen aan het thermische veld en niet zijn evenwichtsgewoonte te nemen. (Dutch)
16 December 2021
0 references
L'obiettivo di questo progetto è quello di sviluppare un processo universale per superare la forma cristallina di equilibrio nella crescita dei cristalli di nitruro di gallio (GaN) dalla fase del vapore. Attualmente, il diametro del GaN cristallizzato diminuisce nel tempo. I risultati del progetto dovrebbero consentire la deposizione di spessi boule monocristallina GaN con un diametro uniforme o in espansione. Il processo di cristallizzazione sarà effettuato sul piano c del seme autoctono di GaN. A tal fine è necessario un controllo preciso della supersaturazione sulla superficie crescente del cristallo. La supersaturazione dovrebbe essere ridotta sui bordi e sui fianchi del cristallo in crescita. In questo modo l'adsorbimento delle specie di crescita sui Sidewall sarà minimizzato, mentre il tipo di crescita (c-facet) sarà stabilizzato e cresciuto per un periodo di tempo arbitrario. Tali condizioni saranno raggiunte controllando il campo termico attorno al cristallo in crescita. Il boule raggiungerà la sua forma finale adattandosi al campo termico e non assumerà la sua abitudine di equilibrio. (Italian)
16 January 2022
0 references
El objetivo de este proyecto es desarrollar un proceso universal para superar la forma del cristal de equilibrio en el crecimiento cristalino de nitruro de galio (GaN) desde la fase de vapor. Actualmente, el diámetro de GaN cristalizado disminuye en el tiempo. Los resultados del proyecto deben permitir la deposición de bloques de GaN cristalinos gruesos con un diámetro uniforme o en expansión. El proceso de cristalización se llevará a cabo en el plano c de semillas nativas de GaN. Para ello, es necesario un control preciso de la supersaturación en la superficie de crecimiento del cristal. La supersaturación debe reducirse en los bordes y paredes laterales del cristal en crecimiento. De esta manera se minimizará la adsorción de las especies de crecimiento en los Paredes laterales, mientras que el tipo de crecimiento (c-facet) se estabilizará y crecerá durante un período de tiempo arbitrario. Tales condiciones se lograrán mediante el control del campo térmico alrededor del cristal en crecimiento. El boule alcanzará su forma final adaptándose al campo termal y no tomar su hábito de equilibrio. (Spanish)
19 January 2022
0 references
Målet med dette projekt er at udvikle en universel proces til Overcoming ligevægt krystal form i gallium Nitride (GaN) krystal vækst fra dampfasen. I øjeblikket falder diameteren af krystalliseret GaN i tid. Resultaterne af projektet bør tillade aflejring af tykke enkeltkrystallinske GaN boules med en ensartet eller ekspanderende diameter. Krystallisering proces vil blive udført på c-plan af indfødte GaN frø. Til dette formål er præcis kontrol af overmætning på krystallens voksende overflade nødvendig. Overmætning bør reduceres på kanterne og siderne af den voksende krystal. På denne måde vil adsorptionen af vækstarterne på siderne blive minimeret, mens vækstfyren (c-facet) vil blive stabiliseret og dyrket i en vilkårlig periode. Sådanne betingelser vil blive opnået ved at kontrollere det termiske felt omkring den voksende krystal. Boulelen vil nå sin endelige form ved at tilpasse sig det termiske felt og ikke tage sin ligevægt vane. (Danish)
26 July 2022
0 references
