MOSFET 3D ARCHITECTURE MADE IN-SITU BY MPCVD FOR POWER ELECTRONICS (Q3138864): Difference between revisions
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ARCHITETTURA MOSFET 3D REALIZZATA IN SITU DA MPCVD PER L'ELETTRONICA DI POTENZA | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
IL GRUPPO DELL'UNIVERSITÀ DI CADICE AVRÀ LA SUA ATTIVITÀ ORIENTATA IN TRE DIREZIONI: (I) GROWING MPCVD, (II) CARATTERISATION TEM, CL, OPTICAL technicals (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) and Electrial MEASURES (I/V, C/V, HALL) E FINALENT (III) Una piccola attività RELATED CON TERMINAZIONE DIAMINAZIONE (HIDROGENACION, L'ossigenazione, ETC)._x000D_ CONDIZIONI Medient GROWTH MPCVD per raggiungere una GROWTH SELECTIVE, è a DECECTIONE LE QUESTIONI IN DIRETTAZIONE [001] COME DIRECCONI [010] E [100], richiedono il PREZZO DETERMINAZIONE DEL Metano/HYDROGEN disposizione NEL GAS come CONDIZIONI che permettono un POTIMO LEVEL DI Doping. NELL'AMBITO DI UNA TESI CONDOTTA PRESSO L'UNIVERSITÀ DI CADICE (UCA) E COMPLETATA NEL 2017, È STATO SVILUPPATO UN METODO (DEPOSITO IN CORSO DI BREVETTO) PER CONTROLLARE LA DIREZIONE DELLA CRESCITA DI HOMOEPITAXIAL: VERTICALE (001) O LATERALE (010) E (100). SULLA BASE DI QUESTI RISULTATI, SVILUPPIAMO L'IDEA DI UNA NUOVA ARCHITETTURA MOSFET CHE UTILIZZA LA CRESCITA LATERALE DEL DIAMANTE PER OTTENERE, IN SITU DALL'MPCVD, UNA STRUTTURA 3D. IL VANTAGGIO PRINCIPALE DI QUESTA ARCHITETTURA È QUELLO DI AVERE UN CANALE PORTA ORIZZONTALE DOVE SI INTERFACCIA CON L'OSSIDO DELLA PORTA È BEN CONTROLLATO E RICHIEDE SOLO ATTACCO VERTICALE. Questo REDUCE ULTIME E Semplifical LYTOGRAPHIC etapas che è uno dei principi di BOTELLA FULL PER LA FABRICAZIONE DI MOSFETTI POTENTI BASED IN DIAMANTE._x000D_ nell'UCA crescerà le STRUTTURE HOMOEPITAXIAL il più presto possibile. SARANNO CARATTERIZZATI DA CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPING, TRASPORTO MINORITARIO, DIFETTI PUNTI), TEM (STRUTTURA, SPESSORE DI ESTENSIONE/STRATO, DIFETTI), HALL (MOBILITÀ), ATR E AFM PER POI AVERE UN FEEDBACK SULLE CONDIZIONI DI CRESCITA E SULLE SIMULAZIONI AD ELEMENTI FINITI CHE PREDICONO I CAMPI ELETTRICI NELLA STRUTTURA MOSFET (CALCOLI REALOISED NEL SOTTOPROGETTO 2, CNM-BELLATERRA). L'UCA FUNGERÀ DA FORNITORE DI STRUTTURE HOMOEPITAXIADAS PER IL CNM-BELLATERRA PER ESEGUIRE, CON ADEGUATO CONTROLLO DELLE FASI TECNOLOGICHE, LE STRUTTURE DI PROVA E IL DISPOSITIVO MOSFET. UN FEEDBACK PERMETTERÀ DI REGOLARE IL DESIGN (LIVELLI DI DOPING, SPESSORI/ESTENSIONE STRATO, ECC.). (Italian) | |||||||||||||||
