2018 — CEAT Tech — AAP GRAINE — TOPGAN (Q3683049): Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
(Removed claim: summary (P836): L‚émergence des composants à grand gap en Nitrure de Gallium (GaN) parmi la famille des composants de puissance (Silicium, SiC) laisse entrevoir des perspectives applicatives jusqu‘ici non atteignables. Cependant, l’introduction de tels composants dans les systèmes de conversion implique une nouvelle approche dans la concept système, permettant ainsi de tirer pleinement profit du potentiel de ces composants. Ainsi, l‚approche du projet TOPGAN...) |
(Created claim: summary (P836): Die Entstehung von Galliumnitrid (GaN) großen Gap-Komponenten aus der Leistungskomponentenfamilie (Silicium, SiC) lässt bisher unerreichbare Anwendungsperspektiven erkennen. Die Einführung solcher Komponenten in Umwandlungssysteme erfordert jedoch einen neuen Ansatz bei der Systemgestaltung, um das Potenzial dieser Komponenten voll auszuschöpfen. Der Ansatz des TOPGAN-Projekts beruht auf einem anwendungsorientierten Konzept, bei dem verschiedene...) |
||||||||||||||
Property / summary | |||||||||||||||
Die Entstehung von Galliumnitrid (GaN) großen Gap-Komponenten aus der Leistungskomponentenfamilie (Silicium, SiC) lässt bisher unerreichbare Anwendungsperspektiven erkennen. Die Einführung solcher Komponenten in Umwandlungssysteme erfordert jedoch einen neuen Ansatz bei der Systemgestaltung, um das Potenzial dieser Komponenten voll auszuschöpfen. Der Ansatz des TOPGAN-Projekts beruht auf einem anwendungsorientierten Konzept, bei dem verschiedene Optionen für die Bewältigung der wichtigsten technischen und wissenschaftlichen Herausforderungen geprüft werden. Letztlich ist es das Ziel, den Mehrwert von EXAGAN-Komponenten in Systemen zu erforschen und zu demonstrieren, die die Anwendungen von heute und morgen adressieren. So werden im Projekt vier Anwendungen behandelt: ein PFC-Konverter für Industrie- und Automobilanwendungen, eine leistungsstarke Schaltzelle durch die Parallelschaltung von Komponenten, ein LLC-Hochfrequenz-Konverter und eine Rechenzentrumsversorgung, die jeweils Demos oder Prototypen mit Komponenten von EXAGAN hervorbringen. Bei dem Projekt handelt es sich um die Anfangsphase des Aufbaus eines Anwendungszentrums für Leistungselektronik in Toulouse/Labège. Die Unterstützung der Region durch das GRAINE-Programm wird es ermöglichen, diese ehrgeizige Dynamik in diesem Bereich in Gang zu setzen, die eine Annäherung der touluanischen und grenobischen Ökosysteme ermöglicht. (German) | |||||||||||||||
Property / summary: Die Entstehung von Galliumnitrid (GaN) großen Gap-Komponenten aus der Leistungskomponentenfamilie (Silicium, SiC) lässt bisher unerreichbare Anwendungsperspektiven erkennen. Die Einführung solcher Komponenten in Umwandlungssysteme erfordert jedoch einen neuen Ansatz bei der Systemgestaltung, um das Potenzial dieser Komponenten voll auszuschöpfen. Der Ansatz des TOPGAN-Projekts beruht auf einem anwendungsorientierten Konzept, bei dem verschiedene Optionen für die Bewältigung der wichtigsten technischen und wissenschaftlichen Herausforderungen geprüft werden. Letztlich ist es das Ziel, den Mehrwert von EXAGAN-Komponenten in Systemen zu erforschen und zu demonstrieren, die die Anwendungen von heute und morgen adressieren. So werden im Projekt vier Anwendungen behandelt: ein PFC-Konverter für Industrie- und Automobilanwendungen, eine leistungsstarke Schaltzelle durch die Parallelschaltung von Komponenten, ein LLC-Hochfrequenz-Konverter und eine Rechenzentrumsversorgung, die jeweils Demos oder Prototypen mit Komponenten von EXAGAN hervorbringen. Bei dem Projekt handelt es sich um die Anfangsphase des Aufbaus eines Anwendungszentrums für Leistungselektronik in Toulouse/Labège. Die Unterstützung der Region durch das GRAINE-Programm wird es ermöglichen, diese ehrgeizige Dynamik in diesem Bereich in Gang zu setzen, die eine Annäherung der touluanischen und grenobischen Ökosysteme ermöglicht. (German) / rank | |||||||||||||||
Normal rank | |||||||||||||||
Property / summary: Die Entstehung von Galliumnitrid (GaN) großen Gap-Komponenten aus der Leistungskomponentenfamilie (Silicium, SiC) lässt bisher unerreichbare Anwendungsperspektiven erkennen. Die Einführung solcher Komponenten in Umwandlungssysteme erfordert jedoch einen neuen Ansatz bei der Systemgestaltung, um das Potenzial dieser Komponenten voll auszuschöpfen. Der Ansatz des TOPGAN-Projekts beruht auf einem anwendungsorientierten Konzept, bei dem verschiedene Optionen für die Bewältigung der wichtigsten technischen und wissenschaftlichen Herausforderungen geprüft werden. Letztlich ist es das Ziel, den Mehrwert von EXAGAN-Komponenten in Systemen zu erforschen und zu demonstrieren, die die Anwendungen von heute und morgen adressieren. So werden im Projekt vier Anwendungen behandelt: ein PFC-Konverter für Industrie- und Automobilanwendungen, eine leistungsstarke Schaltzelle durch die Parallelschaltung von Komponenten, ein LLC-Hochfrequenz-Konverter und eine Rechenzentrumsversorgung, die jeweils Demos oder Prototypen mit Komponenten von EXAGAN hervorbringen. Bei dem Projekt handelt es sich um die Anfangsphase des Aufbaus eines Anwendungszentrums für Leistungselektronik in Toulouse/Labège. Die Unterstützung der Region durch das GRAINE-Programm wird es ermöglichen, diese ehrgeizige Dynamik in diesem Bereich in Gang zu setzen, die eine Annäherung der touluanischen und grenobischen Ökosysteme ermöglicht. (German) / qualifier | |||||||||||||||