Στόχος αυτού του έργου είναι η ανάπτυξη μιας καθολικής διαδικασίας για την υπέρβαση του κρυσταλλικού σχήματος ισορροπίας σε κρυσταλλική ανάπτυξη νιτριδίου του γαλλίου (GaN) από τη φάση ατμού. Επί του παρόντος, η διάμετρος του κρυσταλλικού GaN μειώνεται στο χρόνο. Τα αποτελέσματα του έργου θα πρέπει να επιτρέπουν την εναπόθεση παχιών μονών κρυσταλλικών boules GaN με ομοιόμορφη ή διευρυνόμενη διάμετρο. Η διαδικασία κρυστάλλωσης θα πραγματοποιηθεί σε επίπεδο γ του φυσικού σπόρου GaN. Για το σκοπό αυτό, είναι απαραίτητος ο ακριβής έλεγχος του υπερκορεσμού στην επιφάνεια ανάπτυξης Crystalâ EURs. Ο υπερκορεσμός θα πρέπει να μειωθεί στις άκρες και τα πλευρικά τοιχώματα του αναπτυσσόμενου κρυστάλλου. Με αυτόν τον τρόπο η προσρόφηση των ειδών ανάπτυξης στις παρυφές θα ελαχιστοποιηθεί, ενώ ο τύπος ανάπτυξης (c-facet) θα σταθεροποιηθεί και θα αναπτυχθεί για μια αυθαίρετη χρονική περίοδο. Τέτοιες συνθήκες θα επιτευχθούν με τον έλεγχο του θερμικού πεδίου γύρω από τον αναπτυσσόμενο κρύσταλλο. Το boule θα φτάσει στο τελικό σχήμα του προσαρμόζοντας στο θερμικό πεδίο και δεν παίρνει τη συνήθεια ισορροπίας του. (Greek)
26 July 2022
0 references
Cilj ovog projekta je razviti univerzalni proces za prevladavanje ravnotežnog kristalnog oblika u rastu kristala galija nitrida (GaN) iz faze pare. Trenutno se promjer kristaliziranog GaN-a smanjuje u vremenu. Rezultati projekta trebali bi omogućiti taloženje debelih jednokrilnih GaN boula s ujednačenim ili širim promjerom. Proces kristalizacije provodit će se na c-avinu izvornog sjemena GaN-a. U tu svrhu potrebna je precizna kontrola superzasićenja na površini koja raste kristalima. Superzasićenje treba smanjiti na rubovima i bočnim stijenkama rastućeg kristala. Na taj način će se smanjiti adsorpcija vrsta rasta na bočnim stijenkama, dok će se tip za rast (c-facet) stabilizirati i izrasti tijekom proizvoljnog vremenskog razdoblja. Takvi uvjeti će se postići kontroliranjem termalnog polja oko rastućeg kristala. Boule će dostići svoj konačni oblik prilagođavajući se termičkom polju, a ne uzimajući svoju uravnoteženu naviku. (Croatian)
26 July 2022
0 references
Scopul acestui proiect este de a dezvolta un proces universal pentru depășirea formei cristaline de echilibru în creșterea cristalelor de galiu (GaN) din faza de vapori. În prezent, diametrul GaN cristalizat scade în timp. Rezultatele proiectului ar trebui să permită depunerea de bule groase monocristaline GaN cu un diametru uniform sau de expansiune. Procesul de cristalizare va fi efectuat pe planul c al semințelor native de GaN. În acest scop, este necesar un control precis al suprasaturației pe suprafața de creștere a cristalelor. Suprasaturația ar trebui redusă pe marginile și pereții laterali ai cristalului în creștere. În acest fel, adsorbția speciilor de creștere pe pereții laterali va fi redusă la minimum, în timp ce tipul de creștere (c-facet) va fi stabilizat și crescut pentru o perioadă arbitrară de timp. Astfel de condiții vor fi atinse prin controlul câmpului termic din jurul cristalului în creștere. Bulevardul își va atinge forma finală adaptându-se la câmpul termic și nu își va lua obiceiul de echilibru. (Romanian)
26 July 2022
0 references
Cieľom tohto projektu je vyvinúť univerzálny proces na prekonanie rovnovážneho krištáľového tvaru gália Nitride (GaN) z fázy pary. V súčasnosti sa priemer kryštalizovaného GaN znižuje v čase. Výsledky projektu by mali umožniť ukladanie hrubých jednoduchých kryštalických kryštálov GaN s jednotným alebo rozširujúcim priemerom. Proces kryštalizácie sa bude vykonávať na C-rovni s pôvodným semenom GaN. Na tento účel je potrebná presná kontrola supersýtosti na rastúcom povrchu kryštálov. Supersýtosť by sa mala znížiť na okrajoch a bočných stenách rastúceho kryštálu. Týmto spôsobom bude adsorpcia rastových druhov na bočných stenách minimalizovaná, zatiaľ čo rastový chlap (c-tvár) sa stabilizuje a vyrastie na ľubovoľné časové obdobie. Takéto podmienky sa dosiahnu kontrolou tepelného poľa okolo rastúceho kryštálu. Boule dosiahne svoj konečný tvar tým, že sa prispôsobí tepelnému poľu a nebude mať svoj rovnovážny zvyk. (Slovak)
26 July 2022
0 references