| Property / summary: IL GRUPPO DELL'UNIVERSITÀ DI CADICE AVRÀ LA SUA ATTIVITÀ ORIENTATA IN TRE DIREZIONI: (I) GROWING MPCVD, (II) CARATTERISATION TEM, CL, OPTICAL technicals (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) and Electrial MEASURES (I/V, C/V, HALL) E FINALENT (III) Una piccola attività RELATED CON TERMINAZIONE DIAMINAZIONE (HIDROGENACION, L'ossigenazione, ETC)._x000D_ CONDIZIONI Medient GROWTH MPCVD per raggiungere una GROWTH SELECTIVE, è a DECECTIONE LE QUESTIONI IN DIRETTAZIONE [001] COME DIRECCONI [010] E [100], richiedono il PREZZO DETERMINAZIONE DEL Metano/HYDROGEN disposizione NEL GAS come CONDIZIONI che permettono un POTIMO LEVEL DI Doping. NELL'AMBITO DI UNA TESI CONDOTTA PRESSO L'UNIVERSITÀ DI CADICE (UCA) E COMPLETATA NEL 2017, È STATO SVILUPPATO UN METODO (DEPOSITO IN CORSO DI BREVETTO) PER CONTROLLARE LA DIREZIONE DELLA CRESCITA DI HOMOEPITAXIAL: VERTICALE (001) O LATERALE (010) E (100). SULLA BASE DI QUESTI RISULTATI, SVILUPPIAMO L'IDEA DI UNA NUOVA ARCHITETTURA MOSFET CHE UTILIZZA LA CRESCITA LATERALE DEL DIAMANTE PER OTTENERE, IN SITU DALL'MPCVD, UNA STRUTTURA 3D. IL VANTAGGIO PRINCIPALE DI QUESTA ARCHITETTURA È QUELLO DI AVERE UN CANALE PORTA ORIZZONTALE DOVE SI INTERFACCIA CON L'OSSIDO DELLA PORTA È BEN CONTROLLATO E RICHIEDE SOLO ATTACCO VERTICALE. Questo REDUCE ULTIME E Semplifical LYTOGRAPHIC etapas che è uno dei principi di BOTELLA FULL PER LA FABRICAZIONE DI MOSFETTI POTENTI BASED IN DIAMANTE._x000D_ nell'UCA crescerà le STRUTTURE HOMOEPITAXIAL il più presto possibile. SARANNO CARATTERIZZATI DA CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPING, TRASPORTO MINORITARIO, DIFETTI PUNTI), TEM (STRUTTURA, SPESSORE DI ESTENSIONE/STRATO, DIFETTI), HALL (MOBILITÀ), ATR E AFM PER POI AVERE UN FEEDBACK SULLE CONDIZIONI DI CRESCITA E SULLE SIMULAZIONI AD ELEMENTI FINITI CHE PREDICONO I CAMPI ELETTRICI NELLA STRUTTURA MOSFET (CALCOLI REALOISED NEL SOTTOPROGETTO 2, CNM-BELLATERRA). L'UCA FUNGERÀ DA FORNITORE DI STRUTTURE HOMOEPITAXIADAS PER IL CNM-BELLATERRA PER ESEGUIRE, CON ADEGUATO CONTROLLO DELLE FASI TECNOLOGICHE, LE STRUTTURE DI PROVA E IL DISPOSITIVO MOSFET. UN FEEDBACK PERMETTERÀ DI REGOLARE IL DESIGN (LIVELLI DI DOPING, SPESSORI/ESTENSIONE STRATO, ECC.). (Italian) / rank | |||||||||||||||
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| Property / summary: IL GRUPPO DELL'UNIVERSITÀ DI CADICE AVRÀ LA SUA ATTIVITÀ ORIENTATA IN TRE DIREZIONI: (I) GROWING MPCVD, (II) CARATTERISATION TEM, CL, OPTICAL technicals (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) and Electrial MEASURES (I/V, C/V, HALL) E FINALENT (III) Una piccola attività RELATED CON TERMINAZIONE DIAMINAZIONE (HIDROGENACION, L'ossigenazione, ETC)._x000D_ CONDIZIONI Medient GROWTH MPCVD per raggiungere una GROWTH SELECTIVE, è a DECECTIONE LE QUESTIONI IN DIRETTAZIONE [001] COME DIRECCONI [010] E [100], richiedono il PREZZO DETERMINAZIONE DEL Metano/HYDROGEN disposizione NEL GAS come