Polarity Engineering in Nitride Heterostructures (Q84349): Difference between revisions
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Ingeniería de polaridad en heteroestructuras de nitruro | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
El proyecto se centra en los dispositivos verticales de nitruro con campos de polarización integrados invertidos en estructuras cultivadas en sustratos Ga-polar GaN. Para construir estos dispositivos explotaremos características únicas de las conexiones de túnel n-p (TJ). El crecimiento de n-p TJ anterior a la región activa del dispositivo permite incorporar la región activa dentro de la configuración p-n en lugar de la de uso común n-p. Esto resulta en una dirección de campo eléctrico incorporada invertida dentro de la región activa. Además, estos dispositivos se beneficiarán de tener la capa de tipo n en la parte superior. Demostraremos que ambas características pueden conducir a nuevas aplicaciones de dispositivos emisores de luz, diodos láser y transistores. Las capacidades únicas del sistema epitaxy del haz molecular asistido por plasma (fuente plasmática de nitrógeno de alta tasa de crecimiento, células de flujo de alto Mg y dopaje Ge) instalado en Varsovia serán cruciales para el crecimiento de las muestras. El proyecto se llevará a cabo en colaboración con grupos de la Universidad de Cornell y la Universidad Tecnológica de Wroclaw. (Spanish) | |||||||||||||||
| Property / summary: El proyecto se centra en los dispositivos verticales de nitruro con campos de polarización integrados invertidos en estructuras cultivadas en sustratos Ga-polar GaN. Para construir estos dispositivos explotaremos características únicas de las conexiones de túnel n-p (TJ). El crecimiento de n-p TJ anterior a la región activa del dispositivo permite incorporar la región activa dentro de la configuración p-n en lugar de la de uso común n-p. Esto resulta en una dirección de campo eléctrico incorporada invertida dentro de la región activa. Además, estos dispositivos se beneficiarán de tener la capa de tipo n en la parte superior. Demostraremos que ambas características pueden conducir a nuevas aplicaciones de dispositivos emisores de luz, diodos láser y transistores. Las capacidades únicas del sistema epitaxy del haz molecular asistido por plasma (fuente plasmática de nitrógeno de alta tasa de crecimiento, células de flujo de alto Mg y dopaje Ge) instalado en Varsovia serán cruciales para el crecimiento de las muestras. El proyecto se llevará a cabo en colaboración con grupos de la Universidad de Cornell y la Universidad Tecnológica de Wroclaw. (Spanish) / rank | |||||||||||||||
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| Property / summary: El proyecto se centra en los dispositivos verticales de nitruro con campos de polarización integrados invertidos en estructuras cultivadas en sustratos Ga-polar GaN. Para construir estos dispositivos explotaremos características únicas de las conexiones de túnel n-p (TJ). El crecimiento de n-p TJ anterior a la región activa del dispositivo permite incorporar la región activa dentro de la configuración p-n en lugar de la de uso común n-p. Esto resulta en una dirección de campo eléctrico incorporada invertida dentro de la región activa. Además, estos dispositivos se beneficiarán de tener la capa de tipo n en la parte superior. Demostraremos que ambas características pueden conducir a nuevas aplicaciones de dispositivos emisores de luz, diodos láser y transistores. Las capacidades únicas del sistema epitaxy del haz molecular asistido por plasma (fuente plasmática de nitrógeno de alta tasa de crecimiento, células de flujo de alto Mg y dopaje Ge) instalado en Varsovia serán cruciales para el crecimiento de las muestras. El proyecto se llevará a cabo en colaboración con grupos de la Universidad de Cornell y la Universidad Tecnológica de Wroclaw. (Spanish) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 19 January 2022
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Revision as of 12:49, 19 January 2022
Project Q84349 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | Polarity Engineering in Nitride Heterostructures |
Project Q84349 in Poland |
Statements
798,555.0 zloty
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798,555.0 zloty
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100.0 percent