L-għan ta ‘dan il-proġett huwa li jiġi żviluppat proċess universali għall Negħlbu l-forma kristall ekwilibriju fit-tkabbir kristall gallium Nitride (GaN) mill-fażi tal-fwar. Bħalissa, id-dijametru ta ‘GaN Crystallized jonqos fil-ħin. Ir-riżultati tal-proġett għandhom jippermettu d-depożizzjoni ta’ boules tal-GaN kristallini singoli ħoxnin b’dijametru uniformi jew li jespandi. Il-proċess ta’ kristallizzazzjoni se jitwettaq fuq il-pjan c taż-żerriegħa nattiva tal-GaN. Għal dan il-għan, il-kontroll preċiż ta ‘supersaturation fuq il-wiċċ li qed jikber kristalle huwa meħtieġ. Is-supersaturazzjoni għandha titnaqqas fuq it-truf u l-ġnub tal-kristall li qed jikber. B’dan il-mod l-adsorbiment ta ‘l-ispeċi tat-tkabbir fuq il-ħitan tal-ġenb se jkun minimizzat, filwaqt li l-Guy tat-tkabbir (wiċċ-c) se jiġi stabbilizzat u mkabbar għal perjodu ta’ żmien arbitrarju. Dawn il-kundizzjonijiet se jinkisbu billi jiġi kkontrollat il-qasam termali madwar il-kristall li qed jikber. Il-boule se tilħaq il-forma finali tagħha billi tadatta għall-qasam termali u ma tieħux drawwa ta ‘ekwilibriju tagħha. (Maltese)
26 July 2022
0 references
O objetivo deste projeto é desenvolver um processo universal para superar a forma de cristal de equilíbrio em Nitrido de gálio (GaN) crescimento de cristal a partir da fase de vapor. Atualmente, o diâmetro do GaN cristalizado diminui no tempo. Os resultados do projeto devem permitir a deposição de boules de GaN cristalinos únicos grossos com um diâmetro uniforme ou em expansão. Processo de cristalização será realizado em c-plano de semente GaN nativa. Para este efeito, é necessário um controlo preciso da supersaturação na superfície de crescimento do cristal. A supersaturação deve ser reduzida nas bordas e paredes laterais do cristal em crescimento. Desta forma, a adsorção das espécies de crescimento nas paredes laterais será minimizada, enquanto o indivíduo do crescimento (faceta c) será estabilizado e crescido por um período de tempo arbitrário. Tais condições serão alcançadas controlando o campo térmico em torno do cristal em crescimento. O boule alcançará sua forma final adaptando-se ao campo térmico e não tomará seu hábito de equilíbrio. (Portuguese)
26 July 2022
0 references
Hankkeen tavoitteena on kehittää yleismaailmallinen prosessi tasapainon kristallin muodon voittamiseksi galliumnitridin (GaN) kristallin kasvusta höyryvaiheesta. Tällä hetkellä Crystallized GaN:n halkaisija pienenee ajassa. Hankkeen tulosten pitäisi mahdollistaa paksujen yksikiteisten GaN-pullien laskeuma tasaisen tai laajenevan halkaisijan kanssa. Kiteytys prosessi suoritetaan c-taso natiivi GaN siemenet. Tätä varten tarvitaan tarkka valvonta ylikyllästyminen kristallin kasvupinta on tarpeen. Ylikyllästymistä on vähennettävä kasvavan kristallin reunoilla ja sivupinnoilla. Tällä tavoin adsorptio kasvulajien sivuseinät minimoidaan, kun taas kasvu kaveri (c-facet) vakautetaan ja kasvaa pois mielivaltaisen ajan. Tällaiset olosuhteet saavutetaan säätämällä lämpökenttää kasvavan kristallin ympärillä. Boule saavuttaa lopullisen muodon mukautumalla lämpökenttään eikä ota tasapainoa tapana. (Finnish)
26 July 2022
0 references
Cilj tega projekta je razviti univerzalni proces za premagovanje ravnotežne oblike kristalov v rasti kristalov galijevega nitrida (GaN) iz parne faze. Trenutno se premer kristaliziranega GaN sčasoma zmanjša. Rezultati projekta morajo omogočati odlaganje debelih enokristalnih GaN ingotov z enakim ali naraščajočim premerom. Proces kristalizacije se bo izvajal na c-ravnini domačega semena GaN. V ta namen je potreben natančen nadzor nad prenasičenostjo na rastni površini Crystalâ EURs. Prenasičenost je treba zmanjšati na robovih in stranskih stenah rastočega kristala. Na ta način bo adsorpcija rastne vrste na bočnicah čim manjša, medtem ko se bo rastni fant (c-facet) stabiliziral in zrasel za poljubno časovno obdobje. Takšni pogoji bodo doseženi z nadzorovanjem toplotnega polja okoli rastočega kristala. Bulda bo dosegla svojo končno obliko s prilagajanjem na toplotno polje in ne bo izkoristila svoje ravnovesne navade. (Slovenian)
26 July 2022
0 references