CONDIZIONI che permettono un POTIMO LEVEL DI Doping. NELL'AMBITO DI UNA TESI CONDOTTA PRESSO L'UNIVERSITÀ DI CADICE (UCA) E COMPLETATA NEL 2017, È STATO SVILUPPATO UN METODO (DEPOSITO IN CORSO DI BREVETTO) PER CONTROLLARE LA DIREZIONE DELLA CRESCITA DI HOMOEPITAXIAL: VERTICALE (001) O LATERALE (010) E (100). SULLA BASE DI QUESTI RISULTATI, SVILUPPIAMO L'IDEA DI UNA NUOVA ARCHITETTURA MOSFET CHE UTILIZZA LA CRESCITA LATERALE DEL DIAMANTE PER OTTENERE, IN SITU DALL'MPCVD, UNA STRUTTURA 3D. IL VANTAGGIO PRINCIPALE DI QUESTA ARCHITETTURA È QUELLO DI AVERE UN CANALE PORTA ORIZZONTALE DOVE SI INTERFACCIA CON L'OSSIDO DELLA PORTA È BEN CONTROLLATO E RICHIEDE SOLO ATTACCO VERTICALE. Questo REDUCE ULTIME E Semplifical LYTOGRAPHIC etapas che è uno dei principi di BOTELLA FULL PER LA FABRICAZIONE DI MOSFETTI POTENTI BASED IN DIAMANTE._x000D_ nell'UCA crescerà le STRUTTURE HOMOEPITAXIAL il più presto possibile. SARANNO CARATTERIZZATI DA CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPING, TRASPORTO MINORITARIO, DIFETTI PUNTI), TEM (STRUTTURA, SPESSORE DI ESTENSIONE/STRATO, DIFETTI), HALL (MOBILITÀ), ATR E AFM PER POI AVERE UN FEEDBACK SULLE CONDIZIONI DI CRESCITA E SULLE SIMULAZIONI AD ELEMENTI FINITI CHE PREDICONO I CAMPI ELETTRICI NELLA STRUTTURA MOSFET (CALCOLI REALOISED NEL SOTTOPROGETTO 2, CNM-BELLATERRA). L'UCA FUNGERÀ DA FORNITORE DI STRUTTURE HOMOEPITAXIADAS PER IL CNM-BELLATERRA PER ESEGUIRE, CON ADEGUATO CONTROLLO DELLE FASI TECNOLOGICHE, LE STRUTTURE DI PROVA E IL DISPOSITIVO MOSFET. UN FEEDBACK PERMETTERÀ DI REGOLARE IL DESIGN (LIVELLI DI DOPING, SPESSORI/ESTENSIONE STRATO, ECC.). (Italian) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 16 January 2022
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Revision as of 10:58, 16 January 2022
Project Q3138864 in Spain
| Language | Label | Description | Also known as |
|---|---|---|---|
| English | MOSFET 3D ARCHITECTURE MADE IN-SITU BY MPCVD FOR POWER ELECTRONICS |
Project Q3138864 in Spain |
Statements
124,872.0 Euro
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156,090.0 Euro
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80.0 percent
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1 January 2018
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31 December 2020
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UNIVERSIDAD DE CADIZ
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36°31'43.28"N, 6°11'24.79"W
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11028