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1 October 2018
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30 September 2020
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INSTYTUT WYSOKICH CIŚNIEŃ POLSKIEJ AKADEMII NAUK
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The project focuses on nitride vertical devices with inverted built-in polarization fields in structures grown on Ga-polar GaN substrates. To build such devices we will exploit unique features of n-p tunnel junctions (TJ). Growth of n-p TJ preceding the active region of the device allows to incorporate the active region within the p-n configuration rather than the commonly used n-p one. This results in an inverted built-in electric field direction inside the active region. Additionally, such devices will profit from having the n-type layer on the top. We will show that both features can lead to new applications of light emitting devices, laser diodes and transistors. Unique capabilities of the plasma-assisted molecular beam epitaxy system (high growth rate nitrogen plasma source, high Mg flux cell and Ge doping) installed in Warsaw will be crucial for samples growth. Project will be carried out in collaboration with groups at Cornell University and Wroclaw University of Technology. (Polish)
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The project focuses on Nitride vertical devices with inverted built-in polarisation fields in structures grown on Ga-polar GaN substrates. To build such devices we will exploit unique features of n-p tunnel junctions (TJ). Growth of n-p TJ preceding the active region of the device allows to Incorporate the active region within the p-n configuration rather than the commonly used n-p one. This results in an inverted built-in electric field direction inside the active region. Additionally, such devices will profit from having the n-type layer on the top. We will show that both features can lead to new applications of light emitting devices, laser diodes and transistors. Unique capabilities of the plasma-assisted molecular beam epitaxy system (high growth rate nitrogen plasma source, high Mg flux cell and Ge doping) installed in Warsaw will be crucial for samples growth. Project will be carried out in collaboration with groups at Cornell University and Wroclaw University of Technology. (English)
14 October 2020
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Le projet se concentre sur les dispositifs verticaux Nitride avec des champs de polarisation intégrés inversés dans des structures cultivées sur Ga-polar GaN Substrates. Pour construire de tels appareils, nous exploiterons les caractéristiques uniques des jonctions de tunnel n-p (TJ). La croissance de n-p TJ précédant la région active de l’appareil permet d’incorporer la région active dans la configuration p-n plutôt que la n-p un couramment utilisée. Il en résulte une direction de champ électrique intégrée inversée à l’intérieur de la région active. En outre, ces appareils profiteront d’avoir la couche de type n sur le dessus. Nous montrerons que les deux fonctionnalités peuvent conduire à de nouvelles applications d’appareils émettant de la lumière, de diodes laser et de transistors. Les capacités uniques du système Epitaxy à faisceau moléculaire assisté par plasma (source plasmatique à taux de croissance élevé, cellule à flux élevé de Mg et dopage Ge) seront cruciales pour la croissance des échantillons. Le projet sera réalisé en collaboration avec des groupes de l’Université Cornell et de l’Université de technologie de Wroclaw. (French)
30 November 2021
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Das Projekt konzentriert sich auf Nitride vertikale Geräte mit invertierten eingebauten Polarisationsfeldern in Strukturen, die auf Ga-polaren GaN-Substraten angebaut werden. Um solche Geräte zu bauen, werden wir einzigartige Merkmale von n-p Tunnel-Verbindungen (TJ) nutzen. Das Wachstum von n-p TJ vor dem aktiven Bereich des Geräts ermöglicht es, den aktiven Bereich in die p-n-Konfiguration zu integrieren und nicht die gebräuchliche n-p one. Dies führt zu einer invertierten eingebauten elektrischen Feldrichtung innerhalb der aktiven Region. Darüber hinaus werden solche Geräte von der n-Typ-Schicht auf der Oberseite profitieren. Wir zeigen, dass beide Funktionen zu neuen Anwendungen von Lichtstrahlgeräten, Laserdioden und Transistoren führen können. Einzigartige Fähigkeiten des in Warschau installierten Plasma-gestützten molekularen Strahls Epitaxy-Systems (hohe Wachstumsrate Stickstoffplasmaquelle, hohe Mg-Flusszelle und Ge Doping) werden für das Probenwachstum entscheidend sein. Das Projekt wird in Zusammenarbeit mit Gruppen an der Cornell University und der Technischen Universität Breslau durchgeführt. (German)