Cílem tohoto projektu je vyvinout univerzální proces pro překonání rovnovážného tvaru krystalů v krystalovém růstu galia nitridu (GaN) z fáze páry. V současné době se průměr krystalizované GaN snižuje v čase. Výsledky projektu by měly umožnit nanášení silných jednokrystalických GaN boules s jednotným nebo rozšiřujícím průměrem. Krystalizační proces se bude provádět na C-ploše rodného semene GaN. Pro tento účel je nutná přesná kontrola nad sytostí na krystalu rostoucím povrchu. Nadsytost by měla být snížena na okrajích a bočnicích rostoucího krystalu. Tímto způsobem bude minimalizována adsorpce růstových druhů na bočnicích, zatímco růstový chlap (c-facet) bude stabilizován a vypěstován na libovolnou dobu. Těchto podmínek bude dosaženo kontrolou tepelného pole kolem rostoucího krystalu. Boule dosáhne svého konečného tvaru tím, že se přizpůsobí termálnímu poli a nevezme si vyrovnaný zvyk. (Czech)
26 July 2022
0 references
Šio projekto tikslas – sukurti universalų procesą, skirtą pusiausvyros kristalų formos įveikimui galio nitrido (GaN) kristalų augimui iš garų fazės. Šiuo metu kristalizuoto GaN skersmuo laikui bėgant mažėja. Projekto rezultatai turėtų leisti nusodinti storus vieno kristalinio GaN ruošinius, kurių skersmuo yra vienodas arba besiplečiantis. Kristalizacijos procesas bus atliekamas ant c-plokštės gimtosios GaN sėklos. Šiuo tikslu būtina tiksliai kontroliuoti supersaturation ant kristalų augančio paviršiaus. Supersaturation turėtų būti sumažintas ant augančio kristalo kraštų ir šoninių sienelių. Tokiu būdu augimo rūšių adsorbcija ant šoninių sienelių bus sumažinta, o augimo vaikinas (c-facet) bus stabilizuotas ir išaugintas savavališkai. Tokios sąlygos bus pasiektos kontroliuojant terminį lauką aplink augantį kristalą. Bulvė pasieks savo galutinę formą prisitaikant prie terminio lauko, o ne imtis savo pusiausvyros įpročio. (Lithuanian)
26 July 2022
0 references
Šī projekta mērķis ir izstrādāt universālu procesu, lai pārvarētu līdzsvaru kristāla formu gallija Nitride (GaN) kristāla augšanu no tvaika fāzē. Pašlaik Crystallised GaN diametrs laika gaitā samazinās. Projekta rezultātiem būtu jāļauj nogulsnēties biezos vienas kristāliskas GaN bululās ar vienādu vai paplašinošu diametru. Kristalizācijas process tiks veikts uz vietējo GaN sēklu c-plaknes. Šim nolūkam, precīza kontrole supersaturation uz crystalâ EURs augošās virsmas ir nepieciešama. Pārsātinājums jāsamazina augošā kristāla malās un sānu malās. Tādā veidā tiks samazināta augšanas sugu adsorbcija uz sāniem, savukārt augšanas puisis (c-facet) tiks stabilizēts un izaudzēts uz patvaļīgu laika periodu. Šādi apstākļi tiks sasniegti, kontrolējot siltuma lauku ap augošo kristālu. Bullis sasniegs savu galīgo formu, pielāgojoties termiskajam laukam, un neuzņemsies līdzsvara ieradumu. (Latvian)
26 July 2022
0 references
Целта на този проект е да се разработи универсален процес за преодоляване на равновесната кристална форма в галиев нитрид (GaN) кристален растеж от фазата на изпаряване. В момента диаметърът на кристализирания GaN намалява във времето. Резултатите от проекта следва да позволяват отлагането на гъсти единични кристални GaN булели с еднакъв или разширяващ се диаметър. Процесът на кристализация ще се извършва върху с-равнина от родния GaN семена. За тази цел е необходим прецизен контрол на свръхнасищането на повърхността за растеж на кристала. Свръхнасищането трябва да се намали по краищата и страничните стени на растящия кристал. По този начин адсорбцията на видовете растеж на страничните стени ще бъде сведена до минимум, докато растежният човек (c-facet) ще бъде стабилизиран и израснал за произволен период от време. Такива условия ще бъдат постигнати чрез контролиране на термичното поле около растящия кристал. Булето ще достигне окончателната си форма, като се адаптира към термичното поле и няма да приеме своя балансиран навик. (Bulgarian)
26 July 2022
0 references