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EL GRUPO DE LA UNIVERSIDAD DE CADIZ TENDRA SU ACTIVIDAD ORIENTADA EN TRES DIRECCIONES: (I) CRECIMIENTO MPCVD, (II) CARACTERIZACION MEDIANTE TEM, CL, TECNICAS OPTICAS (RAMAN, FTIR, ATR, ELIPSOMETRIA) Y MEDIDAS ELECTRICAS (I/V, C/V, HALL) Y FINALMENTE (III) UNA PEQUEÑA ACTIVIDAD RELACIONADA CON LOS TRATAMIENTO DE TERMINACION DEL DIAMANTE (HIDROGENACION, OXIGENACION, ETC¿)._x000D_ LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO MEDIANTE MPCVD PARA ALCANZAR UN CRECIMIENTO SELECTIVO, ES DECIR EL CRECIMIENTO TANTO EN LA DIRECCION [001] COMO EN LAS DIRECCIONES [010] Y [100], REQUIEREN LA DETERMINACION PRECISA TANTO DE LA PROPORCION DE METANO/HIDROGENO EN EL GAS COMO DE LAS CONDICIONES QUE PERMITEN ALCANZAR UN OPTIMO NIVEL DE DOPADO. EN EL MARCO DE UNA TESIS REALIZADA EN LA UNIVERSIDAD DE CADIZ (UCA) Y FINALIZADA EN 2017, SE HA DESARROLLADO UN METODO (DEPOSICION EN CURSO DE UNA PATENTE) QUE PERMITE CONTROLAR LA DIRECCION CRECIMIENTO HOMOEPITAXIAL: VERTICAL (001) O LATERAL (010) Y (100). PARTIENDO DE ESTOS RESULTADOS, SE DESARROLLA LA IDEA DE UNA NUEVA ARQUITECTURA MOSFET QUE UTLIZA EL CRECIMIENTO LATERAL DE DIAMANTE PARA OBTENER, IN-SITU DE LA MPCVD, UNA ESTRUCTURA 3D. LA PRINCIPAL VENTAJA DE ESTA ARQUITECTURA ES TENER UN CANAL DE PUERTA HORIZONTAL DONDE LA INTERCARA CON EL OXIDO DE PUERTA ESTE BIEN CONTROLADO Y REQUIERA UNICAMENTE EL ATAQUE VERTICAL. ESTO ULTIMO REDUCE Y SIMPLIFICA LAS ETAPAS LITOGRAFICAS QUE ES UNO DE LOS PRINCIPALES CUELLO DE BOTELLA PARA LA FABRICACION DE MOSFETS DE POTENCIA BASADOS EN DIAMANTE._x000D_ EN LA UCA SE CRECERAN LAS ESTRUCTURAS HOMOEPITAXIALES TANTO EN MODO PLANAR QUE LATERAL. SE CARACTERIZARAN MEDIANTE CATHODOLUMINISCENCE/EBIC (DOPADO, TRANSPORTE DE MINORITARIO, DEFECTOS PUNTUALES,¿), TEM (ESTRUCTURA, EXTENSION/ESPESOR DE CAPA, DEFECTOS, ¿), HALL (MOVILIDAD), ATR Y AFM PARA LUEGO TENER UNA RETROALIMENTACION SOBRE LAS CONDICIONES DE CRECIMIENTO Y SOBRE LAS SIMULACIONES DE ELEMENTO FINITO QUE PREDICEN LOS CAMPOS ELECTRICOS EN LA ESTRUCTURA DEL MOSFET (CALCULOS REALOIZADOS EN EL SUBPROYECTO 2, CNM-BELLATERRA). LA UCA EJERCERA DE SUMINISTRADOR DE ESTRUCTURAS HOMOEPITAXIADAS PARA EL CNM-BELLATERRA QUE REALIZARA, CON UN CONTROL ADECUADO DE LOS PASOS TECNOLOGICOS, LAS ESTRUCTURAS TEST Y EL DISPOSITIVO MOSFET. UNA RETROALIMENTACION PERMITIRA REAJUSTAR EL DISEÑO (NIVELES DE DOPADO, ESPESORES/EXTENSION DE CAPAS, ETC¿.). (Spanish)
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THE GROUP OF THE UNIVERSITY OF CADIZ WILL HAVE ITS ACTIVITY ORIENTED IN THREE DIRECTIONS: (I) MPCVD GROWTH, (II) CHARACTERIZATION USING TEM, CL, OPTICAL TECHNIQUES AND ELECTRICAL MEASUREMENTS AND FINALLY (III) A SMALL ACTIVITY RELATED TO THE DIAMOND-TERMINATION TREATMENTS (HYDROGENATION, OXYGENATION, ETC ...)