Immersion high-temperature detector with InAsSb medium infrared range (Q84036): Difference between revisions
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(Created claim: summary (P836): Le projet de recherche proposé s’inscrit dans le prolongement de la recherche menée au Département de physique du corps solide WAT en coopération avec VIGO System dans le domaine de la conception de détecteurs infrarouges fonctionnant à des températures proches de la température ambiante avec des paramètres de détection nettement meilleurs, une fiabilité et une résistance accrues à l’exposition environnementale, et surtout une réduction des coût...) |
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Tauchhochtemperatur-Detektor mit InAsSb mittlerer Infrarotbereich | |||||||||||||||
| Property / summary | |||||||||||||||
Das vorgeschlagene Forschungsprojekt ist eine Fortsetzung der Forschung an der Abteilung für Festkörperphysik WAT in Zusammenarbeit mit VIGO System im Bereich der Konstruktion von Infrarot-Detektoren arbeiten bei Temperaturen in der Nähe von Raumtemperaturen mit viel besseren Nachweisparametern, erhöhte Zuverlässigkeit und Beständigkeit gegen Umweltexposition und vor allem niedrigere Produktionskosten. HgCdTe ist nach wie vor das dominierende Material für den Bau von Hochtemperatur-Infrarot-Detektoren. Dennoch setzt die geltende Richtlinie der Europäischen Union die Beseitigung von Quecksilberverbindungen in der industriellen Produktion durch. Aufgrund der beherrschenden Stellung von HgCdTe als strategisches Material für die Herstellung von Infrarot-Detektoren und fehlendem alternativem Material wird sie jedoch nicht vollständig durchgesetzt. Jüngste Studien zeigen, dass InAsSb ein Material mit Parametern ist, die mit HgCdTe vergleichbar sind, aber gleichzeitig technologisch stabiler sind. InAsSb-Detektoren können dort eingesetzt werden, wo es notwendig ist, unter anderem eine höhere Beständigkeit gegen schwierige Betriebsbedingungen und eine hohe Homogenität der Parameter von Multi-Element-Detektoren zu gewährleisten. Vor diesem Hintergrund besteht das Hauptziel des Projekts darin, photoelektrische Phänomene im Zusammenhang mit der Strahlendetektion in den durch die MBE-Methode gewonnenen Strukturen von InAsSb zu erfahren und Forschungsarbeiten zur Definition und Entwicklung von Technologien für die Herstellung von Immersion-Infrarot-Mediumwellendetektoren auf ihrer Basis durchzuführen, die nahe an den grundlegenden Grenzen liegen und durch Zuverlässigkeit und Beständigkeit gegen Umweltexposition gekennzeichnet sind. Wir glauben, dass die durchgeführte Forschung dazu beitragen wird, die weltweit erkennbare Position unserer Gruppe in d zu erhalten. (German) | |||||||||||||||
| Property / summary: Das vorgeschlagene Forschungsprojekt ist eine Fortsetzung der Forschung an der Abteilung für Festkörperphysik WAT in Zusammenarbeit mit VIGO System im Bereich der Konstruktion von Infrarot-Detektoren arbeiten bei Temperaturen in der Nähe von Raumtemperaturen mit viel besseren Nachweisparametern, erhöhte Zuverlässigkeit und Beständigkeit gegen Umweltexposition und vor allem niedrigere Produktionskosten. HgCdTe ist nach wie vor das dominierende Material für den Bau von Hochtemperatur-Infrarot-Detektoren. Dennoch setzt die geltende Richtlinie der Europäischen Union die Beseitigung von Quecksilberverbindungen in der industriellen Produktion durch. Aufgrund der beherrschenden Stellung von HgCdTe als strategisches Material für die Herstellung von Infrarot-Detektoren und fehlendem alternativem Material wird sie jedoch nicht vollständig durchgesetzt. Jüngste Studien zeigen, dass InAsSb ein Material mit Parametern ist, die mit HgCdTe vergleichbar sind, aber gleichzeitig technologisch stabiler sind. InAsSb-Detektoren können dort eingesetzt werden, wo es notwendig ist, unter anderem eine höhere Beständigkeit gegen schwierige Betriebsbedingungen und eine hohe Homogenität der Parameter von Multi-Element-Detektoren zu gewährleisten. Vor diesem Hintergrund besteht das Hauptziel des Projekts darin, photoelektrische Phänomene im Zusammenhang mit der Strahlendetektion in den durch die MBE-Methode gewonnenen Strukturen von InAsSb zu erfahren und Forschungsarbeiten zur Definition und Entwicklung von Technologien für die Herstellung von Immersion-Infrarot-Mediumwellendetektoren auf ihrer Basis durchzuführen, die nahe an den grundlegenden Grenzen liegen und durch Zuverlässigkeit und Beständigkeit gegen Umweltexposition gekennzeichnet sind. Wir glauben, dass die durchgeführte Forschung dazu beitragen wird, die weltweit erkennbare Position unserer Gruppe in d zu erhalten. (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