point in time: 1 December 2021
|
Revision as of 08:35, 1 December 2021
Project Q3683049 in France
Language | Label | Description | Also known as |
---|---|---|---|
English | 2018 — CEAT Tech — AAP GRAINE — TOPGAN |
Project Q3683049 in France |
Statements
498,704.0 Euro
0 references
665,258.0 Euro
0 references
74.96 percent
0 references
1 January 2019
0 references
31 December 2020
0 references
COMMISSARIAT A L' ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
0 references
L'émergence des composants à grand gap en Nitrure de Gallium (GaN) parmi la famille des composants de puissance (Silicium, SiC) laisse entrevoir des perspectives applicatives jusqu'ici non atteignables. Cependant, l'introduction de tels composants dans les systèmes de conversion implique une nouvelle approche dans la conception système, permettant ainsi de tirer pleinement profit du potentiel de ces composants. Ainsi, l'approche du projet TOPGAN adopte une démarche de conception tirée par l'application, en explorant différentes options permettant d'adresser des enjeux techniques et scientifiques clé. In fine, l'objectif est d'explorer et démontrer la valeur ajoutée des composants EXAGAN dans des systèmes adressant les applications d'aujourd'hui et de demain. Ainsi quatre applications seront traitées dans le projet : un convertisseur PFC pour applications industrielles et automobile, une cellule de commutation de forte puissance par la mise en parallèle de composants, un convertisseur LLC haute fréquence et une alimentation pour data center, qui donneront lieu chacun à des démonstrateurs ou prototypes intégrant des composants d'EXAGAN. Le projet constitue la phase initiale de la mise en place d'un pôle application en électronique de puissance structurant à Toulouse/Labège. Le soutien de la Région à travers le dispositif GRAINE permettra d'initier cette dynamique ambitieuse sur cette thématique qui permettra de rapprocher les écosystèmes toulousain et grenoblois. (French)
0 references
The emergence of Gallium Nitrure (GaN) large gap components from the power component family (Silicium, SiC) suggests previously unreachable application prospects. However, the introduction of such components in conversion systems implies a new approach to system design, thus making it possible to fully exploit the potential of these components. Thus, the TOPGAN project approach adopts an application-driven design approach, exploring different options to address key technical and scientific challenges. Ultimately, the aim is to explore and demonstrate the added value of EXAGAN components in systems that address applications of today and tomorrow. Thus, four applications will be dealt with in the project: a PFC converter for industrial and automotive applications, a high-power switching cell by matching components, a high-frequency LLC converter and a data center power supply, each of which will result in demonstrators or prototypes incorporating EXAGAN components. The project is the initial phase of the implementation of a structuring power electronics application cluster in Toulouse/Labège. The Region’s support through the GRAINE system will allow us to initiate this ambitious dynamic on this theme, which will bring the Toulouse and Grenobloi ecosystems closer together. (English)
18 November 2021
0 references
Die Entstehung von Galliumnitrid (GaN) großen Gap-Komponenten aus der Leistungskomponentenfamilie (Silicium, SiC) lässt bisher unerreichbare Anwendungsperspektiven erkennen. Die Einführung solcher Komponenten in Umwandlungssysteme erfordert jedoch einen neuen Ansatz bei der Systemgestaltung, um das Potenzial dieser Komponenten voll auszuschöpfen. Der Ansatz des TOPGAN-Projekts beruht auf einem anwendungsorientierten Konzept, bei dem verschiedene Optionen für die Bewältigung der wichtigsten technischen und wissenschaftlichen Herausforderungen geprüft werden. Letztlich ist es das Ziel, den Mehrwert von EXAGAN-Komponenten in Systemen zu erforschen und zu demonstrieren, die die Anwendungen von heute und morgen adressieren. So werden im Projekt vier Anwendungen behandelt: ein PFC-Konverter für Industrie- und Automobilanwendungen, eine leistungsstarke Schaltzelle durch die Parallelschaltung von Komponenten, ein LLC-Hochfrequenz-Konverter und eine Rechenzentrumsversorgung, die jeweils Demos oder Prototypen mit Komponenten von EXAGAN hervorbringen. Bei dem Projekt handelt es sich um die Anfangsphase des Aufbaus eines Anwendungszentrums für Leistungselektronik in Toulouse/Labège. Die Unterstützung der Region durch das GRAINE-Programm wird es ermöglichen, diese ehrgeizige Dynamik in diesem Bereich in Gang zu setzen, die eine Annäherung der touluanischen und grenobischen Ökosysteme ermöglicht. (German)
1 December 2021
0 references
Identifiers
MP0018907
0 references