._x000D_ GROWTH CONDITIONS BY MPCVD TO ACHIEVE SELECTIVE GROWTH, I.E. EITHER GROWTH IN DIRECTION [001] OR IN DIRECTIONS [010] AND [100], REQUIRE THE PRECISE DETERMINATION OF THE METHANE / HYDROGEN RATIO IN THE GAS, AS WELL AS THE CONDITIONS THAT ALLOW AN OPTIMAL LEVEL OF DOPING. IN THE FRAMEWORK OF A THESIS CARRIED OUT AT THE UNIVERSITY OF CADIZ (UCA), A METHOD HAS BEEN DEVELOPED (WITH PATENT DEPOSITION) THAT ALLOWS TO CONTROL THE HOMOEPITAXIAL GROWTH DIRECTION: VERTICAL (001) OR LATERAL (010) AND (100). THESE RESULTS BOOST THE IDEA OF A NEW MOSFET ARCHITECTURE BASED ON THE NEWLY DEVELOPED DIAMOND LATERAL/SELECTIVE GROWTH (PATENTED DEPOSITION IN PROGRESS). THE MAIN ADVANTAGE OF THIS ARCHITECTURE IS TO HAVE A HORIZONTAL ORIENTED CHANNEL WHERE THE INTERFACE WITH THE OXIDE IS WELL CONTROLLED AND REQUIRES ONLY VERTICAL ETCHINGS. THE LATTER REDUCES AND SIMPLIFIES THE LITHOGRAPHIC STAGES WHICH IS THE MAIN BOTTLENECK FOR THE MANUFACTURE OF DIAMOND-BASED POWER MOSFETS._x000D_ IN THE UCA WILL GROW THE HOMOEPITAXIAL STRUCTURES IN BOTH PLANAR AND LATERAL MODE. THEY WILL BE CHARACTERIZED BY CATHODOLUMINISCENCE / EBIC (DOPING, MINORITY TRANSPORT, POINT DEFECTS, ...), TEM (STRUCTURE, EXTENSION / LAYER THICKNESS, DEFECTS, ...), HALL (MOBILITY), ATR Y AFM TO LATER HAVE A FEEDBACK ON THE CONDITIONS OF GROWTH AND ON THE FINITE ELEMENT SIMULATIONS THAT PREDICT THE ELECTRIC FIELDS IN THE MOSFET STRUCTURE (CALCULATIONS ACHIEVED IN SUBPROJECT 2, CNM-BELLATERRA). THE UCA WILL BE THE SUPPLIER OF THE HOMOEPITAXIAL STRUCTURES FOR THE CNM-BELLATERRA THAT WILL FURTHER CARRY OUT, WITH ADEQUATE CONTROL OF THE TECHNOLOGICAL STEPS, THE TEST STRUCTURES AND THE MOSFET DEVICE. A FEEDBACK WILL ALLOW TO READJUST THE DESIGN (DOPING LEVELS, THICKNESSES / LAYERS EXTENSION, ETC ...). (English)
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LE GROUPE DE L’UNIVERSITÉ DE CADIZ AURA SES ACTIVITÉS DANS TROIS DIRECTIONS: (I) DÉVELOPPEMENT DES MEVAUX, (II) MATIÈRE DE CHARACTERISATION MATIÈRE, CL, Technique OPTICALE (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) ET MESURES Électriques (I/V, C/V, HALL) ET FINALENT (III) Une petite ACTIVITÉ RELÉE AVEC LA TERMINATION DE DIAMINATION (HIDROGENACION, oxygénation, ETC)._x000D_ Medient GROWTH CONDITIONS MPCVD pour réaliser une GRANDE SELECTIVE, est de DÉCÉCTION LES QUESTIONS EN DISCTION [001] DANS LES DIRECCIONS [010] ET [100], elles exigent la DÉTERMINATION PRIX DE METANO/HYDROGEN disposition DANS LE GAS AS CONDITIONS permettant un NIVEAU POTIMO DE Dopage. DANS LE CADRE D’UNE THÈSE RÉALISÉE À L’UNIVERSITÉ DE CADIX (UCA) ET ACHEVÉE EN 2017, UNE MÉTHODE (DÉPÔT EN COURS D’UN BREVET) A ÉTÉ DÉVELOPPÉE POUR CONTRÔLER LA DIRECTION DE LA CROISSANCE HOMOEPITAXIE: VERTICALE (001) OU LATÉRALE (010) ET (100). SUR LA BASE DE CES RÉSULTATS, NOUS DÉVELOPPONS L’IDÉE D’UNE NOUVELLE ARCHITECTURE MOSFET QUI UTILISE LA CROISSANCE LATÉRALE DU DIAMANT POUR OBTENIR, IN SITU À PARTIR DU MPCVD, UNE