| Property / summary: Das vorgeschlagene Forschungsprojekt ist eine Fortsetzung der Forschung an der Abteilung für Festkörperphysik WAT in Zusammenarbeit mit VIGO System im Bereich der Konstruktion von Infrarot-Detektoren arbeiten bei Temperaturen in der Nähe von Raumtemperaturen mit viel besseren Nachweisparametern, erhöhte Zuverlässigkeit und Beständigkeit gegen Umweltexposition und vor allem niedrigere Produktionskosten. HgCdTe ist nach wie vor das dominierende Material für den Bau von Hochtemperatur-Infrarot-Detektoren. Dennoch setzt die geltende Richtlinie der Europäischen Union die Beseitigung von Quecksilberverbindungen in der industriellen Produktion durch. Aufgrund der beherrschenden Stellung von HgCdTe als strategisches Material für die Herstellung von Infrarot-Detektoren und fehlendem alternativem Material wird sie jedoch nicht vollständig durchgesetzt. Jüngste Studien zeigen, dass InAsSb ein Material mit Parametern ist, die mit HgCdTe vergleichbar sind, aber gleichzeitig technologisch stabiler sind. InAsSb-Detektoren können dort eingesetzt werden, wo es notwendig ist, unter anderem eine höhere Beständigkeit gegen schwierige Betriebsbedingungen und eine hohe Homogenität der Parameter von Multi-Element-Detektoren zu gewährleisten. Vor diesem Hintergrund besteht das Hauptziel des Projekts darin, photoelektrische Phänomene im Zusammenhang mit der Strahlendetektion in den durch die MBE-Methode gewonnenen Strukturen von InAsSb zu erfahren und Forschungsarbeiten zur Definition und Entwicklung von Technologien für die Herstellung von Immersion-Infrarot-Mediumwellendetektoren auf ihrer Basis durchzuführen, die nahe an den grundlegenden Grenzen liegen und durch Zuverlässigkeit und Beständigkeit gegen Umweltexposition gekennzeichnet sind. Wir glauben, dass die durchgeführte Forschung dazu beitragen wird, die weltweit erkennbare Position unserer Gruppe in d zu erhalten. (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 7 December 2021
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Revision as of 09:14, 7 December 2021
Project Q84036 in Poland
| Language | Label | Description | Also known as |
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| English | Immersion high-temperature detector with InAsSb medium infrared range |
Project Q84036 in Poland |
Statements
1,693,929.38 zloty
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2,079,318.75 zloty
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81.47 percent
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2 January 2017
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31 December 2018
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WOJSKOWA AKADEMIA TECHNICZNA
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Proponowany projekt badawczy jest kontynuacją badań prowadzonych w Zakładzie Fizyki Ciała Stałego WAT we współpracy z firmą VIGO System w zakresie konstrukcji detektorów podczerwieni pracujących w temperaturach bliskich temperaturze pokojowej o znacznie lepszych parametrach detekcyjnych, podwyższonej niezawodności i odporności na narażenia środowiskowe, i co najważniejsze niższych kosztach produkcji. Ciągle dominującym materiałem stosowanym do konstrukcji wysokotemperaturowych detektorów podczerwieni jest HgCdTe. Niemniej jednak, obecnie obowiązująca dyrektywa Unii Europejskiej wymusza wyeliminowanie związków rtęci w produkcji przemysłowej. Nie jest ona jednak w pełni egzekwowana ze względu na dominującą pozycję HgCdTe jako materiału strategicznego do produkcji detektorów podczerwieni, jak również ze względu na brak materiału alternatywnego. Ostatnie badania pokazują, że InAsSb jest materiałem o parametrach porównywalnych do HgCdTe, jednocześnie bardziej stabilnym technologicznie. Detektory z InAsSb będzie można stosować tam, gdzie konieczne jest zapewnienie m.in. wyższej odporności na trudne warunki eksploatacyjne i wysokiej jednorodności parametrów detektorów wieloelementowych. Biorąc powyższe pod uwagę, głównym celem projektu jest poznanie zjawisk fotoelektrycznych towarzyszących detekcji promieniowania w strukturach z InAsSb otrzymywanych metodą MBE oraz przeprowadzenie prac badawczych w zakresie określenia konstrukcji i opracowania technologii wytwarzania na ich bazie immersyjnych detektorów średniofalowego promieniowania podczerwonego osiągających wykrywalność bliską fundamentalnych granic oraz charakteryzujących niezawodnością i odpornością na narażenia środowiskowe. Wierzymy, że podjęte prace badawcze przyczynią się do utrzymania rozpoznawalnej na świecie pozycji naszej grupy w d (Polish)
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The proposed research project is a continuation of research carried out at the Department of Permanent Body Physics WAT in cooperation with VIGO System in the field of construction of infrared detectors operating at temperatures close to room temperature with much better detection parameters, increased reliability and resistance to environmental exposure, and, most importantly, lower production costs. HgCdTe is still the dominant material used for the construction of high-temperature infrared detectors. However, the current European Union Directive requires the elimination of mercury compounds in industrial production. However, it is not fully enforced due to HgCdTe’s dominant position as a strategic material for the production of infrared detectors, as well as the lack of alternative material. Recent studies have shown that InAsSb is a material