7 December 2021
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Het project richt zich op Nitride verticale apparaten met omgekeerde ingebouwde polarisatievelden in structuren gekweekt op Ga-polar GaN Substrates. Om dergelijke apparaten te bouwen zullen we unieke kenmerken van n-p tunnel knooppunten (TJ) benutten. De groei van n-p TJ voorafgaand aan de actieve regio van het apparaat maakt het mogelijk om de actieve regio in de p-n configuratie te integreren in plaats van de veelgebruikte n-p één. Dit resulteert in een omgekeerde ingebouwde elektrische veldrichting binnen de actieve regio. Bovendien zullen dergelijke apparaten profiteren van het hebben van de n-type laag aan de bovenkant. We zullen laten zien dat beide functies kunnen leiden tot nieuwe toepassingen van lichtuitstralende apparaten, laserdioden en transistors. Unieke mogelijkheden van het plasma-ondersteunde moleculaire straal Epitaxy systeem (hoge groeisnelheid stikstof plasma bron, hoge Mg flux cel en Ge doping) geïnstalleerd in Warschau zal cruciaal zijn voor de monstergroei. Het project zal worden uitgevoerd in samenwerking met groepen van Cornell University en Wroclaw University of Technology. (Dutch)
16 December 2021
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Il progetto si concentra su dispositivi verticali Nitride con campi di polarizzazione incorporati invertiti in strutture cresciute sui substrati Ga-polari GaN. Per costruire tali dispositivi sfrutteremo caratteristiche uniche delle giunzioni del tunnel n-p (TJ). La crescita di n-p TJ che precede la regione attiva del dispositivo permette di incorporare la regione attiva all'interno della configurazione p-n piuttosto che quella comunemente usata n-p. Questo si traduce in una direzione di campo elettrico incorporato invertito all'interno della regione attiva. Inoltre, tali dispositivi trarranno profitto dall'avere il livello di n-tipo sulla parte superiore. Mostreremo che entrambe le caratteristiche possono portare a nuove applicazioni di dispositivi per l'emissione di luce, diodi laser e transistor. Le capacità uniche del sistema Epitaxy del fascio molecolare assistito al plasma (sorgente plasmatica ad alto tasso di crescita dell'azoto, cellule ad alto flusso Mg e doping Ge) installati a Varsavia saranno cruciali per la crescita dei campioni. Il progetto sarà realizzato in collaborazione con gruppi della Cornell University e della Wroclaw University of Technology. (Italian)
16 January 2022
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El proyecto se centra en los dispositivos verticales de nitruro con campos de polarización integrados invertidos en estructuras cultivadas en sustratos Ga-polar GaN. Para construir estos dispositivos explotaremos características únicas de las conexiones de túnel n-p (TJ). El crecimiento de n-p TJ anterior a la región activa del dispositivo permite incorporar la región activa dentro de la configuración p-n en lugar de la de uso común n-p. Esto resulta en una dirección de campo eléctrico incorporada invertida dentro de la región activa. Además, estos dispositivos se beneficiarán de tener la capa de tipo n en la parte superior. Demostraremos que ambas características pueden conducir a nuevas aplicaciones de dispositivos emisores de luz, diodos láser y transistores. Las capacidades únicas del sistema epitaxy del haz molecular asistido por plasma (fuente plasmática de nitrógeno de alta tasa de crecimiento, células de flujo de alto Mg y dopaje Ge) instalado en Varsovia serán cruciales para el crecimiento de las muestras. El proyecto se llevará a cabo en colaboración con grupos de la Universidad de Cornell y la Universidad Tecnológica de Wroclaw. (Spanish)
19 January 2022
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Identifiers
POIR.04.04.00-00-5D5B/18
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