STRUCTURE 3D. LE PRINCIPAL AVANTAGE DE CETTE ARCHITECTURE EST D’AVOIR UN CANAL DE PORTE HORIZONTAL OÙ IL S’INTERFACE AVEC L’OXYDE DE PORTE EST BIEN CONTRÔLÉ ET NE NÉCESSITE QUE DES ATTAQUES VERTICALES. Ce REDUCE ULTIME et simplificatif LYTOGRAPHIQUE ETAPAS EST UN DES PRINCIPES DE BOTELLA COMPLET POUR LA FABRICATION DES MOSFETS POTENTS BASED EN DIAMANTE._x000D_ dans l’UCA développera des STRUCTURES HOMOÉPITAXELLES dès que possible. ILS SERONT CARACTÉRISÉS PAR CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPAGE, TRANSPORT MINORITAIRE, DÉFAUTS DE POINTS), TEM (STRUCTURE, EXTENSION/ÉPAISSEUR DE COUCHE, DÉFAUTS), HALL (MOBILITÉ), ATR ET AFM POUR ENSUITE AVOIR UNE RÉTROACTION SUR LES CONDITIONS DE CROISSANCE ET SUR LES SIMULATIONS D’ÉLÉMENTS FINIS QUI PRÉDISENT LES CHAMPS ÉLECTRIQUES DANS LA STRUCTURE MOSFET (CALCULS REALOISÉS DANS LE SOUS-PROJET 2, CNM-BELLATERRA). L’UCA AGIRA EN TANT QUE FOURNISSEUR DE STRUCTURES HOMOEPITAXIADAS POUR QUE LE CNM-BELLATERRA EXÉCUTE, AVEC UN CONTRÔLE ADÉQUAT DES ÉTAPES TECHNOLOGIQUES, LES STRUCTURES D’ESSAI ET LE DISPOSITIF MOSFET. UN RETOUR D’INFORMATION PERMETTRA DE RÉAJUSTER LA CONCEPTION (NIVEAUX DE DOPAGE, ÉPAISSEURS/EXTENSION DE COUCHE, ETC.). (French)
2 December 2021
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DIE GRUPPE DER CADIZ UNIVERSITY WIRD IHRE TÄTIGKEIT IN DREI RICHTUNGEN RICHTEN: (I) GROWING MPCVD, (II) Mediant CHARACTERISATION TEM, CL, OPTICAL Technicals (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) UND Electrial MEASURES (I/V, C/V, HALL) UND FINALENT (III) Eine kleine AKTIVITÄT, die mit der DIAMINATION TERMINATION (HIDROGENACION), Oxidation, ETC)._x000D_ Medient GROWTH CONDITIONS MPCVD zur Erreichung eines SELECTIVE GROWTH, ist es, die QUESTIONEN IN DIRECCIONS [001] AS IN DIRECCIONS [010] UND [100] zu entschärfen. IM RAHMEN EINER DISSERTATION, DIE AN DER UNIVERSITÄT CADIZ (UCA) DURCHGEFÜHRT UND IM JAHR 2017 ABGESCHLOSSEN WURDE, WURDE EINE METHODE (LAUFENDE HINTERLEGUNG EINES PATENTS) ENTWICKELT, UM DIE RICHTUNG DES HOMOEPITAXIAL-WACHSTUMS ZU STEUERN: VERTIKAL (001) ODER SEITLICH (010) UND (100). BASIEREND AUF DIESEN ERGEBNISSEN ENTWICKELN WIR DIE IDEE EINER NEUEN MOSFET-ARCHITEKTUR, DIE DAS SEITLICHE WACHSTUM VON DIAMANTEN NUTZT, UM IN-SITU AUS DEM MPCVD EINE 3D-STRUKTUR ZU ERHALTEN. DER HAUPTVORTEIL DIESER ARCHITEKTUR BESTEHT DARIN, EINEN HORIZONTALEN TÜRKANAL ZU HABEN, WO ER MIT DEM TÜROXID GUT GESTEUERT IST UND NUR VERTIKALE ANGRIFFE ERFORDERT. Diese ULTIME REDUCE und vereinfachte die LYTOGRAPHIC etapas, dass es eine der PRINCIPLES DER BOTELLA FULL für die FABRICATION der POTENT MOSFETS BASED IN DIAMANTE ist._x000D_ in der UCA wird HOMOEPITAXIAL STRUCTURES so schnell wie möglich wachsen. SIE ZEICHNEN SICH DURCH CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPING, MINOR TRANSPORT, PUNKTDEFEKTE), TEM (STRUKTUR, ERWEITERUNG/LAYERDICKE, DEFEKTE), HALLE (MOBILITÄT), ATR UND AFM AUS, UM DANN EIN FEEDBACK ZU DEN WACHSTUMSBEDINGUNGEN UND ZU DEN ENDLICHEN ELEMENTSSIMULATIONEN ZU ERHALTEN, DIE DIE ELEKTRISCHEN FELDER IN DER MOSFET-STRUKTUR VORHERSAGEN (BERECHNUNGEN REALOISED IM TEILPROJEKT 2, CNM-BELLATERRA). DIE UCA WIRD ALS LIEFERANT VON HOMOEPITAXIADAS-STRUKTUREN FÜR DIE CNM-BELLATERRA TÄTIG SEIN, UM MIT ANGEMESSENER KONTROLLE DER TECHNOLOGISCHEN SCHRITTE, DER TESTSTRUKTUREN UND DES MOSFET-GERÄTS ZU ARBEITEN. EIN FEEDBACK ERMÖGLICHT DIE ANPASSUNG DES DESIGNS (DOPINGPEGEL, DICKEN/LAYERVERLÄNGERUNG USW.). (German)
9 December 2021
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DE CADIZ UNIVERSITY GROEP ZAL HAAR ACTIVITEIT GERICHT HEBBEN IN DRIE RICHTINGEN: (I) GROWING MPCVD, (II) mediant CHARACTERISATIE TEM, CL, OPTICAL technicals (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) EN ELECTIËLE MEASURES (I/V, C/V, HALL) EN FINALENT (III) Een kleine ACTIVITEIT MET DIAMINATION TERMINATION (HIDROGENACION, Oxygenation, ETC)._x000D_ Medient GROWTH CONDITIONS MPCVD om een SELECTIVE GROWTH te bereiken, is om de Vragen in direcction [001] AS IN DIRECCIONS [010] EN [100] te VERWIJZEN DE PRIJSDE DETERMINATION VAN Metano/HYDROGEN-bepaling in de GAS AS CONDITIONS die een POTIMO LEVEL van Doping toestaan. IN HET KADER VAN EEN PROEFSCHRIFT UITGEVOERD AAN DE UNIVERSITEIT VAN CADIZ (UCA) EN VOLTOOID IN 2017, IS EEN METHODE (LOPENDE STORTING VAN EEN OCTROOI) ONTWIKKELD OM DE RICHTING VAN HOMOEPITAXIAL GROEI TE CONTROLEREN: VERTICAAL (001) OF LATERAAL (010) EN (100). OP BASIS VAN DEZE RESULTATEN ONTWIKKELEN WE HET IDEE VAN EEN NIEUWE MOSFET-ARCHITECTUUR DIE DE LATERALE GROEI VAN DIAMANT GEBRUIKT OM IN-SITU VAN DE MPCVD EEN 3D-STRUCTUUR TE VERKRIJGEN. HET BELANGRIJKSTE VOORDEEL VAN DEZE ARCHITECTUUR IS OM EEN HORIZONTAAL DEURKANAAL WAAR HET INTERFACES MET DE DEUR OXIDE IS GOED GECONTROLEERD EN VEREIST ALLEEN VERTICALE AANVAL. Deze ULTIME REDUCE EN simplifical de LYTOGRAPHIC etapas DAT IS ONE VAN DE PRINCIPLES VAN BOTELLA FULL VOOR DE FABRICATIE VAN POTENTIE MOSFETS BASED IN DIAMANTE._x000D_ in de UCA zal zo spoedig mogelijk HOMOEPITAXIAL STRUCTURES groeien. ZE ZULLEN WORDEN GEKENMERKT DOOR CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPING, MINDERHEIDSVERVOER, PUNTAFWIJKINGEN), TEM (STRUCTUUR, UITBREIDING/LAAGDIKTE, DEFECTEN), HAL (MOBILITEIT), ATR EN AFM OM VERVOLGENS FEEDBACK TE KRIJGEN OVER DE GROEIOMSTANDIGHEDEN EN OVER DE EINDIGE ELEMENTSIMULATIES DIE DE ELEKTRISCHE VELDEN IN DE MOSFET-STRUCTUUR VOORSPELLEN (BEREKENINGEN DIE IN SUBPROJECT 2, CNM-BELLATERRA, WORDEN UITGEVOERD). DE UCA ZAL OPTREDEN ALS LEVERANCIER VAN HOMOEPITAXIADAS STRUCTUREN VOOR DE CNM-BELLATERRA OM, MET ADEQUATE CONTROLE VAN DE TECHNOLOGISCHE STAPPEN, DE TESTSTRUCTUREN EN HET MOSFET-APPARAAT UIT TE VOEREN. EEN FEEDBACK ZAL HET MOGELIJK MAKEN OM HET ONTWERP (DOPING NIVEAUS, DIKTES/LAAGVERLENGING, ENZ.) BIJ TE STELLEN. (Dutch)