A projekt célja egy univerzális folyamat kidolgozása a gallium-nitrid (GaN) kristálynövekedés egyensúlyi kristályformájának leküzdésére a gőzfázisból. Jelenleg a Crystallised GaN átmérője időben csökken. A projekt eredményeinek lehetővé kell tenniük az egyenletes vagy bővülő átmérőjű, vastag, egy kristályos GaN boulák lerakódását. A kristályosítási folyamatot az őshonos GaN vetőmag c-síkján végzik. E célból a kristály növekvő felületén a túltelítettség pontos ellenőrzése szükséges. A túltelítettséget csökkenteni kell a növekvő kristály szélein és oldalfalain. Így a növekedési faj adszorpciója az oldalfalakon minimálisra csökken, míg a növekedési srác (c-facet) egy tetszőleges ideig stabilizálódik és kinő. Ezeket a feltételeket a növekvő kristály körüli termikus mező szabályozásával érik el. A sziklák végső alakját úgy érik el, hogy alkalmazkodnak a termikus mezőhöz, és nem veszik figyelembe az egyensúlyi szokásait. (Hungarian)
26 July 2022
0 references
Is é sprioc an tionscadail seo próiseas uilíoch a fhorbairt chun an cruth criostail cothromaíochta a shárú i bhfás criostail gallium Nitride (GaN) ón gcéim ghal. Faoi láthair, laghdaíonn trastomhas Crystallized GaN in am. Ba chóir go gceadódh torthaí an tionscadail sil-chriostalach tiubh GaN boules le trastomhas aonfhoirmeach nó ag leathnú. Déanfar próiseas criostalaithe ar phlána síolta GaN dúchais. Chun na críche sin, tá rialú beacht supersaturation ar an dromchla crystalâ EURs ag fás is gá. Ba chóir an supersaturation a laghdú ar imill agus ar bhallaí taobh an criostail atá ag fás. Déanfar an bealach seo asaithe ar an speiceas fáis ar na ballaí taobh a íoslaghdú, agus beidh an Guy fáis (c-facet) a chobhsú agus a fhás amach ar feadh tréimhse ama treallach. Bainfear na coinníollacha sin amach tríd an réimse teirmeach a rialú ar fud an criostail atá ag fás. Beidh an boule teacht ar a cruth deiridh ag dul in oiriúint don réimse teirmeach agus ní a ghlacadh ar a nós cothromaíochta. (Irish)
26 July 2022
0 references
Målet med detta projekt är att utveckla en universell process för att övervinna jämviktskristallen i galliumnitrid (GaN) kristalltillväxt från ångfasen. För närvarande minskar diametern på kristalliserad GaN i tiden. Resultaten av projektet bör möjliggöra nedfall av tjocka enskilda kristallina GaN-boules med en jämn eller expanderande diameter. Kristallisationsprocessen kommer att utföras på c-plan av inhemskt GaN-frö. För detta ändamål är exakt kontroll av övermättnad på kristallens växande yta nödvändig. Övermättringen bör minskas på kanterna och sidoväggarna på den växande kristallen. På så sätt kommer adsorptionen av tillväxtarterna på sidoväggarna att minimeras, medan tillväxtkillen (c-facet) kommer att stabiliseras och växa ut under en godtycklig tidsperiod. Sådana förhållanden kommer att uppnås genom att kontrollera det termiska fältet runt den växande kristallen. Boulen kommer att nå sin slutliga form genom att anpassa sig till det termiska fältet och inte ta sin jämvikt vana. (Swedish)
26 July 2022
0 references
Selle projekti eesmärk on töötada välja universaalne protsess tasakaalukristalli kuju ületamiseks galliumnitriidkristalli (GaN) kristallide kasvu aurufaasist. Praegu väheneb kristalliseeritud GaN-i läbimõõt ajas. Projekti tulemused peaksid võimaldama ühtlase või laieneva läbimõõduga paksu monokristallilise GaN-i bouli sadestumist. Kristalliseerumisprotsess viiakse läbi loodusliku GaN-seemne C-tasapinnal. Selleks on vaja täpselt kontrollida üleküllastust kristalli kasvaval pinnal. Üleküllastust tuleks vähendada kasvava kristalli servadel ja külgedel. Sel viisil adsorptsiooni kasvu liigid külgseinad on minimeeritud, samas kasvu mees (c-tah) stabiliseeritakse ja välja kasvanud suvalise aja jooksul. Sellised tingimused saavutatakse termilise välja kontrollimisega kasvava kristalli ümber. Pulss saavutab oma lõpliku kuju, kohanedes termilise väljaga ja ei võta oma tasakaalu harjumust. (Estonian)
26 July 2022
0 references
Cały Kraj
0 references
Identifiers
POIR.04.04.00-00-5CEB/17
0 references