with parameters comparable to HgCdTe, at the same time more technologically stable. InAsSb detectors can be used where it is necessary to ensure, inter alia, higher resistance to difficult operating conditions and high homogeneity of multi-element detector parameters. Taking this into account, the main objective of the project is to explore the photoelectric phenomena associated with the detection of radiation in the structures of InAsSb obtained by the MBE method, and to carry out research on the design and development of technologies based on their immersive infrared medium-wave detectors achieving detection close to fundamental limits and characterised by reliability and resistance to environmental exposures. We believe that the research undertaken will contribute to maintaining the world’s recognizable position of our group in d (English)
14 October 2020
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Le projet de recherche proposé s’inscrit dans le prolongement de la recherche menée au Département de physique du corps solide WAT en coopération avec VIGO System dans le domaine de la conception de détecteurs infrarouges fonctionnant à des températures proches de la température ambiante avec des paramètres de détection nettement meilleurs, une fiabilité et une résistance accrues à l’exposition environnementale, et surtout une réduction des coûts de production. Le HgCdTe reste le matériau dominant utilisé pour la construction de détecteurs infrarouges à haute température. Néanmoins, la directive actuelle de l’Union européenne impose l’élimination des composés du mercure dans la production industrielle. Toutefois, elle n’est pas pleinement appliquée en raison de la position dominante de HgCdTe en tant que matériau stratégique pour la production de détecteurs infrarouges, ainsi que de l’absence de matériel alternatif. Des études récentes montrent que l’InAsSb est un matériau dont les paramètres sont comparables au HgCdTe, mais en même temps plus stable sur le plan technologique. Des détecteurs InAsSb peuvent être utilisés lorsqu’il est nécessaire d’assurer, entre autres, une plus grande résistance aux conditions de fonctionnement difficiles et une grande homogénéité des paramètres des détecteurs à éléments multiples. Compte tenu de ce qui précède, l’objectif principal du projet est d’en apprendre davantage sur les phénomènes photoélectriques associés à la détection des radiations dans les structures de l’InAsSb obtenue par la méthode MBE et d’effectuer des travaux de recherche sur la définition de la conception et du développement de technologies pour la production de détecteurs d’ondes moyennes infrarouges par immersion sur leur base, atteignant des détections proches des limites fondamentales et caractérisées par la fiabilité et la résistance à l’exposition environnementale. Nous croyons que les recherches entreprises contribueront à maintenir la position mondialement reconnaissable de notre groupe en d (French)
30 November 2021
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Das vorgeschlagene Forschungsprojekt ist eine Fortsetzung der Forschung an der Abteilung für Festkörperphysik WAT in Zusammenarbeit mit VIGO System im Bereich der Konstruktion von Infrarot-Detektoren arbeiten bei Temperaturen in der Nähe von Raumtemperaturen mit viel besseren Nachweisparametern, erhöhte Zuverlässigkeit und Beständigkeit gegen Umweltexposition und vor allem niedrigere Produktionskosten. HgCdTe ist nach wie vor das dominierende Material für den Bau von Hochtemperatur-Infrarot-Detektoren. Dennoch setzt die geltende Richtlinie der Europäischen Union die Beseitigung von Quecksilberverbindungen in der industriellen Produktion durch. Aufgrund der beherrschenden Stellung von HgCdTe als strategisches Material für die Herstellung von Infrarot-Detektoren und fehlendem alternativem Material wird sie jedoch nicht vollständig durchgesetzt. Jüngste Studien zeigen, dass InAsSb ein Material mit Parametern ist, die mit HgCdTe vergleichbar sind, aber gleichzeitig technologisch stabiler sind. InAsSb-Detektoren können dort eingesetzt werden, wo es notwendig ist, unter anderem eine höhere Beständigkeit gegen schwierige Betriebsbedingungen und eine hohe Homogenität der Parameter von Multi-Element-Detektoren zu gewährleisten. Vor diesem Hintergrund besteht das Hauptziel des Projekts darin, photoelektrische Phänomene im Zusammenhang mit der Strahlendetektion in den durch die MBE-Methode gewonnenen Strukturen von InAsSb zu erfahren und Forschungsarbeiten zur Definition und Entwicklung von Technologien für die Herstellung von Immersion-Infrarot-Mediumwellendetektoren auf ihrer Basis durchzuführen, die nahe an den grundlegenden Grenzen liegen und durch Zuverlässigkeit und Beständigkeit gegen Umweltexposition gekennzeichnet sind. Wir glauben, dass die durchgeführte Forschung dazu beitragen wird, die weltweit erkennbare Position unserer Gruppe in d zu erhalten. (German)
7 December 2021
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Identifiers
POIR.04.01.04-00-0027/16
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