17 December 2021
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IL GRUPPO DELL'UNIVERSITÀ DI CADICE AVRÀ LA SUA ATTIVITÀ ORIENTATA IN TRE DIREZIONI: (I) GROWING MPCVD, (II) CARATTERISATION TEM, CL, OPTICAL technicals (RAMAN, FTIR, ATR, Elipsometria) and Electrial MEASURES (I/V, C/V, HALL) E FINALENT (III) Una piccola attività RELATED CON TERMINAZIONE DIAMINAZIONE (HIDROGENACION, L'ossigenazione, ETC)._x000D_ CONDIZIONI Medient GROWTH MPCVD per raggiungere una GROWTH SELECTIVE, è a DECECTIONE LE QUESTIONI IN DIRETTAZIONE [001] COME DIRECCONI [010] E [100], richiedono il PREZZO DETERMINAZIONE DEL Metano/HYDROGEN disposizione NEL GAS come CONDIZIONI che permettono un POTIMO LEVEL DI Doping. NELL'AMBITO DI UNA TESI CONDOTTA PRESSO L'UNIVERSITÀ DI CADICE (UCA) E COMPLETATA NEL 2017, È STATO SVILUPPATO UN METODO (DEPOSITO IN CORSO DI BREVETTO) PER CONTROLLARE LA DIREZIONE DELLA CRESCITA DI HOMOEPITAXIAL: VERTICALE (001) O LATERALE (010) E (100). SULLA BASE DI QUESTI RISULTATI, SVILUPPIAMO L'IDEA DI UNA NUOVA ARCHITETTURA MOSFET CHE UTILIZZA LA CRESCITA LATERALE DEL DIAMANTE PER OTTENERE, IN SITU DALL'MPCVD, UNA STRUTTURA 3D. IL VANTAGGIO PRINCIPALE DI QUESTA ARCHITETTURA È QUELLO DI AVERE UN CANALE PORTA ORIZZONTALE DOVE SI INTERFACCIA CON L'OSSIDO DELLA PORTA È BEN CONTROLLATO E RICHIEDE SOLO ATTACCO VERTICALE. Questo REDUCE ULTIME E Semplifical LYTOGRAPHIC etapas che è uno dei principi di BOTELLA FULL PER LA FABRICAZIONE DI MOSFETTI POTENTI BASED IN DIAMANTE._x000D_ nell'UCA crescerà le STRUTTURE HOMOEPITAXIAL il più presto possibile. SARANNO CARATTERIZZATI DA CATHODOLUMINISCE/EBIC (DOPING, TRASPORTO MINORITARIO, DIFETTI PUNTI), TEM (STRUTTURA, SPESSORE DI ESTENSIONE/STRATO, DIFETTI), HALL (MOBILITÀ), ATR E AFM PER POI AVERE UN FEEDBACK SULLE CONDIZIONI DI CRESCITA E SULLE SIMULAZIONI AD ELEMENTI FINITI CHE PREDICONO I CAMPI ELETTRICI NELLA STRUTTURA MOSFET (CALCOLI REALOISED NEL SOTTOPROGETTO 2, CNM-BELLATERRA). L'UCA FUNGERÀ DA FORNITORE DI STRUTTURE HOMOEPITAXIADAS PER IL CNM-BELLATERRA PER ESEGUIRE, CON ADEGUATO CONTROLLO DELLE FASI TECNOLOGICHE, LE STRUTTURE DI PROVA E IL DISPOSITIVO MOSFET. UN FEEDBACK PERMETTERÀ DI REGOLARE IL DESIGN (LIVELLI DI DOPING, SPESSORI/ESTENSIONE STRATO, ECC.). (Italian)
16 January 2022
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Puerto Real
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Identifiers
TEC2017-86347-C2-1-R
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